Лекция 8. Взаимодействие микропроцессора с внешними устройствами. Системный контроллер. Работа с устройствами памяти. Структурная схема микропроцессора КР580ВМ80 Выводы микропроцессора КР580ВМ80 CLK1, CLK2 – вход двух неперекрывающихся последовательностей импульсов синхронизации; INT (IN Terrupt) – вход сигнала запроса прерывания; INTE (IN Terrup Enable) – выход сигнала разрешения прерывания; READY – вход сигнала готовности внешнего устройства или памяти к обмену; WAIT – выход сигнала подтверждения ожидания; активный уровень сигнала свидетельствует о том, что процессор перешел в режим ожидания и выполняет такты ожидания; HOLD – вход сигнала запроса прямого доступа к памяти (ПДП) или запроса захвата шин; HLDA (HoLD Acnnowledge) – выход сигнала подтверждения ПДП; RESET – вход сигнала начальной установки (сброса); Выходы микропроцессора КР580ВМ80 DBIN (Data Bus IN) – выход сигнала чтения; высокий уровень этого сигнала свидетельствует о том, что двунаправленная шина данных находится в режиме приема информации; WR (WRite) – выход сигнала записи; низкий уровень этого сигнала свидетельствует о том, что двунаправленная шина данных находится в режиме выдачи информации; SYNC (SYNChronization) – выход сигнала синхронизации; высокий уровень этого сигнала свидетельствует о том, что по шине данных передается байт состояния (SW – Status Word), который используется для формирования некоторых управляющих слов. Системный контроллер микропроцессора КР580ВМ80 Системный контроллер (СК) структурно включает: дешифратор состояния, управляющую логику, генератор и дешифратор командных сигналов и сигналов управления. СК при работе в составе МП состоит из двунаправленной буферной схемы данных и обеспечивает: обработку прерываний, прямой доступ к памяти, управление магистральными приемопередатчиками. Назначение СК - связывает процессора с внешним интерфейсом. внутренний интерфейс Управляющие сигналы, генерируемые СК: MRD, MWR, IORD, IOWR, INTA. INTA – управляющий сигнал разрешения прерывания. Синхронный и асинхронный обмен информацией Возможны два режима последовательной передачи данных: синхронный; асинхронный. Строб обмена tимп Строб обмена Подтверждение Синхронный обмен Асинхронный обмен Стробы обмена информацией: Строб записи - определяет момент проведения операции записи. Говорит исполнителю, что он может принять данные от заказчика (процессора). Строб чтения - определяет момент проведения операции чтения. Говорит исполнителю, что он может выдать свои данные для заказчика (процессора). Сравнение синхронного и асинхронного обмена информацией Синхронный режим - более простой (не требует сигнала подтверждения), но не дает гарантии того, что исполнитель успеет завершить операцию до конца цикла. Циклы обмена всегда одинаковой длительности. Асинхронный режим - более сложный (требует сигнал подтверждения), но дает гарантию того, что исполнитель успел завершить операцию до конца цикла. Циклы обмена разной длительности в зависимости от быстродействия исполнителя. Скорость обмена - при синхронном режиме постоянная, определяется заказчиком (процессором). При асинхронном режиме может быть быстрее или медленнее. Микросхемы памяти Память – это совокупность технических средств – запоминающих цифровых устройств (микросхем памяти), предназначенных для приема (записи), хранения и обмена (считывания) информации, представленной двоичным кодом, с другими цифровыми устройствами. Структура микросхем памяти Классификация микросхем памяти Микросхемы памяти ПЗУ ОЗУ МПЗУ Статические ОЗУ ППЗУ Динамические ОЗУ РПЗУ РПЗУ – ЭС РПЗУ – УФ FLASH С симметричными блоками С несимметричными блоками Основные параметры микросхем памяти • разрядность – определяется количеством бит ячейки памяти или количеством разрядов шины данных; • адресное пространство (число ячеек) – максимально возможное число слов, хранимых микросхемой; • информационная емкость – количество единиц информации, которое может одновременно храниться в микросхеме памяти; • организация ЗУ – произведение разрядности микросхемы памяти на количество ячеек микросхемы памяти; • быстродействие ЗУ; • энергонезависимость – способность микросхемы сохранять данные после исчезновения напряжения питания. Типы выхода У микросхем памяти выход может находиться в одном из трех состояний: соответствующие логи-ческим 0 или 1 и высокоомное состояние. Выходное напряжение в третьем состоянии имеет уровень, равный приблизительно половине наибольшего значения выходного напряжения. Выход микро-схем памяти может быть с открытым коллектором, открытым эммитером или с тремя состояниями. Наличие у микросхемы того или иного выхода указывается на ее условном обозначении специальным знаком: выход с тремя состояниями; выход с открытым эмиттером; выход с открытым коллектором. Взаимодействие МП с памятью по системной магистрали