МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ БЕЛАРУСЬ БЕЛОРУССКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ УТВЕРЖДАЮ Заместитель председателя приемной комиссии __________Ф.И. Пантелеенко «___»___________________2013 г. ПРОГРАММА И КРИТЕРИИ ОЦЕНКИ вступительного испытания по дисциплине «Технология производства электронных устройств» для абитуриентов, поступающих на сокращенный срок обучения по специальностям 1-38 01 04 «Микро- и наносистемная техника» 1-41 01 01 «Технология материалов и компонентов электронной техники» Минск 2013 Пояснительная записка При разработке содержания программы вступительного испытания использована учебная программа «Технология производства электронных устройств» для учреждений, обеспечивающих получение среднего специального образования по специальностям 2-410132 «Микроэлектроника», 2-53 01 01 «Автоматизация технологических процессов и производств», 2-53 01 04 «Автоматизация и управление энергетическими процессами», 2-36 01 56 «Мехатроника», 2-36 03 31 «Монтаж и эксплуатация электрооборудования», 2-39 02 31 «Техническая эксплуатация радиоэлектронных средств», 2-38 01 31 «Производство и техническая эксплуатация приборов и аппаратов», 2-39 02 02 «Проектирование и производство радиоэлектронных средств» утвержденные Министерством образования Республики Беларусь в 2011г. и в 2012г. Содержание программы Программа вступительного испытания по дисциплине «Технология производства электронных устройств» включает следующие теоретические вопросы: Тема 1. Общая характеристика производства электронных устройств. Классификация и характеристики интегральных микросхем (ИМС). Основные этапы технологии изготовления ИМС, их назначение и роль. Принципы интегральной технологии, методы изготовления структур микросхем, особенности технологии производства ИМС. Тема 2. Механическая обработка полупроводниковых пластин. Подготовка слитков и резка их на пластины. Механическая обработка пластин. Абразивные материалы и инструменты. Резка слитков на пластины. Шлифовка и полировка пластин, методы и технология. Контроль качества пластин и подложек после механической обработки. Тема 3. Технологические процессы получения тонких пленок. Вакуумно-термическое напыление, физические основы процесса. Основные параметры процесса. Способы нагрева испаряемого вещества: резистивный, электронно-лучевой, индукционный. Техника термовакуумного напыления, достоинства и недостатки метода. Ионно-плазменное и магнетронное распыление. Физические основы процесса. Основные параметры процесса, достоинства и ограничения. Химическое осаждение пленок из паровой фазы. Сущность процесса осаждения пленок из парогазовой фазы (ПГФ). Основные режимы процесса, требования к качеству. Электролитическое и плазменное анодирование. Физическая сущность процесса, область применения, преимущества и ограничения. Тема 4. Технологические процессы монтажа и сборки электронных устройств. Разделение полупроводниковых пластин на кристаллы. Методы разделения алмазными резцами, лазерным скрайбированием, дисковой резкой. Основные режимы, возможности и ограничения. Основные дефекты при разделении пластин. Монтаж кристаллов и плат. Характеристики методов монтажа. Монтаж кристаллов контактно-реактивной и пайкой эвтектическими сплавами, высокотемпературными стеклами, монтаж кристаллов на клей. Монтаж кристаллов на ленточных носителях. Требования к качеству и прочности крепления кристаллов. Методы присоединения выводов. Тема 5. Методы герметизации электронных устройств. Корпусная герметизация. Характеристика методов корпусной герметизации, возможности и ограничения. Способы герметизации: герметизация холодной сваркой, электроконтактной сваркой, герметизация пайкой припоями и стеклом, герметизация склеиванием. Требования к качеству процесса герметизации. Бескорпусная герметизация. Способы бескорпусной герметизации: обволакивание, заливка, литьевое прессование. Контроль качества герметизации. Тема 6. Принципы информационных технологий. Основные положения и определения информационных технологий. Современные программно-технические средства информационных технологий. Тенденции и проблемы развития информационных технологий. Тема 7. Сетевые информационные технологии. Корпоративные сети, их назначение и возможности. Принципы построения сетевых информационных технологий. Internet-технологии. Электронная почта в интернете. Тема 8. Создание и обработка электронных документов. Понятие и назначение Microsoft Office. Работа с графическими обозначениями в Word. Работа с текстовым процессором Word. Алгоритм копирования, редактирования, перемещения, удаления информации. Работа с таблицами и графическими объектами в Word. Работа с табличным процессором Exсel, ввод и редактирование данных Excel. Создание документов в Excel. Сортировка данных, использование функции автофильтр. Работа с формулами и диаграммами в Excel. Совместное использование Word и Excel. Программные средства профессионального назначения. Тема 9. Системы автоматизированного проектирования (САПР). Назначение, состав и архитектура систем автоматического проектирования. Классификация САПР. Пользовательский интерфейс САПР «Компас». Методика создания чертежей в САПР «Компас». Редактирование объектов САПР «Компас». Работа с таблицами и текстом в САПР «Компас». Создание стандартных видов деталей в САПР «Компас». Проектирование элементарных объектов и двухмерных объектов в САПР «Компас». Разработка и построение чертежей 2D объектов. Принцип трехмерного моделирования в САПР «Компас». Построение и разработка чертежей 3D объектов. Моделирование сложных тел в САПР «компас». Тема 10. Сетевые компьютерные технологии. Понятие и определение компьютерных сетей (КС). Принципы построение КС. Локальные компьютерные сети. Глобальная компьютерная сеть. Информационные ресурсы. Протоколы передачи информации. Работа с поисковыми серверами в сети Internet. Современные интернет технологии. Тема 11. Защита деловой информации. Технические аспекты обеспечения безопасности. Структурные схемы систем защиты деловой информации. Система зашиты информации в сети Internet. Программное обеспечение и конфигурация. Общая характеристика программного обеспечения и конфигурации, назначение, возможности, область применения, алгоритм построения. Тема 12. Элементы технических средств профессионального назначения. Датчики и преобразователи. Классификация датчиков и преобразователей по структуре и функциональному назначению. Электроконтактные, путевые и потенциометрические датчики. Индуктивные преобразователи, емкостные преобразователи, фотоэлектрические преобразователи. Оптические датчики, пьезоэлектрические преобразователи, датчики Холла. Биметаллические, мембранные и сильфонные датчики, датчики температуры и влажности. Рекомендуемая литература для подготовки к вступительным испытаниям 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. Л. П. Ануфриев, С. В. Бордусов, Л. И. Гурский и др. Технология изделий интегральной электроники. Минск «Амалфея» 2010г. Березин В. С., Мочалкина О. Р. Технология и конструирование ИМС. – М., 1986. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбулов Ю. И. Микроэлектроника. – М., 1986. Черняев В. И. Технология производства ИМС и микропроцессоров. – М., 1987. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы, материалы, приборы, изготовление. –М.: Мир, 1985. Коледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. – М.: ООО «Лань-пресс», 2008. Михеева Е. В. Информационные технологии в профессиональной деятельности. Минск, Издательский центр «Академия», 2008. Синаторов С. В. Информационные технологии. – М.: Инфа-М, 2009. Безручко В. Т. Информатика: учебное пособие.– Минск, ИД «Форум», Инфа-М, 2007. Информатика: Базовый курс / Симонович С. В. И др.- СПб: Питер, 2008. Колмыкова Е. А., Кумский И. А. Информатика: учебное пособие для студ. сред. сроф. образование – 2-е изд., стер.- Минск, Издат. Центр «Академия», 2009. Михеева Е. В. Практикум по информатике. – Минск, Издат. Центр «Академия», 2008. Виглеб З.Г. Датчики. – Мир, Москва, 1989. – 196с. КРИТЕРИИ И ПОКАЗАТЕЛИ ОЦЕНКИ результатов письменного ответа на отдельный вопрос экзаменационного билета «Технология производства электронных устройств» поступающих на сокращенную форму получения образования на специальности 1- 41 01 01 «Технология материалов и компонентов электронной техники», 1- 38 01 04 «Микро- и наносистемная техника» в Белорусский национальный технический университет в 2013г. Отметка в баллах 0 (ноль) 1 (один) 2 (два) Показатели оценки Отказ от ответа. Нет ответа; неполное (до 30%) изложение материала с многочисленными существенными ошибками (есть ответ, но не по существу вопроса, т.е. ответ по другому вопросу программы предмета). Частичный (или поверхностный) ответ по существу вопроса, без существенных ошибок; полный ответ по существу вопроса, но с существенными ошибками или отсутствуют необходимый формулы, графики, рисунки и их пояснения. Осознанное воспроизведение большей части программного учебного материала, наличие несущественных ошибок. Полный ответ по существу вопроса, с необходимыми формулами, графиками, рисунками и их пояснениями, но без существенных ошибок. Полное системное знание и изложение учебного материала, описание, как основ, так и деталей рассматриваемой темы, отсутствие ошибок по существу вопроса. Экзаменационный билет содержит 5 вопросов. После оценивания каждого экзаменационного вопроса производится суммирование оценок и выставление итоговой оценки по экзаменационному билету. Председатель предметной комиссии Ответственный секретарь приемной комиссии В. А. Сычик Н.М.Голубев