Апплет А 1. Существуют ли полупроводники со смешанной ионно-ковалентной связью? Привести пример. 2. Каков физический смысл знаменателя в выражении, связывающем примитивные вектора обратной и прямой кристаллических решеток? 3. Написать выражение для примитивного вектора трансляции обратной решетки через примитивные вектора прямой 4. Нарисовать плоскость 110 221 или любую иную 5. Что такое сингония? 6. Имеется ли ось третьего порядка в кристалле, который вы изображали в вашем задании апплета? 7. Как определить несоответствие параметров кристаллических решеток двух полупроводников? 8. Написать выражение для эффективной массы 9. Как можно интерпретировать отрицательную эффективную массу? Апплет Б 1. Какую функциональную зависимость имеет E(k) в области экстремума (k→0)? 2. Изобразить дисперсионные кривые E(k) по схеме расширенных зон. 3. Почему возможно представление E(k) в схеме приведенных зон? 4. В каких полупроводниках mn* самая малая и самая большая (рис. 1)? 5. Какие из полупроводников – непрямозонные, а какие – прямозонные (рис. 1)? 6. Какой полупроводник называется непрямозонным (изобразить схематически)? 7. Какой из энергетических интервалов является шириной запрещенной зоны (рис.2)? 8. Какова степень вырождения минимумов зоны проводимости для Si и Ge? 9. Какой вид имеет изоэнергетическая поверхность зоны проводимости у Ge (Si, GaAs)? 10. В каких направлениях в обратном (k)-пространстве расположены минимумы зоны проводимости у Si? Рис. 1 Рис. 2 Апплет В 1. Каков физический смысл параметра EF? 2. Каковы условия сильно вырожденного полупроводника и какова концентрация основных носителей заряда в нем? 3. Может ли собственный полупроводник быть сильно вырожденным? Пояснить ответ. 4. Написать основное уравнение полупроводника (закон действующих масс). 5. В примесном невырожденном кремнии при комнатной температуре имеется 1014 см-3 электронов. Рассчитать концентрацию дырок. 6. Где расположен уровень Ферми в случае невырожденного полупроводника n-типа (p-типа) проводимости? 7. Какова температурная зависимость положения уровня Ферми в собственном полупроводнике при условии mn*>mp*? 8. Какова зависимость положения уровня Ферми от температуры в легированном невырожденном полупроводнике? 9. Где находится уровень Ферми в вырожденном полупроводнике p-типа (n-типа) проводимости? 10. Где расположен уровень Ферми: - в собственном полупроводнике - в примесном полупроводнике n-типа проводимости - в примесном полупроводнике p-типа проводимости 11. Где находится уровень Ферми в кремнии, легированном атомами бора (iii группа) (варианты – фосфора, мышьяка, сурьмы – V группа) до концентрации 1018 см-3? 11. Нарисовать зависимость концентрации носителей заряда от температуры для невырожденного примесного полупроводника. Указать характерные области