НАЗВАНИЕ ПЕЧАТАЕТСЯ ЗАГЛАВНЫМИ БУКВАМИ БЕЗ
реклама
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОХОЖДЕНИЯ МНОГОЗАРЯДНЫХ ИОНОВ ЧЕРЕЗ КРИСТАЛЛЫ В.С. Малышевский, Д.А. Трухов Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону Методами математического моделирования рассмотрены особенности каналирования многозарядных ионов в кристаллах и дана интерпретация обнаруженным недавно эффектам охлаждения и нагрева [1]. Алгоритм, позволяющий моделировать влияние процессов перезарядки на рассеяние ионов в кристалле, состоит в следующем: если в процессе движения иона сближение с атомной цепочкой 1/ 2 становится меньше чем ρ c ( q ) = (σ с ( q ) / π ) единицу, если меньше чем , то заряд уменьшается на 1/ 2 ρ l ( q ) = (σ l ( q ) / π ) , то заряд увеличивается на единицу ( σ с ( q ) и σ l ( q ) сечения захвата и потери [2]). Проверка значения прицельного параметра происходит на шаге равном времени пролета между двумя соседними атомами. a) b) На рисунке приведены угловые распределения квазиизотропного пучка ионов иттрия, прошедшего кристалл кремния толщиной 3.4 мкм вдоль осевого канала <100> при начальных энергиях 141 МэВ (a) и 63 МэВ (b). В соответствии с экспериментальными данными при уменьшении энергии ионов со 141 МэВ до 63 МэВ происходит значительное уменьшение числа частиц, прошедших кристалл вдоль кристаллографического направления, т.е. наблюдается эффект «нагрева». При энергии 141 МэВ в число частиц прошедших вдоль оси несколько больше, (эффект «охлаждения»). ЛИТЕРАТУРА 1. 2. Assmann W., et.al. //Phys. Rev. Lett. 1999, V.83, P.1759. Knudsen H., Haugen H.K., Hvelplund P. //Phys.Rev., 1981, V.A23, P.597.
