ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский технический университет связи и информатики Волго-Вятский филиал ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА «Электроника» Исследование усилительного каскада на биполярном транзисторе для студентов по направлению «Телекоммуникации» Нижний Новгород 2009 ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Исследование усилительного каскада на биполярном транзисторе Составитель Ю.М. Туляков. Издание одобрено на заседании кафедры «___» _____________ 200__ г. Протокол № ____ Цель работы: Измерение параметров простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе при включении с общим эмиттером. 1. Подготовка к выполнению работы: Изучить литературу [1] В работе исследуется простейший усилительный каскад на биполярном транзисторе при включении с общим эмиттером рис. 3.1. +ЕК RБ RК Вх Б СБ Вых К Э ~ UГ СК RГ RЭ Рис. 3.1 Транзистор работает в активном режиме. Резисторы RБ и RK задают режим работы по постоянному току. При этом с помощью RБ регулируется величина постоянной составляющей тока базы I Б 0 E K U БЭ 0 E K , RБ RБ (3.1) а следовательно и тока коллектора I K 0 I Б 0 I КЭО I Б 0 . (3.2) Резистор RK предотвращает замыкание переменной составляющей тока коллектора через источник питания. Желательно иметь RK>>RН. Одновременно величина RK влияет на постоянную составляющую напряжения на коллекторе, т.к. U КЭ 0 E K I K 0RK . (3.3) При известных EK и RK рабочая точка транзистора по постоянному току может быть задана не двумя, а одним параметром, IБ(0) или IK(0)или UКЭ(0). Для измерений удобнее использовать UКЭ(0). Для того, чтобы источник сигнала uГ и нагрузка не влияли на режим работы транзистора по постоянному току, включены разделительные UБЭ(0) конденсаторы СБ и СК имеющие в рабочем диапазоне частот малые сопротивления. Для расчета основных параметров усилительного каскада могут быть использованы формулы: R ВХ r ' Б h21Э rЭ K U h21Э R НЭ R ВХ ; K h 21Э 1 R ВЫХ R K где RНЭ (3.4) RK RH u 26 мВ ; rЭ Т . RK RH I Э 0 I K 0 При наличии резистора отрицательную обратную связь, в RЭ цепи эмиттера, создающего RВХ .ОС h21Э RЭ ; RНЭ K U . ОС RЭ (3.4) 2. Задание на выполнение лабораторной работы: 2.1. Задание режима работы транзистора по постоянному току. 2.1.1. Собрать схему рис. 3.2 (это часть схемы усилительного каскада рис.3.1, определяющего рабочую точку транзистора). +Е1 +Е2 RБ RК IК(0) IБ(0) UБЭ(0) UКЭ(0) Рис. 3.2 2.1.2 Задание Установить: Е2 =10В RK =3,3к RБ =10-56к Подключить вольтметры для измерения постоянных напряжений U БЭ 0 , U КЭ 0 . 2.1.2. Изменяя величину Е1, выбрать рабочую точку транзистора так, чтобы U КЭ 0 Е2 5В (*). 2 --------------------------------------------------------------------------------------(*) В реальных схемах выбирают Е1 = Е2 и подбирают величину RБ . Измерить напряжение U БЭ 0 рассчитать постоянные составляющие токов Е1 U БЭ 0 RБ Е U КЭ 0 I К 0 2 RК I Б 0 базы и коллектора (3.6) (3.7) и статический коэффициент передачи тока базы I K 0 I Б 0 (3.8) Результаты измерений и расчетов занести в таблицу 3.1. 2.1.3. Повторить измерения и расчеты по п.2.1.2 для двух других рабочих точек U КЭ 0 = 0,25E2 и U КЭ 0 = 0,75E2. UКЭ(0), В Е1 UБЭ(0), В IБ(0), мА IК(0), мА β 2,5 5 7,5 Таблица 3.1. Формула 3.6 3.7 3.8 2.2. Измерение основных параметров усилительного каскада. 2.2.1. Собрать схему рис. 3.3 (дополнить схему собранную в предыдущем пункте). 2.2.2. Установить рабочую точку UКЭ(0) = 0,5Е2 (см. п. 2.1.2). 2.2.3. Перевести вольтметры в режим измерения переменных напряжений. Подключить ко входу и выходу Схемы осциллограф. Подать от генератора сигналов синусоидальное напряжение с частотой f=1000Гц и амплитудой Uгm, такой величины чтобы получить на выходе переменное напряжение с амплитудой Uвых.m = Uкэm =1–2B +Е1 +Е2 RБ СБ CБ=СК=10,0мкФ RH=1кОм RК Iвх.m СК RГ=10кОм Iк.m RH Iвых.m Uвх.m RГ ~ Uвых.m UГ(t) Рис. 3.3 С помощью осциллографа убедиться в отсутствии искажений сигнала. Убедиться, что усилительный каскад инвертирует фазу выходного напряжения относительно входного. Измерить амплитуды переменных напряжений на входе Uвх.m=Uбэm, на выходе Uвых.m=Uкэm и (переключив вольтметр) на выходе генератора Uгm. Результаты измерений занести в таблицу 3.2. 2.2.4. Рассчитать амплитуды переменных составляющих входного I Бm I вх.m U Гm U БЭm U Гm , RГ RГ (3.9) и выходного токов I вых.m U КЭm , RH (3.10) а также переменной составляющей тока коллектора I к .m U КЭm . RНЭ (3.11) Рассчитать измеренные значения коэффициентов усиления по напряжению KU U КЭm , U БЭm (3.12) KI I вых.m , I вх.m (3.13) Rвх U вх.m , I вх.m (3.14) по току входного сопротивления и дифференциального коэффициента передачи тока базы h21Э I Km . I Бm (3.15) Результаты занести в таблицу 3.2. 2.2.5. Использовав измеренное значение для дифференциального коэффициента передачи тока базы h21Э , рассчитать и занести в таблицу 3.2. теоретические значения коэффициента усиления по напряжению (3.2) и входного сопротивления (3.1). (Принять r’Б = 100 Ом). UКЭ(0), В UГm Uвх.m Uвых.m Iвх.m Iвых.m IК.m КI h21Э Rвх, кОм 0,25 Е2 0,5 Е2 0,75 Е2 Таблица 3.2. Формула 3.9 3.10 3.11 3.13 3.15 измер. 3.14 расч. 3.4 Измер. 3.12 расч. 3.2 КU 2.2.6. Повторить измерения и расчеты по пунктам 2.2.2-2.2.5 для двух других рабочих точек UКЭ(0) = 0,25Е2 2.2.7. Построить график зависимостей (по трем точкам UКЭ(0) = 0,75 Е2), и h21Э f I K 0 Построить теоретические и экспериментально измеренные зависимости Rвх f I K 0 KU f I K 0 K I f I K 0 Значения IK(0), соответствующие напряжениям UКЭ(0), взять из таблицы 3.1 2.3. Анализ влияния внешней нагрузки на работу усилительного каскада. Пользуясь результатами измерений по п.п. 2.2.2-2.2.4 и формулами 3.2 и 3.4 рассчитать значения коэффициентов усиления по напряжению КU при RH= 0,1; 1; 3,3; 4,7; 10 кОм. Построить график зависимости KU f RH . +15В Е1 – 3,3кОм C1 Ген НЧ Rк Rб 10кОм 1:100 Е3 – + VT PV2 10мкФ PV1 Rэ Схема 1 +15В – + Е1 – 3,3кОм C1 C1 VT + Ген НЧ 1:100 Rк Rб 10кОм Е3 PV2 10мкФ PV1 100Ом Rэ Схема 2 C1 Rн Рис.2. Схема соединения +15В – + Е1 – 3,3кОм C1 Ген НЧ 1:100 Rк C1 Rб 10кОм Е3 VT PV2 1мкФ PV1 Rэ Схема 3 C1 C Rн +15В – 1кОм Е3 Rк + Е1 – 3,3кОм Rб 10кОм C1 Ген НЧ 1:100 C1 Rк VT PV2 1мкФ PV1 Схема 4 Rб=10 кОм, Rк=3,3 кОм, Rэ=100 Ом, Uвх=0,1 В (для схемы 1) f, 0,04 0,06 кГц Uвых, В 0,1 0,2 0,4 0,7 1 2 4 7 10 20 40 70 100 Rб=10 кОм, Rк=3,3 кОм, Rэ=100 Ом, Cэ=1 мкФ Uвх=0,01 В (для схемы 2) f, 0,04 0,06 кГц Uвых, В 0,1 0,2 0,4 0,7 1 2 4 7 10 20 40 70 100 Rб=10 кОм, Rк=3,3 кОм, Rэ=1 кОм, Cк=1 мкФ Uвх=0,01 В (для схемы 3) f, 0,04 0,06 0,1 0,2 0,4 0,7 1 2 4 кГц Uвых, В Rнагрузки = 100 Ом, 1 кОм, 3,3 кОм, 10 кОм 7 10 20 40 70 100 Rб=10 кОм, Rк=3,3 кОм, Rк=1 кОм, Cк=1 мкФ Uвх=0,01 В (для схемы 4) f, 0,04 0,06 кГц Uвых, В 0,1 0,2 0,4 0,7 1 2 4 7 10 20 40 70 100 3. Содержание отчета (оформляется в соответствии с требованиями приложения по работе с лабораторным стендом ВВФ МТУСИ): 1. схемы измерений; 2. таблицы и графики полученных результатов; 3. результаты расчетов. Литература: 1. Конспект лекций «Электроника и основы схемотехники». – ВВФ МТУСИ, 2008. Контрольные вопросы