ЭЛЕМЕНТЫ СТРУКТУРНОЙ КРИСТАЛЛОГРАФИИ Пространственная решетка и элементарная ячейка. Рентгеноструктурный анализ получил свое развитие благодаря предположению, что в кристаллических веществах материальные частицы (атомы, ионы или молекулы) расположены в периодически закономерном порядке трехмерного пространства. Геометрическая модель, описывающая расположение совокупности материальных частиц (полученных рентгеноструктурным анализом) в пространстве кристаллического вещества, называется пространственной решеткой кристалла, а периодически повторяющаяся, фундаментальная его часть – элементарной ячейкой. Z c Y a b Рис. 1.1 - Для описания пространственной кристаллической решетки выбирают три оси правой системы координат Х, Y, Z, которые задаются вдоль направлений ребер элементарной ячейки. За начало координат выбирают любой узел в кристаллической решетке. Углы между направлениями обозначают , , . Х Ребра элeментарной ячейки, это три некомпланарных вектора: а, b, с, которые называются трансляциями, а их величины |a|, |b|, |c| - периодами идентичности для координатных направлений. Эти параметры полностью определяют форму, объем элементарной ячейки пространственной решетки и принадлежность кристаллов к различным кристаллическим системам (табл.1.1). Таким образом, через каждый период трансляции в направлении соответствующей оси находятся узел и таких узлов в кристаллической решетке бесконечное множество. Вдоль направления 1 см кристаллического вещества, как правило, располагается 106-107 материальных частиц, а на плоскости 1 см2 число частиц расположенных в определенном закономерном порядке равно 1012-1014, то есть их бесконечное множество. Поэтому для описания кристаллической структуры вещества при построении элементарной ячейки любой узел решетки можно принять за начало координат. Таблица 1.1. Кристаллографические системы а, b, c , , Примеры Триклинная abc 90o CuSO4*5H2O –медный купорос, K2Cr2O7 – бихромат калия Моноклинная abc ==90o -S – сульфурит, Na3AlFe – криолит Ромбическая abc ===90o Ga, Cu2S, FeS2, Fe2O3*H2O Тригональная a=bc ==90o Bi, Sb, As, Al2O3, Fe2O3, SiC Сингония ==90o; =120o Гексагональная a=bc Тетрагональная a=bc Кубическая a=b=c ===90o FeS2, TiO, Cu3Al, FeO, AgCl, PbS Zn, Cd, Ti, ZnS, FeS, AhI, H2O ===90o -Sn, CuFeS2, TiO2, SnO2 Индексы узлов. Точки или узлы пространственной решетки имеют условное обозначение. Символ узла представляет собой двойные квадратные скобки [[ ]], внутри которых указаны координаты узла. Запись в виде [[mnp]] обозначает точку, координатами которой являются: х = ma; y = nb; z = pc. Координатами точек пространственной решетки m, n, р могут быть любые целые или дробные рациональные числа. Рис.1.2 – Определение индексов узлов 1, 2 и 3 с координатами 1 ( х = 1а; y = 0b; z = 0c), 2 ( х = 1/2a; y = 1/2b; z = 1c ), 3 ( х = 1/2a; y = 2b; z = 1/2c).. Запись [[000]] обозначает начало кoординат, а [[100]] – указывает кoординаты первого узла от начала координат по оси Х. Координаты узла 2 будут описаны как: [[1/2 1/2 1]], а координаты узла 3 - [[1/2 1 1/2]]. Расстояние между точками (узлами). А и В пространственной кубической решетки с координатами [[m1n1p1]] и [[m2n2p2]] (для решетки с кубической элементарной ячейкой) определяется из формулы: RAB = a(m1-m2)2 + (n1-n2)2 + (p1-p2)2 (1.1) Индексы направлений. Кристаллографическое направление чаще называют атомным рядом. Семейство всех параллельных кристаллографических прямых равноценно, а индексы любого из направлений будут характеризовать все семейство направлений. Любая прямая однозначно задается двумя ее точками (узлами), а одним из узлов (по условию выбора прямой) является начало координат. А сама прямая описывается индексами узла, ближайшего к началу координат и являются тремя взаимно простыми целыми числами m, n, р. Условный символ направления (ряда, прямой) – одинарные квадратные скобки [ ], внутри которых указываются координаты направления [mnp]. Индексы m, n, р называют иногда индексами Миллера для ряда, часто их записывают в виде [uvw]. Таким образом, запись [100] обозначает семейство прямых, параллельных оси ОХ. Рис.1.3 – К определению индексов направления Для определения индексов направления (прямой, ряда), не проходящего через начало координат, как изображено на рисунке 1.3 (слева), прямую переносят параллельно самой себе в начало координат, либо переносят параллельно самой себе оси координат так, чтобы прямая прошла через ее начало (как показано на рисунке 1.3 справа). В таком случае выполняется условие: прямая проходит через начало координат. В качестве второго узла можно взять любой узел, лежащий на данной прямой. При этом координаты узла по правилам индицирования должны быть взаимно простыми целыми числами. Например (рис.1.3), прямая проходит через узлы c координатами ̅̅̅̅̅ ½ 0]] и [[1̅ 10]], индексы соответствующего направления будут опре[[1/2 делены как: [1̅10]. Период идентичности – расстояние между двумя ближайшими равноценными (идентичными) атомами. Для любого заданного направления в кубической сингонии его можно определить из уравнения (1.1), если принять индексы одного из узла равными [[000]]: J[mnp] = a√ (m2+n2+p2). Угол между двумя прямыми в прямоугольной системе координат. Если обозначить угол между двумя прямыми [u1v1w1] и [u2v2w2] углом , то его можно определить по формуле: u1u 2 v1v 2 w1 w2 cos (1.2) u12 v12 w12 * u 22 v 22 w22 Индексы кристаллографических плоскостей. В рентгеноструктурном анализе рассматриваются плоскости, проходящие через центры материальных частиц (атомы, ионы), то есть атомные плоскости. Все параллельные плоскости равноценны и потому описываются одинаковыми индексами Миллера (hkl). Индексы плоскости – три целых числа h, k, l, указывающие, на какое число равных частей делит соответст-венно осевые единицы а, b и с ближай шая к началу координат плоскость (из семейства параллельных плоскостей). Например, на рис.1.4 индексы трех параллельных плоскостей (123), а ближайшая к началу координат плоскость 1 проходит через узел 1а, а осевые единицы b и с соответственно делят оси на 2 и 3 равных отрезков. В рентгеноструктурном анализе используют числа H, K и L кратные индексам плоскостей (h k l), которые называют индексами интерференции: Н = nh; K = nk; L = nl Для решения некоторых практических задач важно помнить следующее: Рис. 1.4 – Семейство параллельных 1) индексы плоскости и прямой (в плоскостей 1,2 и 3, пересекающие кристаллах кубической сингонии), первсе три координационные оси пендикулярной к ней, имеют одинаковые численные значения (hkl) и [hkl]; 2) система параллельных плоскостей в кристаллической решетке имеет одинаковые численные значения индексов (hkl); 3) совокупность кристаллографических плоскостей, параллельных одной общей для всех прямой, составляет кристаллографическую зону, а соответствующая прямая – ось зоны. Угол между плоскостью и прямой в прямоугольной системе координат. Угол между плоскостью (hkl) и нормалью [uvw] к ней равен 90о. Соs90o=0. Формулу (1.2) можно выразить: cos 90 о uh vk wl u 2 v 2 w2 * h 2 k 2 l 2 0 (1.3) Тогда угол между плоскостью и прямой () можно рассматривать как =90о. uh vk wl cos sin (1.4) u 2 v 2 w2 * h 2 k 2 l 2 Решетки Бравэ. По соотношению величин трансляций а, b, с и углам между ними α, β и , все кристаллы разбиты на 7 кристаллографи-ческих систем или сингоний, с учетом трансляционной симметрией возни-кает 14 трансляционных групп, каждая из которых составляет решетку Бравэ. Координаты минимального числа узлов, симметричными преобразованиями которых можно построить всю решетку в целом, называют базисом решетки. Базис состоит из числа узлов, принадлежащих одной элементарной ячейке. Элементарную ячейку, образованную узлами, расположенными только в вершинах элементарного параллелепипеда, называют примитивной (Р – ячейка). Базис примитивной ячейки будет составлять координаты одного атома [[000]]. Трансляционное повторение базиса образует бесконечную систему точек, которую называют решеткой Бравэ. Элементарная ячейка решетки Бравэ должна отвечать трем основным условиям: - сингония решетки должна быть такой же, как сингония ячейки; - число прямых углов между ребрами ячейки должно быть по возможности максимальным; - при соблюдении первых двух условий объем ячейки должен быть по возможности минимальным. Рис. 1.2 - Структура NaCl (черные шары – ионы Na, серые – Cl) Рис. 1.3 - Структура Аl Кроме примитивных (Р) существуют сложные ячейки Бравэ, или ячейки с базисом: - базоцентрированные (А или В или С); - объемноцентрированные (I); - гранецентррованные (F). Одну и ту же решетку могут иметь различные кристаллические материалы. Например, алмаз, NaCl, CaF2, Al, Ni имеют структуру гранецентрированной решетки (рис.1.3). При этом ионы Na+ и Cl- поваренной соли, образуя каждый гранецентрированную решетку, внедряются ионами одной решетки в пустоты другой по пространственной диагонали и образуют структуру NаCl (рис. 1.2). Межплоскостные расстояния. Характеристикой плоскостей кристалла является не только его ориентация в пространстве кристаллической решетки, но и межплоскостное расстояние между соседними параллельными идентичными плоскостями, которое соответствует длинам нормалей к ним, проведенных из начала координат ко всем кристаллографическим плоскостям (рис.1.4). Межплоскостные расстояния для любой системы параллельных плоскостей являются величиной постоянной, что обусловлено правильной трехмерной периодичностью расположения узлов и меняется в зависимости от их ориентации в кристалле, то есть с изменением индексом Миллера. d0 1 0 d110 Y Рис. 1.4 - Межплоскостное расстояние определяется как длина нормалей к плоскости, проведенных из начала координат/ Например, расстояние между плоскостями (120) будет записано, как d120 и определится величиной нормали к ним. Z d120 Х Таблица 1.2 - Межплоскостные расстояния, d Сингония Кубическая Межплоскостное расстояние 1 d2 h2 k 2 l 2 a2 Тетрагональная 1 h2 k 2 l 2 2 d2 a2 c Ромбическая 1 h2 k 2 l 2 d 2 a2 b2 c2 Гексагональная 1 4 h 2 hk k 2 R 2 2 d2 3 a2 c В общем случае, чем меньше значения индексов плоскостей, тем больше величина межплоскостных расстояний. Максимальные значения величины межплоскостного расстояния соответствуют плоскостям с индексами (100), (010), (001). В рентгенографических расчетах часто используют квадратичную форму зависимости, связывающую межплоскостные расстояния с периодами решетки. В табл.1.2 приведены формулы для определения межплоскостных расстояний некоторых сингоний.