Специальность 41 01 02 Микро - Белорусский государственный

2
Программа составлена на основании учебного плана специальности
1-41 01 02 регистрационный № 07.00.03/697 (зо) от 22.06.2010г., и типовых
учебных программ дисциплин: «Технология изготовления интегральных
микросхем», регистрационный № I.234, утвержденной 20.10.2009 г.,
«Наноэлектроника», регистрационный № ТД-I. 485/тип, утвержденной
11.11.2010г.,
«Полупроводниковые приборы и элементы интегральных
микросхем», регистрационный № ТД-1.228/тип., утвержденной 20.10.2009г..
Составители:
Борисенко В.Е.., заведующий кафедрой микро- и наноэлектроники
Учреждения образования «Белорусский государственный университет
информатики и радиоэлектроники», д.ф.-м.н., профессор;
Колосницын Б.С., профессор кафедры микро- наноэлектроники Учреждения
образования «Белорусский государственный университет информатики и
радиоэлектроники», к.т.н. профессор;
Черных А.Г., доцент кафедры микро- и наноэлектроники Учреждения
образования «Белорусский государственный университет информатики и
радиоэлектроники», к.т.н. доцент;
Программа рассмотрена и рекомендована к утверждению кафедрой микро- и
наноэлектроники
протокол № 4 от 18.11.2015 г.
Заведующий кафедрой
В.Е. Борисенко
Одобрена и рекомендована к утверждению Советом факультета радиотехники
и электроники Учреждения образования «Белорусский государственный
университет информатики и радиоэлектроники»
протокол № 3 от 25.11.2015 г.
Председатель
А.В. Короткевич
СОГЛАСОВАНО
Начальник ОМОУП
Д.А.Фецкович
3
1. ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
1. Цель государственного экзамена.
Государственный экзамен проводится с целью определения теоретической и
практической готовности выпускника к выполнению социальнопрофессиональных задач в соответствии с образовательной программой
высшего образования 1 ступени по специальности 1 - 41 01 02 «Микро- и
наноэлектронные технологии и системы» Государственный экзамен является
формой итоговой аттестации обучающихся, которая установлена
образовательным стандартом Республики Беларусь, утвержденным
Министерством образования Республики Беларусь.
2. Список дисциплин, вынесенных на государственный экзамен.
На государственный экзамен вынесены следующие дисциплины:
1.
Наноэлектроника
2.
Полупроводниковые приборы и элементы интегральных
микросхем
3.
Технология изготовления интегральных микросхем
3. Список вопросов
3.1. По дисциплине «Наноэлектроника»
Раздел «Физические основы наноэлектроники»
1.
Квантовое ограничение
2.
Элементарные низкоразмерные структуры
3.
Баллистический транспорт носителей заряда и универсальная
баллистическая проводимость
4.
Туннелирование носителей заряда
5.
Сверхрешетки
6.
Правило Андерсона для гетероструктур
7.
Периодические квантовые колодцы
8.
Модуляционно-легированные структуры
9.
Дельта-легированные структуры
10. Структуры с квантовым ограничением внешним электрическим
полем
11. Осаждение атомарных слоев
12. Молекулярно-лучевая эпитаксия
13. Физические основы сканирующей туннельной микроскопии
14. Физические основы атомной силовой микроскопии
15. Атомная инженерия
16. Локальное окисление полупроводников и металлов
17. Локальное химическое осаждение материалов газовой фазы
18. Электронно-лучевая литография
19. Профилирование резистов сканирующими зондами
4
20. Нанопечать
21. Самосборка молекул
22. Золь-гель технология
23. Самоорганизация атомов на вицинальных поверхностях
кристаллов
24. Пористый кремний
25. Графен
26. Углеродные нанотрубки
27. Интерференция электронных волн и эффект Аронова-Бома
28. Формализм Ландауэра-Бютикера в описании вольт-амперных
характеристик низкоразмерных структур
29. Квантовый эффект Холла
30. Квантовый интерференционный транзистор
31. Однобарьерная одноэлектронная структура
32. Двухбарьерная одноэлектронная структура
33. Одноэлектронный транзистор
34. Приборы на одноэлектронном туннелировании
35. Резонансное туннелирование
36. Резонансно-туннельный диод и транзистор
37. Эффект гигантского магнитосопротивления
38. Эффект туннельного магнитосопротивления
39. Приборы на гигантском магнитосопротивлении
40. Ячейки памяти на туннельном магнитосопротивлении
3.2. По дисциплине
«Полупроводниковые приборы и элементы интегральных микросхем»
1.
Геометрия мощных МОП транзисторов. Транзисторы с Vобразной и
U-образной канавками: принцип действия, сопротивление сток-исток Rcu
открытых транзисторов.
2.
Геометрия мощных горизонтального (ГДМОП) и вертикального
(ВДМОП) транзисторов с двойной диффузией: принцип действия,
сопротивление сток-исток Rcu открытых транзисторов.
3.
Сравнительный анализ геометрических, электрофизических
характеристик мощных МОП транзисторов с двойной диффузией (ГДМОП и
ВДМОП) и транзисторов с V-канавкой.
4.
Особенности проектирования К МОП структур.
5.
Зависимость параметров МОП транзисторов от температуры.
6.
Расчет величин пороговых значений Uпор МОП транзистора с
алюминиевым затвором.
7.
Расчет величины порогового напряжения Uпор МОП транзистора
с n–поликремниевым затвором.
8.
Расчет величины порогового напряжения Uпор МОП транзистора
с p- поликремниевым затвором.
5
9.
Энергетическая зонная диаграмма идеализированной МДП
структуры. Условия идеализации. Напряжение плоских зон.
10. Зарядовые состояния на границе Si-SiO2.
11. Полевые транзисторы с затором Шоттки (ПТШ). Принцип
действия, пороговое напряжение, статические вольтамперные характеристики.
12. Сравнительный анализ электрических характеристик полевых
транзисторов с управляющим p-n переходом и с затвором Шоттки.
13. Особенности расчета пороговых напряжений Uпор МОП
транзисторов с коротким и узким каналами.
14. Эффекты короткого канала в МОП транзисторе. Критерии
короткоканальности.
15. Величина порогового напряжения Uпор МОП -транзистора и пути
его регулирования.
16. Физическая эквивалентная схема и частотные свойства МОП транзистора.
17. Статические вольтамперные характеристики и дифференциальные
параметры МОП - транзистора.
18. Пробой МОП транзистора: сквозное обеднение, лавинный пробой
электронно-дырочного перехода сток-подложка.
19. Туннельный и обращенный диоды: принцип действия,
вольтамперные характеристики.
20. Варикап (варактор): принцип действия, основные параметры,
частотные свойства.
21. Диод Шоттки: принцип действия, вольтамперные хаакеристики.
22. Полевые транзисторы, общие сведения: канальные и МДП
транзисторы, нормально открытые и нормально закрытые, работающие в
режиме обеднения и обогащения, реализация транзисторного эффекта в
канальных и МОП транзисторах.
23. Диод Шоттки: частотные свойства, области применения.
24. Тиристоры. Двухэлектродный тиристор (динистор): структура,
принцип действия, вольтамперная характеристики. Тиристоры.
25. Структуры мощных биполярных транзисторов (n+-p -n+ и n+ -p n- -n+ ). Сравнительный анализ их электрических характеристик.
26. Влияние высокого уровня легирования эмиттера на коэффициент
усиления по току.
27. Расширение базы мощного биполярного транзистора при высоких
плотностях эмиттерного тока (эффект Кирка).
28. Методы увеличения коэффициента усиления по току в мощных
биполярных транзисторах (гетеропереход эмиттер-база, схема Дарлингтона)
29. Образование электронно-дырочного перехода. Высота
потенциального барьера и контактная разность потенциалов. Зависимость их
величин от температуры, концентрации легирующих примесей и ширины
запрещенной зоны.
30. Барьерная емкость электронно-дырочного перехода.
6
31. Электронно-дырочный переход при нарушение теплового
равновесия. Прямое и обратное смещения перехода.
32. Диффузионная емкость электронно-дырочного перехода с тонкой
базой.
33. Эффекты высокого уровня инжекции в электронно-дырочном
переходе: появление электрического поля в базе, модуляция сопротивления
базы, учет падения напряжения на сопротивлении базы.
34. Генерация и рекомбинация носителей в электронно-дырочном
переходе.
35. Переходные процессы в электронно-дырочном переходе при
большом уровне инжекции в режиме генератора напряжения. Время
восстановления обратного сопротивления (тока) p-n перехода τвосст.
36. Биполярные транзисторы. Общие сведения: схемы включения,
режимы работы.
37. Биполярные транзисторы. Модель Эберса-Молла.
38. Распределение потоков носителей (токи) в биполярном
транзисторе в активном нормальном режиме работы. Величина тока базы.
39. Частотные свойства биполярного транзистора.
40. Пробой биполярного транзистора: смыкание эмиттерного и
коллекторного p-n переходов, лавинный пробой коллекторного p-n переход.
3.3. По дисциплине
«Технология изготовления интегральных микросхем»
1.
Технологические операции механической обработки кремниевых
пластин.
2.
Структура нарушенного слоя после механической обработки.
Геттерирование.
3.
Источники загрязнения поверхности и методы химподготовки
пластин.
4.
Контроль качества химподготовки. Основные виды контроля.
5.
Легирование и автолегирование эпитаксиального слоя.
6.
Основные дефекты эпитаксиальных пленок и пути их снижения.
7.
Молекулярно- лучевая эпитаксия.
8.
Способ формирования монокристаллического кремния на
аморфной подложке.
9.
Механизм роста и кинетика окисления кремния. Качество пленок.
10.
Окисление кремния в сухом кислороде Пирогенное окисление.
11. Назначение термодиффузии в технологии и основные механизмы
термодиффузии в кремнии.
12. Технологические методы проведения диффузии.
13. Эффект каналирования при ионном легировании.
14. Структурная схема и принцип работы установки ионного
легирования.
15. Дефекты в имплантированных слоях и пути их устранения.
7
16. Методы осаждения поликристаллических пленок кремния.
17. Методы оптической литографии.
18.
Схема техпроцесса фотолитографии.
19. Нанесение резиста на технологический слой. Основные методы.
20. Химическое травления диоксида и нитрида кремния.
21. Взрывная фотолитография.
22. Контактная фотолитография на микрозазоре.
23. Проекционная фотолитография. Используемые варианты.
24. Техпроцесс изготовления фотошаблонов.
25. Электронно- лучевая литография. Электронные резисты.
26. Рентгеновская литография. Техпроцесс изготовления
рентгеновского шаблона.
27. Технологический процесс изготовления скрытого слоя для
биполярных элементов микросхем.
28. Особенности технологического процесса изготовления биполярных
микросхем с диодом Шоттки.
29. Технологический блок изоляции элементов микросхем.
Особенности LOCOS-процесса.
30. Методы формирования КНИ-структур. Изготовление КНИ
структуры методом Smart Cut
31. Методы формирования КНИ-структур. Реактивная ионная
имплантация.
32. Технологический маршрут изготовления разноименных областей в
КМОП-элементах с применением одной фотолитографии.
33. Конструктивно-технологические особенности изготовления КМОПэлементов с одним и двумя карманами.
34. Конструктивно-технологические особенности изготовления
комплементарных МОП структур. Формирование электрода затвора
35. Конструктивно-технологические особенности изготовления
комплементарных МОП структур. Формирование истока, стока
36. Технологический блок изготовления металлизации на основе пленок
алюминия. Недостатки алюминиевой металлизации.
37. Методы и особенности планаризации поверхности при
формировании металлизации микросхем.
38. Конструктивно-технологические особенности создания
межсоединений микросхем на основе пленок меди. Методы двойной
гравировки
39. Транзисторы с high-k – подзатворным диэлектриком и
металлическим затвором.
40. Технологический маршрут изготовления исток-стоковых областей с
двойным легированием в КМОП-элементах.
8
3.
Литература
1.
В. Е. Борисенко, А. И. Воробьева, Е. А. Уткина, Наноэлектроника
(Бином, Москва, 2009), 223 с.
2. V. E. Borisenko, S. Ossicini, What is What in the Nanoworld. Second,
Completely Revised and Enlarged Edition (Wiley-VCH, Weinheim, 2008), 522 p.
3. В. М. Анищик, В. Е. Борисенко, С. А. Жданок, Н. К. Толочко,
В. М. Федосюк, Наноматериалы и нанотехнологии (Издательский центр БГУ,
Минск, 2008), 375 стр.
4. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. Пер. с англ., М.: Мир,
1989г.
5. Колосницын Б.С. Элементы интегральных схем. Физические
основы. Мн.: БГУИР, 2011г.
6. Колосницын Б.С. Мощные и СВЧ полупроводниковые приборы. Мн.,
БГУИР, 2008 г.
7. Колосницын Б.С. Полупроводниковые приборы и элементы
интегральных микросхем. Ч 1, Расчет и проектирование биполярных
транзисторов. Мн., БГУИР, 2011 г .
8. Шур М. Физика полупроводниковых приборов в 2-х томах. Пер. с
англ., М., Мир, 1982г.
9. Зи С. Технология СБИС: В 2 т. —M.: Мир, 1986. Т. 1-2.
10. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники.— М.: Лаборатория
базовых знаний, 2000. -488 с.
11. Clein D. CMOS IC layout : concepts, methodologies, and tools. —
Boston: Butterworth–Heinemann, 2000. – 261 p.
12. Рындин Е.А., Коноплев Б.Г. Субмикронные интегральные схемы:
элементная база и проектирование. — Таганрог, 2001. – 146 с.
13. Kuo J., Lin Sh. Low- voltage SOI CMOS VLSI devices and circuits. —
New York: John Wiley & Sons, Inc., 2001. – 407 p.
14. Razavi B. Design of analog CMOS integrated circuits. — New York:
McGraw-Hill, 2001.- 684 p.
15. Campbell S. A. The science and engineering of microelectronic
fabrication. —New York: Oxford university press, 2001. -603 p.
16. Haraszti T. P. CMOS memory circuits. — New York: Kluwer Academic
Publishers, 2002. – 551 p.
17. Rabaey J., Chandrakasan A., Nikolic B. Digital Integrated Circuits: A
Design Perspective, second edition. — New York: Prentice Hall, 2003. – 747 p.
18. Goddard W. A., Brenner D. W., Lyshevski S. E., Iafrate G. J. Handbook
of nanoscience, engineering, and technology. — New York: CRC Press, 2003. –
709 p.
19. Bhushan B. Handbook of nanotechnology. — Berlin: Springer-Verlag,
2004.- 1222 p.
9
УТВЕРЖДАЮ
проректор по учебной работе
и менеджменту качества
__________________Е.Н. Живицкая
«____» ___________________2015 г.
БИЛЕТЫ
к государственному экзамену
по специальности 1 - 41 01 02 «Микро- и наноэлектронные технологии и
системы»
2015/2016 учебный год
Билет № 1
1. Квантовое ограничение.
2. Геометрия мощных МОП транзисторов. Транзисторы с V-образной и
Uобразной канавками: принцип действия, сопротивление сток-исток Rcu
открытых транзисторов.
3. Технологические операции механической обработки кремниевых пластин.
Билет № 2
1. Элементарные низкоразмерные структуры.
2. Геометрия мощных горизонтального (ГДМОП) и вертикального (ВДМОП)
транзисторов с двойной диффузией: принцип действия, сопротивление
сток-исток Rcu открытых транзисторов.
3. Структура нарушенного слоя после механической обработки.
Геттерирование.
Билет № 3
1. Баллистический транспорт носителей заряда и универсальная
баллистическая проводимость.
2. Сравнительный анализ геометрических, электрофизических характеристик
мощных МОП транзисторов с двойной диффузией (ГДМОП и ВДМОП) и
транзисторов с V-канавкой.
3. Источники загрязнения поверхности и методы химподготовки пластин
Билет № 4
1. Туннелирование носителей заряда.
2. Особенности проектирования К МОП структур.
3. Контроль качества химподготовки. Основные виды контроля/
Билет № 5
1. Сверхрешетки.
2. Зависимость параметров МОП транзисторов от температуры
3. Легирование и автолегирование эпитаксиального слоя.
10
Билет № 6
1. Правило Андерсона для гетероструктур.
2. Расчет величин пороговых значений Uпор МОП транзистора с алюминиевым
затвором.
3. Основные дефекты эпитаксиальных пленок и пути их снижения.
Билет № 7
1. Периодические квантовые колодцы.
2. Расчет величины порогового напряжения
n–поликремниевым затвором.
3. Молекулярно- лучевая эпитаксия.
Uпор МОП транзистора с
Билет № 8
1. Модуляционно-легированные структуры.
2. Расчет величины порогового напряжения Uпор МОП транзистора с
p-поликремниевым затвором.
3. Способ формирования монокристаллического кремния на аморфной
подложке.
Билет № 9
1. Дельта-легированные структуры.
2. Энергетическая зонная диаграмма идеализированной МДП структуры.
Условия идеализации. Напряжение плоских зон.
3. Механизм роста и кинетика окисления кремния. Качество пленок.
Билет № 10
1. Структуры с квантовым ограничением внешним электрическим полем.
2. Зарядовые состояния на границе Si-SiO2.
3. Окисление кремния в сухом кислороде Пирогенное окисление
Билет № 11
1. Осаждение атомарных слоев.
2. Полевые транзисторы с затвором Шоттки (ПТШ). Принцип действия,
пороговое напряжение, статические вольтамперные характеристики.
3. Назначение термодиффузии в технологии и основные механизмы
термодиффузии в кремнии.
Билет № 12
1. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
11
2. Сравнительный анализ электрических характеристик полевых транзисторов
с управляющим p-n переходом и с затвором Шоттки
3. Технологические методы проведения диффузии.
Билет № 13
1. Физические основы сканирующей туннельной микроскопии.
2. Особенности расчета пороговых напряжений Uпор МОП транзисторов с
коротким и узким каналами.
3. Эффект каналирования при ионном легировании.
Билет № 14
1. Физические основы атомной силовой микроскопии.
2. Эффекты короткого канала в МОП транзисторе. Критерии
короткоканальности.
3. Структурная схема и принцип работы установки ионного легирования.
Билет № 15
1. Атомная инженерия.
2. Величина порогового напряжения Uпор МОП-транзистора и пути его
регулирования.
3. Дефекты в имплантированных слоях и пути их устранения.
Билет № 16
1. Локальное окисление полупроводников и металлов.
2. Физическая эквивалентная схема и частотные свойства МОП-транзистора.
3. Методы осаждения поликристаллических пленок кремния.
Билет № 17
1. Локальное химическое осаждение материалов газовой фазы
2. Статические вольтамперные характеристики и дифференциальные
параметры МОП – транзистора.
3. Методы оптической литографии.
Билет № 18
Электронно-лучевая литография.
Пробой МОП транзистора: сквозное обеднение, лавинный пробой
электронно-дырочного перехода сток-подложка.
3.
Схема техпроцесса фотолитографии
1.
2.
Билет № 19
12
Профилирование резистов сканирующими зондами
Туннельный и обращенный диоды: принцип действия, вольтамперные
характеристики.
3.
Нанесение резиста на технологический слой. Основные методы
1.
2.
Билет № 20
Нанопечать.
Варикап (варактор): принцип действия, основные параметры, частотные
свойства.
3.
Химическое травления диоксида и нитрида кремния
1.
2.
Билет № 21
1.
2.
3.
Самосборка молекул.
Диод Шоттки: принцип действия, вольтамперные хаакеристики.
Взрывная фотолитография
Билет № 22
1. Золь-гель технология.
2. Полевые транзисторы, общие сведения: канальные и МДП транзисторы,
нормально открытые и нормально закрытые, работающие в режиме обеднения
и обогащения, реализация транзисторного эффекта в канальных и МОП
транзисторах.
3. Контактная фотолитография на микрозазоре.
Билет № 23
1. Самоорганизация атомов на вицинальных поверхностях кристаллов.
2. Диод Шоттки: частотные свойства, области применения
3. Проекционная фотолитография. Используемые варианты
Билет № 24
1. Пористый кремний.
2. Тиристоры. Двухэлектродный тиристор (динистор): структура, принцип
действия, вольтамперная характеристики. Тиристоры.
3. Техпроцесс изготовления фотошаблонов
Билет № 25
1. Графен.
2. Структуры мощных биполярных транзисторов (n+-p -n+ и n+ -p -n- -n+ ).
Сравнительный анализ их электрических характеристик.
13
3. Электронно- лучевая литография. Электронные резисты
Билет № 26
1. Углеродные нанотрубки.
2. Влияние высокого уровня легирования эмиттера на коэффициент усиления по
току.
3. Рентгеновская литография. Техпроцесс изготовления рентгеновского шаблона.
Билет № 27
1. Интерференция электронных волн и эффект Аронова-Бома.
2. Расширение базы мощного биполярного транзистора при высоких плотностях
эмиттерного тока (эффект Кирка).
3. Технологический процесс изготовления скрытого слоя для биполярных
элементов микросхем.
Билет № 28
Формализм Ландауэра-Бютикера в описании вольт-амперных
характеристик низкоразмерных структур.
2.
Методы увеличения коэффициента усиления по току в мощных
биполярных транзисторах (гетеропереход эмиттер-база, схема Дарлингтона)
3. Особенности технологического процесса изготовления биполярных
микросхем с диодом Шоттки.
1.
Билет № 29
1. Квантовый эффект Холла
2. Образование электронно-дырочного перехода. Высота потенциального
барьера и контактная разность потенциалов. Зависимость их величин от
температуры, концентрации легирующих примесей и ширины запрещенной
зоны.
3. Технологический блок изоляции элементов микросхем. Особенности LOCOSпроцесса.
Билет № 30
1. Квантовый интерференционный транзистор.
2. Барьерная емкость электронно-дырочного перехода
3. Методы формирования КНИ-структур. Изготовление КНИ структуры методом
Smart Cut
Билет № 31
1. Однобарьерная одноэлектронная структура.
14
2. Электронно-дырочный переход при нарушение теплового равновесия. Прямое
и обратное смещения перехода.
3. Методы формирования КНИ-структур. Реактивная ионная имплантация
Билет № 32
1. Двухбарьерная одноэлектронная структура.
2. Диффузионная емкость электронно-дырочного перехода с тонкой базой.
3. Технологический маршрут изготовления разноименных областей в КМОПэлементах с применением одной фотолитографии.
Билет № 33
1. Одноэлектронный транзистор.
2. Эффекты высокого уровня инжекции в электронно-дырочном переходе:
появление электрического поля в базе, модуляция сопротивления базы, учет
падения напряжения на сопротивлении базы.
3. Конструктивно-технологические особенности изготовления
КМОП-элементов с одним и двумя карманами.
Билет № 34
1. Приборы на одноэлектронном туннелировании.
2. Генерация и рекомбинация носителей в электронно-дырочном переходе
3. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных
МОП структур. Формирование электрода затвора/
Билет № 35
1. Резонансное туннелирование.
2. Переходные процессы в электронно-дырочном переходе при большом уровне
инжекции в режиме генератора напряжения. Время восстановления обратного
сопротивления (тока) p-n перехода τвосст.
3. Конструктивно-технологические особенности изготовления комплементарных
МОП структур. Формирование истока, стока
Билет № 36
1. Резонансно-туннельный диод и транзистор.
2. Биполярные транзисторы. Общие сведения: схемы включения, режимы
работы.
3. Технологический блок изготовления металлизации на основе пленок
алюминия. Недостатки алюминиевой металлизации.
15
Билет № 37
1. Эффект гигантского магнитосопротивления.
2. Биполярные транзисторы. Модель Эберса-Молла
3. Методы и особенности планаризации поверхности при формировании
металлизации микросхем.
Билет № 38
1. Эффект туннельного магнитосопротивления.
2. Распределение потоков носителей (токи) в биполярном транзисторе в
активном нормальном режиме работы. Величина тока базы
3. Конструктивно-технологические особенности создания межсоединений
микросхем на основе пленок меди. Методы двойной гравировки
Билет № 39
1.
Приборы на гигантском магнитосопротивлении.
2. Частотные свойства биполярного транзистора.
3. Транзисторы с high-k – подзатворным диэлектриком и металлическим
затвором.
Билет № 40
1. Ячейки памяти на туннельном магнитосопротивлении.
2. Пробой биполярного транзистора: смыкание эмиттерного и коллекторного pn переходов, лавинный пробой коллекторного
p-n перехода.
3. Технологический маршрут изготовления исток-стоковых областей с двойным
легированием в КМОП-элементах.
Рассмотрены и рекомендованы к утверждению на заседании кафедры микрои наноэлектроники
протокол № 4 от 18.11.2015 г.
Заведующий кафедрой
Одобрены и рекомендованы
радиотехники и электроники
протокол № 3 от 25.11.2015 г.
Председатель
В.Е. Борисенко
к
утверждению
Советом
факультета
А.В Короткевич