Аннотация дисциплины «Вакуумно-плазменные процессы и оборудование» Цели и задачи дисциплины: Основная цель - формирование у обучающихся знаний физико-химических основ процессов нанесения, травления, очистки и модификации материалов с применением плазмы газовых разрядов, а также проектирования вакуумно-плазменных технических систем, устройств и оборудования для реализации технологии производства приборов микро- и наноэлектроники, микросистемной техники. Задачи дисциплины: изучение физики процессов плазмообразования в газовых разрядах различного типа, физико-химических основ процессов в газоразрядной плазме и на обрабатываемой поверхности материала под воздействием заряженных и химически активных частиц; изучение технологических процессов и оборудования для нанесения, травления, очистки и модификации материалов в производстве микроприборов. Основные модули (разделы): Вакуумно-плазменные и электронно-ионные технологии и оборудование в производстве изделий микроэлектроники и микросистемной техники. Физика газового разряда в магнитном и электрических полях различного частотного диапазона. Физико-химические процессы в газоразрядной плазме, генерация ХАЧ. Механизм ионного распыления материалов в вакууме. Теоретические основы процесса ионной имплантации. Методы и оборудование для нанесения пленок. Классификация процессов травления микроструктур. Системы ионного, плазмохимического и ионно-химического травления. Контроль процессов осаждения и травления материалов. Автоматизация контроля и управления в оборудовании нанесения и травления. Состав установки ионного легирования, основные параметры и конструктивное исполнение узлов установки. Система контроля параметров пучка. Оборудование электронной и ионной литографии. Схемы установок, достоинства и основные проблемы реализации методов. Перспективы развития методов и оборудования вакуумно-плазменной и электронно-ионной обработки. В результате изучения дисциплины студент должен: Знать: - физико-химические основы газовых разрядов, процессы плазмообразования, генерации ионов и химически активных частиц (ХАЧ), в разрядах различного частотного диапазона; - физико-химические основы взаимодействия ионов и ХАЧ с поверхностью материала и процессов формирования микроструктур пучками заряженных, энергетических и химически активных частиц; - классификацию, состав, конструктивные особенности, параметры и особенности эксплуатации оборудования нанесения, травления материалов в вакууме, электронно- и ионнолучевой обработки. Уметь: - осуществлять выбор методов и средств вакуумно-плазменной обработки для решения технологических задач производства микроструктур и изделий микросистемной техники; - применять методы математического анализа и моделирования, теоретического и экспериментального исследования параметров процессов плазмообразования и обработки вакуумноплазменного и электронно-ионного технологического оборудования. Владеть: - методикой моделирования, расчета и проектирования узлов и систем вакуумноплазменного оборудования; - навыками эксплуатации оборудования, проводить на нем необходимые измерения с помощью приборов контроля параметров процессов и оборудования. Виды учебной работы: лекции, практические и лабораторные занятия. Изучение дисциплины заканчивается – экзаменом.