РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ «СОВРЕМЕННЫЕ СТРУКТУРНЫЕ МЕТОДЫ В ФТТ» Томск – 2005 I. Oрганизационно-методический раздел 1. Цель курса Курс читается в рамках магистерской подготовки по направлению 510400 – “ФИЗИКА”, программа “Физика полупроводников и микроэлектроника”. Основная цель - формирование у студента представлений о физике, технике и возможностях современных методов исследования твердых тел, практических навыков работы на приборах и умения анализировать результаты измерений. 2. Задачи учебного курса Основные задачи данного курса - дать студентам основные представления о физических принципах построения современных методов исследования структуры и составf твердых тел, их конкретной приборной реализации. Спецкурс базируется на курсах кристаллографии, рентгеноструктурного анализа, электронной микроскопии, физики полупроводников и физического полупроводникового материаловедения. 3. Требования к уровню освоения курса После изучения курса студент должен знать принципы работы, возможности и устройство важнейших исследовательских приборов, уметь анализировать информацию, с их помощью получаемую. II. Содержание курса 1. Темы и краткое содержание № Тема 1. Взаимодействие ускоренных частиц с твердым телом. 2. Методы получения ускоренных частиц, управление пучками. Аналитическая аппаратура. 3. Растровая электронная микроскопия. 4. Рентгеноспектральный микроанализ. 5. Оже-электронная 6. 7. 8. Содержание Обзор возникающих явлений. Возможности их использования для анализа структуры и состава твердых тел. Физические принципы, техническая реализация, основные блоки, получаемая информация и ее анализ. Физические принципы, техническая реализация, основные блоки, получаемая информация и ее анализ Физические принципы, техническая реализация, основные блоки, получаемая информация и ее анализ Физические принципы, техническая реализация, основные блоки, получаемая информация и ее анализ спектроскопия. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. Вторичная ионная масс- Физические принципы, техническая реализация, основные спектроскопия. блоки, получаемая информация и ее анализ Спектрометрия Физические принципы, техническая реализация, основные обратного рассеяния Резерфорда 9. Дифракция быстрых и медленных электронов 10. Туннельная и атомносиловая микроскопия. 11. Электронная микроскопия, в том числе, высокого разрешения. 12. Тенденции развития микроаналитических методов блоки, получаемая информация и ее анализ Физические принципы, техническая реализация, основные блоки, получаемая информация и ее анализ Физические принципы, техническая реализация, основные блоки, получаемая информация и ее анализ Физические принципы, техническая реализация, основные блоки, получаемая информация и ее анализ III. Распределение часов курса по темам и видам работ № пп Наименование темы 1 Взаимодействие ускоренных частиц с твердым телом. Методы получения ускоренных частиц, управление пучками. Аналитическая аппаратура. Растровая электронная микроскопия Рентгеноспектральный микроанализ. Оже-электронная спектроскопия. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. Вторичная ионная массспектроскопия. Спектрометрия обратного рассеяния Резерфорда. Дифракция быстрых и медленных электронов Туннельная и атомносиловая микроскопия. Электронная микроскопия, в т.ч. высокого разрешения. Тенденции развития микроаналитических методов 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ИТОГО Всего часов Аудиторные занятия (час) в том числе лаборатор. лекции семинары занятия Самостоятельная работа 4 2 2 - 7 3 2 - 2 20 4 2 12 2 7 3 4 - 9 3 4 - 4 2 2 - 21 3 4 12 6 2 4 - 16 2 2 12 6 2 4 - 32 6 4 18 2 2 - - 134 34 34 54 2 2 4 12 IV. Форма итогового контроля Зачет теоретический, зачет по лабораторным работам V. Учебно-методическое обеспечение курса 1. Рекомендуемая литература (основная): 1. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. В 2-х книгах. // пер. с англ. под ред. В.И. Петрова. – М.: Мир, 1984. 2. Уманский Я.С., Скаков Ю.А., Иванов А.Н., Расторгуев Л.Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. – М.: Металлургия, 1982. – 632 с. 3. Методы анализа поверхностей. /Под ред. А. Зандерны. - М.: Мир, 1979. - 562 с. 4. Основы аналитической электронной микроскопии. / под ред. Дж. Грена. Дж. И. Гольштейна, Д.К. Джоя, А.Д. Ромига. – М.: Металлургия, 1990. – 584 с. 2. Рекомендуемая литература (дополнительная): 1. Электронно-зондовый анализ. /Под ред. И.Б. Боровского. - М.: Мир, 1974. - 260 с. 2. Практические методы в электронной микроскопии. /Под ред. О.М. Глоэра. - Л.: Машиностроение, 1980. - 375 с. 3. Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении. // под ред С. Амелинкса, Р. Геверса, Дж. Ван Ланде / пер. с англ. под ред. М.П. Усикова. М.: Металлургия, 1984. – 504 с. 4. Анализ поверхности методами ОЖЕ и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. /Под ред. Д. Биггса, М.П. Сиха. - М.: Мир, 1967. - 600 с. 5. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. - М.: Мир. 1989. - 568 с. 6. Фелдман Л., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. - М.: Мир - 1989. 342 с. Автор: Ивонин Иван Варфоломеевич, д.ф.-м.н., профессор