влияние смещения эмиттерного перехода на деградацию

Д.В. САВЧЕНКОВ, А.С. БАКЕРЕНКОВ, И.Н. АБРАМЕНКО
Научный руководитель – В.С. ПЕРШЕНКОВ, д.т.н.
Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
ВЛИЯНИЕ СМЕЩЕНИЯ ЭМИТТЕРНОГО ПЕРЕХОДА
НА ДЕГРАДАЦИЮ БАЗОВОГО ТОКА БИПОЛЯРНОГО
ТРАНЗИСТОРА ПРИ ОБЛУЧЕНИИ
Экспериментально исследовано влияние смещения эмиттерного перехода
биполярного транзистора на деградацию базового тока при воздействии гаммаоблучения.
Проведено облучение транзисторных сборок КР198НТ3А на гаммалучевой установке ГУ-200 (НИИП в г. Лыткарино) при интенсивности
излучения 40 Рад(SiO2)/с. Используемая транзисторная сборка состоит из
пяти транзисторов. На эмиттерные переходы этих транзисторов во время
облучения подавались смещения -3,0В, +0,6В и 0,0В при закороченных
базе и коллекторе, как показано на рис. 1.
Рис. 1.
Схема включения исследуемых транзисторов.
На рис. 2 показана зависимость приращения тока базы биполярного
транзистора от дозы облучения при различных смещениях эмиттерного
перехода.
Из рисунка следует, что чем большее обратное напряжение подано на
эмиттерный переход, тем сильнее деградирует ток базы транзистора.
Можно предположить, что усиление деградации связано с увеличением
краевого поля вблизи эмиттерного перехода, вызванного изменением
размеров обедненной области в пассивной области базы, так как оно
влияет на характер встраивания поверхностных состояний в
пассивирующем окисле при облучении.
Приращение т ока
базы , А
З ав ис имос ть приращения тока базы от дозы
обл учения
1,40E -06
1,20E -06
U=-3.0B
1,00E -06
8,00E -07
U=+0.6B
6,00E -07
U=0.0B
4,00E -07
U=0.0B
2,00E -07
0,00E +00
0
22 41,3 78,1 128,1 194,5
Доза, КР ад(S iO 2)
Рис. 2.
Зависимость приращения тока базы от дозы облучения.
Список литературы
1. Зебрев Г.И. Моделирование эффекта низкой интенсивности в толстых
изолирующих слоях современных интегральных схем // Микроэлектроника. 2006. Т. 35. №
3. С. 209-216.
2. Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные
эффекты в элементах интегральных микросхем М.: Энергоатомиздат, 1988. С. 136-137.
3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов, т1. М.: Мир 1984. С 378-384.