Загрузил Мария Дитенбир

Шаблон реферата (1)

реклама
Шаблон реферата
Часть 1
Объём части 1 не должен превышать 19 000 знаков без пробелов
1. Цифровые сигналы. Общие сведения, представление в параллельной и
последовательной формах. Представление цифровых сигналов потенциалами.
2. Пассивные компоненты электрических цепей: конденсатор, резистор –
определение, назначение, устройство, основные параметры(без
электролитических, танталовых и др. конденсаторов).
3. Электровакуумный диод: принцип работы.
4. Электровакуумный триод: принцип работы.
5. Электронно-лучевые трубки(общие сведения).
6. Энергетические уровни и зоны. Проводники, полупроводники и диэлектрики
7. Собственная проводимость полупроводников
8. Распределение электронов по энергетическим уровням.
9. Примесная проводимость полупроводника: донорные примеси
10. Примесная проводимость полупроводника : акцепторные примеси
11. Диффузия носителей зарядов в полупроводниках(чем обусловлена,
формула для плотности тока)
12. Дрейф носителей зарядов в полупроводниках(чем бусловлен,
формула для плотности тока)
13. Электронно-дырочные р-n переходы в отсутствии напряжения.
14. Прямое включение р-n перехода
15. Обратное включение р-n перехода
16. Вольт-амперная характеристика перехода (формула, график)
17. Виды пробоев р-n перехода
18. Ёмкость р-n перехода
19. Контакт «металл – полупроводник»
Часть 2
Объём части 2 не должен превышать 28 000 знаков без пробелов
1. Полупроводниковые диоды. Общие сведения. Вольт-амперная
характеристика выпрямительного диода и её основные параметры.
2. Переходные процессы в импульсном диоде.
3. Структура и основные режимы работы биполярного транзистора.
4. Физические процессы в биполярном транзисторе. разобрать( написано)
5. Схемы включения биполярных транзисторов и основные параметры этих
схем. разобрать(написано)
6. Полевые транзисторы. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом
(устройство и принцип работы). разобрать(написано)
7. Схемы включения полевых транзисторов.
8. Основные параметры полевых транзисторов.
9. Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным
каналом(устройство и принцип работы).
10. Полевой транзистор с индуцированным (инверсным) каналом(устройство и
принцип работы).
11. Ячейка памяти на основе полевого транзистора с плавающим
затвором(устройство и принцип работы).
12. Ключевой режим работы транзистора.
13. Переходные процессы переключения транзистора в режиме ключа.
14. Триггеры (общие сведения). Пример простейшего триггера на
транзисторах(схема и принцип работы).
15. Схема симметричного триггера на транзисторах, принцип работы.
16. Типы триггеров и их характеристики.
17. Мультивибраторы.
18. Базисные логические функции ИЛИ, И, НЕ.
19. Базисные логические функции И-НЕ, ИЛИ-НЕ.
20. Схемотехническая реализация логических элементов.
20.1. Логический элемент НЕ(схема и принцип работы).
20.2. Базовый логический ТТЛ-элемент И-НЕ(схема и принцип работы).
20.3. Базовый элемент ИЛИ-НЕ(схема и принцип работы).
21. Базовые элементы на основе КМОП-логики (CMOS).
21.1. КМОП инвертор.
21.2. Базовый элемент И-НЕ на основе КМОП-логики.
22. Примеры цифровых интегральных схем.
22.1. Общие сведения.
22.2. Технология изготовления микросхем.
22.3. Сумматоры(схема и принцип работы).
22.4. Регистры(схема и принцип работы).
P.S.: подчёркнуты названия разделов, которым при реферировании нужно
уделить особое внимание. Но особенно важный раздел в этой части – ключевой
режим работы транзистора. Среди триггеров наиболее важный – D-триггер.
Сумматоры и регистры – наиболее важные разделы во всём курсе лекций.
Суммарный объём реферата не должен превышать 47 000 без пробелов.
Скачать