ОТЧЁТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ По дисциплине «Микроэлектроника» Фотолитография – как способ формирования топологического рисунка микросхем. Преподаватель Студент _________ _________ подпись, дата 2020 Цель работы Изучение основных закономерностей протекания химических процессов в светочувствительных материалах (резистах), обусловленных действием актиничного излучения (свет, поток электронов и ионов, рентгеновское, лазерное излучение), и их основных характеристик. Ознакомление с принципами прикладной оптики, определяющей точность передачи изображения. Изучение основных операций фотолитографического процесса. Формирование изображения топологического рисунка фотолитографии химическим негативным и позитивным способами. методом Ход работы: В ходе выполнения лабораторной работы первым этапом наносили фоторезист ФП383 в течении 30 секунд с помощью центрифуги, которая позволяет распределить фоторезист равномерно по поверхности подложки. Таблица 1 – Характеристики фоторезиста ФП383 Наименование показателя Норма показателя 1 Внешний вид Вязкая прозрачная жидкость жёлто-коричневого цвета 2 Кинематическая вязкость фоторезиста 5,0-6,0 мм2/c 3 Массовая доля воды в фоторезисте Не более 0.6% 4 Разрешающая способность пленки фоторезиста 1 мкм 5 Толщина пленки фоторезиста 1.0-1.2 мкм 6 Адгезия пленки фоторезиста к поверхности окисла кремния 7 Устойчивость пленки фоторезиста в проявителе Отсутствие отслаивания элементов шириной 2 мкм Не менее 30. В процессе растворения пленки не должно наблюдаться образования ряби и радиальных лучей 8 Светочувствительность пленки Не более 40 мДж/см2 Таблица 2 – Полученные результаты Время центриф гир., сек Время сушки, мин 40 30 Время экспони рования, сек 40 Время проявл., сек Время Время дубления, травл., мин сек 55 20 95 Суммарное время тех. процесса, мин 53.8 На втором этапе выполнения лабораторной работы экспонирование полученных подложек с нанесенным фоторезистом. Трафареты были заранее заготовлены. Освещали подложки кварцевой лампой в течение 55 секунд. После экспонирования приступили к последнему этапу работы – проявлению. В процессе проявления были обнаружены недостатки экспонирования, так как на краях подложки не был засвечен фоторезист, что сделало невозможным должное проявление рисунка трафарета на подложке. Рисунок 1 – Готовая подложка Вывод: В ходе лабораторной работы научились наносить фоторезист на подложку с помощью центрифуги, достигая максимально равномерного его распределения на площади подложки. А также научились с помощью трафарета и процесса экспонирования выполнять нанесение топографического рисунка схемы на подложку, а также его проявлению в химическом составе.
