Министерство науки и высшего образования РФ Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «СИБИРСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ» Институт инженерной физики и радиоэлектроники Кафедра «Радиоэлектронные системы» КУРСОВОЙ ПРОЕКТ Проектирование широкополосного усилителя Вариант 38 Преподаватель: __________________ подпись, дата Григорьев А. Г. Студент ВЦ18-02АСУ: __________________ подпись, дата Буравлева М.Э. Красноярск 2021 1 СОДЕРЖАНИЕ Техническое задание .....................................................................................................................3 Анализ технического задания ......................................................................................................4 Разработка схемы электрической функциональной (Э2) ..........................................................5 Разработка схемы электрической принципиальной (Э3) ..........................................................8 Расчёт выходного каскада ............................................................................................................8 Режим работы промежуточного каскада ...................................................................................15 Расчет эквивалентной схемы транзистора (VT 2) для промежуточного каскада .................16 Расчет эквивалентной схемы транзистора (VT 1) для промежуточного каскада .................18 Расчет промежуточного каскада ................................................................................................20 Расчет входного каскада .............................................................................................................22 Расчет истокового повторителя .................................................................................................24 Анализ спроектированного устройства .....................................................................................26 Список литературы ......................................................................................................................27 Приложение А. Общая схема широкополосного усилителя ...................................................27 Приложение Б. АЧХ усилителя .................................................................................................30 2 Техническое задание Рассчитать усилитель гармонических сигналов, удовлетворяющий следующим условиям: ЭДС входного сигнала: E = 6 мВ. Активное сопротивление нагрузки: RND = 50 Ом. Частотные искажения (НЧ): MN = 1,5 дБ. Частотные искажения (ВЧ): МV = 1,8 дБ. Минимальная рабочая температура: TN = 0 С. Максимальная рабочая температура: ТV = 45 С. Внутреннее сопротивление источника: RIST = 500 Ом Нижняя граничная частота: fN = 10 Гц. Верхняя граничная частота: fV = 4 МГц. Входное сопротивление: RVH = 100 кОм. Амплитуда выходного сигнала: UVIH = 5 В. Нелинейные искажения: КG = 12 % Допустимая нестабильность усиления: δ K = 10 % 3 Анализ технического задания В связи с необходимостью получения не очень большого значения граничной верхней частоты и низким сопротивлением нагрузки требуется использовать при проектировании усилителя в выходной цепи каскада с общим эмиттером, который является высокочастотным и стабилизирует коэффициент усиления за счет эмиттерной коррекции. При расчёте усилителя требуется согласовать выходное сопротивление усилителя с сопротивлением нагрузки, подключаемой через коаксиальный кабель. Сопротивление нагрузки низкое, это значит, что предоконечный каскад нужно выполнить на интегральной микросхеме с малым выходным сопротивлением. Для этого подойдёт микросхема К265УВ7. Так как требуется согласование входного сопротивления усилителя с внутренним сопротивлением источника сигнала, то в качестве входного каскада используется такой же каскад, как и промежуточный. Необходимость получения высокого входного сопротивления требует установки на вход истокового повторителя. 4 Разработка схемы электрической функциональной (Э2) 1. Задаваясь коэффициентом запаса КЗ = 1.5, определяем расчётный коэффициент усиления: 5 500 1,5 1 3 0, 005 100 10 3 3 1, 25 10 (1 5 10 ) 1256, 25 Ом Kp R E вых К З 1+ ИСТ E вх R ВХ 2. Необходимое число каскадов при Km = 40 оказывается равным 3 N ln( K p ) ln(1256, 25) 2.57 3 ln 16 Km ln 2 3. Определим требования к отдельным каскадам Коэффициент усиления каскада Ki N K p 1256, 25 10.79 Коэффициент частотных искажений на нижних частотах M Нi =10 Mн N*20 10 1.5 4*20 1.044 дБ Коэффициент частотных искажений на верхних частотах M Вi =10 Mв N*20 10 1.8 4*20 1.053 дБ Нестабильность усиления в каждом каскаде: 4. Глубина обратной связи, необходимая для получения заданного усиления: A 1 K Km 40 3.707 K i 10.79 Из графика (рис. 1) по заданной кривой 2 находим проигрыш в площади усиления по сравнению с простой параллельной коррекцией. K ` 0.73 5 Рис. 1. Потери площади усиления при эмиттерной коррекции по сравнению с простой коррекцией Выигрыш, обеспечиваемый простой параллельной коррекцией при заданных частотных искажениях на высоких частотах МВi, определим из графика (рис. 1). γ`к 2, 28 Рис. 2. Выигрыш площади усиления при простой параллельной коррекции Окончательно выигрыш в площади усиления при эмиттерной коррекции: 1+(γ`к-1) K` 1 (2.28 1) 0.73 1.934 Рассчитаем необходимую верхнюю граничную частоту каждого каскада без коррекции: f Вi = fВ M Вi 2 -1 4 106 1.0532 1 12,15МГц 6 С коррекцией: f Вi = fВ M Вi 2 -1 4 106 1.934 1.0532 1 6, 286МГц Тогда площадь усиления: Пi =K i f Вi 6, 286 10, 79 106 67,83МГц с коррекцией Пi =K i f Вi 12,15 10, 79 106 131, 09МГц без коррекции Такая площадь усиления может быть обеспечена усилительной секцией ОЭ-ОБ с применением эмиттерной коррекции. В качестве усилительного элемента целесообразно использовать ИС К265УВ7. Рис. 3. Схема электрическая функциональная 7 Разработка схемы электрической принципиальной (Э3) Расчёт выходного каскада Тип выходного каскада усилителя зависит от величины сопротивления нагрузки. При низкоомной согласованной нагрузке выходной каскад выполняется по схеме с общим эмиттером на достаточно мощном транзисторе Рис. 4. Схема выходного каскада 1. По условиям технического задания сопротивления коллектора равно сопротивлению нагрузки R k =R H 50 Ом 2. Сопротивление нагрузки транзистора RН RНД RК RНД RК 50 50 25 Ом 50 50 3. Необходимо обеспечить ток IК EВЫХ 5 0, 2 А RН 25 4. Постоянная составляющая тока I К 1,5 I К 300 мА 5. Напряжение питания 8 ЕК ( I К I К ) RК EВЫХ U ОСТ U Э (0,3 0, 03) 50 5 5 2 5,37 28,87 Ближайшее типовое значение 36В 6. Ток коллектора задаёт сопротивление в цепи эмиттера RЭ 0 U э 5,37 17,9 Rос Rдоп 17,9 Ом I к 0,30 Rдоп 17,9 2, 02 15,88 Ом 7. Напряжение коллектор-эмиттер U кэ E I K RK U Э 36 0,3 50 5,37 15, 63 Ом 8. Выбор транзистора U 15, 63 U доп КЭ 17,37 В 0,8 0,8 I К I К : 0,3 0, 2 0,55 А I Кдоп 0,8 0,8 I К U КЭ 0,3 15, 63 5, 21 Вт Pкдоп 0,9 0,9 Данным параметрам соответствует транзистор КТ907А Его параметры: βmin=20, СК=20пФ, Uкmax=60 βmax=80, СЭ=280 пФ, Iкmax=1 τОС=15 пс, Iки=0,4 Pкmax=1 ξ=2 Δr=0,2 П=250 rК=10 кОм, Uки=0,4 fГР=350 МГц. Iк0=500 мкА Расчет эквивалентной схемы транзистора 1. тип мин мак 20 80 40 2. rБ ' Б ОС СК 2 15 1012 1,5 Ом 20 1012 9 3. rБ ' Э ( тип 1)(r 25, 2 103 25, 2 103 ) 41 (0, 2 ) I кр 0,3 8, 284 Ом 4. rБ ' К 2rК 20 кОм 5. СЭБ СЭ К U Э 0,82 2 280 1012 1,36 нФ К - U БЭ 0,82 0, 7 2 f mспр fT I кизм I краб 1 2 f mспр Сэб 25, 2 10 I I кизм краб 6. 2 350 106 658 МГц 6 9 3 0, 4 0,3 1 2 350 10 1,36 10 25, 2 10 0, 4 0,3 3 7. Б 'Э 8. СБЭ ( тип 1) 41 99 мкс 2 f m 6, 28 394 106 бэ 0,99 104 11,95 мкФ rбэ 8, 284 9. СБК 0,5 Сk 3 10. S 11. П 1 rбэ U kизм 28 0,5 20 1012 3 13,38 пФ U кр 15,63 41 4,95 8, 284 fm RН 25 658 106 RГ rББ 1 2 f m RH C бк (16 1,5) (1 6, 28 658 106 25 13,38 1012 394 МГц Рис. 5. Эквивалентная схема транзистора 1. Входное сопротивление транзистора с учётом обратной связи: 10 RВХТР 3 RН 25 40 92, 69 Ом Кi 10, 789 Величина сопротивления эмиттерной обратной связи: RЭ RВХТР rБ ' Б rБ ' Э 92, 69 1,5 8, 284 2, 02 Ом 40 1 1 Для определения нестабильности усиления каскада найдём 2. большее из относительных приращений коэффициентов передачи по току: 4 103 tmax 20 4 103 45 20 0,117 3 3 4 10 t 20 4 10 0 20 0, 094 min rБ ' Э 8,3 RЭ 16 1,5 2, 02 1 41 0,1175 0, 0213 RЭ 16 1,5 8,3 2, 02 41 rБ ' Э 1 RГ rБ ' Б К 1 RГ rБ ' Б 3. ВЧ коррекция Постоянная времени каскада: В Ki 10, 789 4.36 нc 2 П 2 394 106 Постоянная времени корректируемого звена: 4 12 ( RГ rБ ' Б ) БЭ Rн Сбк (16 1,5) 0,99 10 40 25 13,38 10 0 RГ rБ ' Б rБ ' Э RЭ ( 1) 16 1,5 8, 284 2, 02 41 17,5 99 106 13,38 109 25, 784 82,82 15,955 106 Коэффициент коррекции определяется соотношением 2 Kopt 2 4.36 109 1 В 1 1 1 1 0, 747 104 1 3, 735 106 6 15,955 10 0 Величина корректирующей емкости, при заданном ранее Cкор 0 RЭ 0,9 KОПТ 15,955 106 0,9 3.735 106 26,551 пФ 2, 02 11 КК 0,9 : К ОПТ Типовое ближайшее значение Cкор 27 пФ 4. НЧ область Эквивалентная постоянная времени каскада на нижних частотах: Н 1 2 f Н М Нi 2 1 1 2 3,1415 10 1.0442 1 53, 07 мс Рис. 6. Номера каскадов для расчета емкостей №1 Р р н э э н Ср Р RЭНр 1 2 р 1 2 р 1 1 2 э 1 1 0, 075 2 0,5 0,52 0,5 0.053 2 э 0,5 0.053 1 1 0, 075 2 0,5 0,52 0.075 RЭНр Rк Rнд 100 Ом 750, 66 мкФ 100 Типовое значение С р 750 мкФ Сэ э RЭНэ Rвыхтр Rбсв 1 1 590 16 RЭНэ Rэ (rбб1 rбэ1 2, 02 (1,5 8, 284 ) 2, 64 Ом 1 Rвыхтр Rбсв 41 590 16 0.075 28, 43 мФ 2, 64 Типовое значение Сэ 30 мФ №2 12 Р р н э01 э н э02 э н Ср Р RЭНр 1 2 р 1 2 р 1 1 2 р 2 э 01 1 2 э 01 1 2 э 01 1 2 э 02 1 2 э 02 1 2 э 02 1 53, 07 103 1 1 1 2 159, 21103 2 2 0,5 0,5 1 0,5 53, 07 103 1 1 1 2 79, 605 103 2 2 0,5 0,5 1 0,5 53, 07 103 1 1 1 2 79, 605 103 2 2 0,5 0,5 1 RБсл RВХтр R1 R2 RВХтр 2 Rк1 590 RЭНр RИСТ RБсл RВХтр R1 R2 RВХтр 2 1071, 43 4300 1447, 71 Ом 1071, 43 4300 0.159 1, 099 104 Ф 1447, 7 Типовое значение С р 0,11 мкФ Сэ э RЭНэ Rвыхтр Rбсв 1 (rбб1 rбэ1 RЭНэ Rэ 1 Rвыхтр Rбсв 1 590 1071, 43 ) 57, 7 Ом 45 (160 490, 67 81 590 1071, 43 0.0796 1,38 мФ 57, 7 Типовое значение Сэ 1, 5 мФ RЭНэ R4 (rбб 2 rбэ 2 R4 R7 ) 680 (160 405 680 590) RЭНэ 1, 248 106 Ом 0.0796 63, 79 109 Ф 6 1, 248 10 Сэ э2 Типовое значение Сэ 68 нФ №3 Р р н э01 э н 1 2 р 1 2 р 1 2 э 01 1 2 э 01 1 2 э 02 1 2 э 02 1 53, 07 103 1 1 1 2 159, 21103 2 2 0,5 0,5 1 0,5 53, 07 103 1 1 1 2 79, 605 103 2 2 0,5 0,5 1 13 э02 э н Ср 1 2 р 1 2 э 01 1 2 э 02 1 1 1 2 79, 605 103 2 2 0,5 0,5 1 0,5 53, 07 103 RИСТ RБсл RВХтр 16 R1 R2 RВХтр RЭНр 2 R R 2 R R R Бсл ВХтр 1 2 ВХтр 1071, 43 5023,5 891,1 Ом 8 1071, 43 5023,5 Р RЭНр 0.159 0,178 103 Ф 891,1 Типовое значение С р 180 мкФ Сэ1 Rист / 2 Rбсв 1 RЭНэ Rэ 1 (rбб1 rбэ1 R / 2 R ист бсв 1 8 1071, 43 54 81 (160 490, 67 8 1071, 43 ) 62,1 Ом э1 RЭНэ 0.0796 1, 28 мФ 62,1 Типовое значение Сэ 1, 3 мФ Сэ 2 RЭНэ R4 (rбб 2 rбэ 2 R4 R7 ) 680 (160 405 680 590) 6 1, 248 10 Ом э2 RЭНэ 0.0796 63, 79 109 Ф 6 1, 248 10 Типовое значение Сэ 68 нФ №4 Р р н Ср Р RЭНр 1 2 р 2 53, 07 103 1 53, 07 103 2 2 0, 053 RЭНр Rзатвора 200 кОм 2, 65 107 Ф 3 200 10 Типовое значение С р 270 нФ 14 Режим работы промежуточного каскада Рис. 7. Принципиальная схема ИС К265УВ7 Номиналы навесных элементов R1=10 кОм R4=680 Ом R7=590 Ом С1=15 нФ R2=1.2 кОм R5=30 Ом R8=520 Ом С2=15 нФ R3=510 Ом R6=100 Ом Rd=160 Ом С3=15 нФ Расчет режима работы транзистора 1. I потр 11 mA 2. E Ek I потр R6 12,6 11103 102 11,5 В 3. ЕБ1 Е 4. RБ R2 1, 2 103 11,5 1, 23 В R1 R2 1, 2 103 10 103 R1 R2 1, 2 103 10 103 1, 07 103 В 3 3 R1 R2 1, 2 10 10 10 15 С4=15 нФ 5. I к1 ЕБ1 U бэ 1, 23 0, 6 4,16 103 А 3 RБ RЭ 0 1, 07 10 138 80 U Э1 RЭ 0 I K 1 138 4,16 103 0,58 В 6. U К 1 3, 2 В U КЭ1 2, 6 В 7. E R7 ( I K1 I K 2 ) R4 I K1 U БЭ 2 I K 2 R8 8. I K 2 E U БЭ 2 I K 1 ( R7 R4 ) 12, 6 0, 6 4,16 103 (590 680) 5,1 mA R7 R8 590 510 9. U Э 2 R8 I K 2 2, 7 В 10. U K 2 E R7 I K 2 R7 I K 1 6, 01 В 11. U KЭ 2 U K U Э 3,3 В 12. I Kпотр 4, 2 5,1 9,3 mA Расчет эквивалентной схемы транзистора промежуточного каскада КТ307Б Его параметры: βmin=40, СК=4,5 пФ, Uкmax=10 βmax=160, СЭ=4,7 пФ, Iкmax=0,02 τОС=500 пс, Iки=0,05 ξ=15 Δr=0 rК=300 кОм, Uки=2 fГР=250 МГц. Iк0=0,5 мкА Pкmax=0,015 П=70 Расчет эквивалентной схемы транзистора 1. тип мин мак 40 160 80 2. rБ ' Б 3. rБ ' Э ОС СК 1,5 500 1012 160 Ом 4, 7 1012 25, 2 103 25, 2 103 ( тип 1)(r ) 81 (0 ) 405 Ом I кр 5,1103 16 (VT 2) для 4. rБ ' К 2rК 600 кОм 5. СЭБ СЭ К U Э 0,82 1 4,5 1012 17,52 пФ К - U БЭ 0,82 0, 7 2 f mспр fT I кизм I краб 1 2 f mспр Сэб 25, 2 10 I I кизм краб 6. 2 250 106 5 108 500 МГц 1 0, 0338 109 6 12 3 0,5 0,51 1 2 250 10 21,8110 25, 2 10 0,5 0,51 3 7. Б 'Э 8. СБЭ ( тип 1) 81 25,8 нс 2 f m 6, 28 250 106 бэ rбэ 25,8 109 63, 7 пФ 405 9. СБК 0,5 Сk 3 10. S 11. П 1 rбэ U kизм 2 0,5 4, 7 1012 3 2,126 пФ U кр 2, 7 81 303 mA В 266,82 fm RН 50 250 106 RГ rББ 1 2 f m RH C бк (16 160) (1 6, 28 250 106 50 2,126 10 12 60,86 МГц 17 Расчет эквивалентной схемы транзистора (VT 1) для промежуточного каскада КТ307Б Его параметры: βmin=40, СК=4,5 пФ, Uкmax=10 βmax=160, СЭ=4,7 пФ, Iкmax=0,02 τОС=500 пс, Iки=0,05 ξ=15 Δr=0 rК=300 кОм, Uки=2 fГР=250 МГц. Iк0=0,5 мкА Pкmax=0,015 П=70 Расчет эквивалентной схемы транзистора 1. тип мин мак 40 160 80 2. rБ ' Б 3. rБ ' Э ОС СК 1,5 500 1012 160 Ом 4, 7 1012 25, 2 103 25, 2 103 ( тип 1)(r ) 81 (0 ) 490, 67 Ом I кр 4,16 103 4. rБ ' К 2rК 600 кОм 5. СЭБ СЭ К U Э 0,82 1 4,5 1012 17,52 пФ К - U БЭ 0,82 0, 7 2 f mспр fT I кизм I краб 1 2 f mспр Сэб 25, 2 10 I I кизм краб 6. 2 250 106 5 108 499,86 МГц 1 0, 00028 6 12 3 0,5 0, 416 1 2 250 10 17,52 10 25, 2 10 0,5 0, 416 3 7. Б 'Э 8. СБЭ ( тип 1) 81 25,8 нс 2 f m 6, 28 250 106 бэ rбэ 25,8 109 52,588 пФ 490, 67 18 9. СБК 0,5 Сk 3 10. S 1 rбэ U kизм 2 0,5 4, 7 1012 3 2,3 пФ U кр 3, 2 81 165 mA В 490, 67 fm RН 50 250 106 П RГ rББ 1 2 f m RH C бк (16 160) (1 6, 28 250 106 50 2,126 10 12 11. 60,86 МГц 19 Расчет промежуточного каскада 1. Требуемое входное сопротивление RВХТР 2 RВХТР 3 R4 680 92, 69 233, 68 103 2 80 4300 Ом Кi RВХТР 3 RВЫХ 2 10, 789 92, 69 16 108, 69 RВЫХ 2 16 Ом 2. Величина сопротивления эмиттерной обратной связи: Rос RВХТР rБ ' Б1 rБ ' Э1 4300 160 490, 67 45, 05 Ом 1 80 1 3. Rг 16 Ом 1 ( RГ rБ ' Б1 ) Б ' Э1 (16 160) 25,8 109 176 25,8 10 9 1, 052 109 RГ Rвхтр 2 16 4300 4316 R н 4. 2 ( Б ' Э 2 Rк 2 Cбк 2 ) R Rн Rвхтрокон к2 (25,8 109 80 590 2,126 10 12 ) 5. fв 1 2 12 22 92, 7 0, 25 10 9 80 590 1 2 (1, 052 109 )2 (0, 2477 109 )2 в 12 22 1,168 1018 1, 081109 6. П ki f в 10, 789 147, 23 106 1588 106 Расчет дополнительных сопротивлений 20 1 2 1,168 1018 147 МГц 510 (30 Rx ) Roc 45, 05 510 (30 Rx ) 45, 05 510 (30 Rx ) 45, 05 540 45, 05 Rx 510 (30 Rx ) Rx 19,94 Ry 160 19,94 140, 06 21 Расчет входного каскада 1. Требуемое входное сопротивление RВХТР1 R4 RВХТР 2 680 4300 80 5023,5 Ом Кi RВХТР 2 RВЫХ 1 10, 789 4300 16 RВЫХ 1 16 Ом 2. Величина сопротивления эмиттерной обратной связи: Rос RВХТР rБ ' Б1 rБ ' Э1 5023,5 160 490, 67 53,99 Ом 1 80 1 3. Rг Rвыхистповт 121 Ом 1 ( RГ rБ ' Б1 ) Б ' Э1 (121 160) 25,8 109 1, 41109 RГ Rвхтр1 121 5023,5 4. 2 ( Б ' Э 2 Rк 2 Cбк 2 ) Rвхтр 2 Rк 2 (25,8 109 80 590 2,126 10 12 ) 5. fв 1 2 2 1 2 2 4300 11,35 10 9 80 590 1 2 (1, 4110 ) (11,35 109 ) 2 9 2 13,9 МГц в 12 22 (1, 41109 )2 (11,35 109 ) 2 1,144 108 6. П ki f в 10, 789 13,9 106 150,12 106 Расчет дополнительных сопротивлений 22 510 (30 Rx ) Roc 53,99 510 (30 Rx ) 53?99 510 (30 Rx ) 53,99 540 53,99 Rx 510 (30 Rx ) Rx 30, 4 Ry 160 30, 4 129, 6 23 Расчет истокового повторителя Рис. 8. Схема истокового повторителя Сзи 5 пФ Сзс 0, 7 пФ S (5, 2 10,5) mA В I сизм 5 mA Сопротивление в затворе Rзат Rвхтз Rзат1 Rзат 2 100 кОм Rзат1 Rзат 2 Сопротивление в истоке Rист Eпит 12, 6 1, 26 кОм 2 I c 2 5 103 типовое Rист 1, 2 кОм Параметры транзистора в рабочей точке: S Smin Smin 5, 2 10,5 7, 4 mA В Ri 1,6 Riспр 1,6 50 80 кОм Сзи 0, 63 Сзиспр 0, 63 5 3,15 пФ Сзс 0, 63 Сзиспр 0, 63 0, 7 0, 44 пФ Выходное сопротивление: 24 Rвых Rист 1200 121 Ом 1 S Rист 1 0, 0074 1200 Cопротивление нагрузки повторителя: Rн 1 Rвхтрсл 1 1 509, 684 Ом 1 1 1 1 1 Rист Rбсл 5023,5 1, 2 103 R1 R2 R1 R2 Коэффициент передачи: K S Rн 7, 4 509, 7 0,99 1 S Rн 1 7, 4 509, 7 Входная ёмкость Свх С м Сзи (1 к ) Сзс 3,15пФ(1 0,99) 0, 44пФ 0, 47 пФ Постоянная времени: вх Rист Свх 1, 2 103 0, 47 1012 0,564 нФ 25 Анализ спроектированного устройства В результате выполнения курсового проекта по проектированию широкополосного усилителя, согласно требованиям технического задания, был успешно спроектирован усилитель. Температурная стабильность параметров усилителя, коэффициенты частотных искажений, коэффициент нелинейных искажений, удовлетворяют требованиям ТЗ. 26 Список литературы 1.Схемотехника аналоговых электронных устройств. Версия1.0 [Электронный ресурс] : метод. указания по курсовому проектированию/ сост. А. Г. Григорьев. – Электрон. дан. (1 Мб). – Красноярск: ИПК СФУ, 2008. 2. Схемотехника аналоговых электронных устройств. Версия 1.0 [Электронный ресурс] : электрон. учеб. пособие / А. И. Громыко, А. Г. Григорьев, В. Д. Скачко. – Электрон. дан. (4 Мб). – Красноярск : ИПК СФУ, 2008. Приложение А. Общая схема широкополосного усилителя 27 ХP1 Контакт Цепь 1 +12,6В 2 +12,6В 3 +12,6В 4 +12,6В R6 7 15 +12,6В R6 7 +12,6В R7 Епит=12,6 10 4 4 6 8 C2 R1 R4 1 1 6 8 Rзат1 R1 Ср2 Ср1 Rист R2 Cр C4 Rнд 12 VT1 R2 Rк R3 R5 R8 C6 C3 ХS2 Контакт 12 1 C1 R3 R5 C1 13 VT2 C4 VT1 Подп. дата Rзат2 1 VT2 Ек R4 10 Контакт C2 15 9 ХS1 9 R7 R8 11 C6 C3 13 Rос Cкор 14 Rд1 11 Rдоб 14 Сэ0 Rд2 Cэ0 Сэ0 Rд2 Подп. и дата Взаим. инв. № Инв. № дубл. Rд1 Лит. Изм. Лист № докум. Подп. Масса Масштаб Дата Инв. № подл. Разраб. Пров. Т. контр. 28 Н. контр. Утв. Лист 1 Листов 1 ФГАОУ ВО «СФУ» 29 Приложение Б. АЧХ усилителя АЧХ входного каскада y 1 1 в 2 АЧХ входной каскад 1,20 1,00 0,80 0,60 0,40 0,20 0,00 Рис. 10. АЧХ входной каскад АЧХ промежуточного каскада y 1 1 в 2 АЧХ промежуточный каскад 1,02 1 0,98 0,96 0,94 0,92 0,9 0,88 0,86 Рис. 11. АЧХ промежуточный каскад 30 АЧХ выходного каскада y 1 в k 2 1 (1 2 k ) в в k 2 2 4 АЧХ выходной каскад 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 Рис. 12. АЧХ выходной каскад Общая АЧХ y 1 1 в 2 1 1 в 2 1 в k 2 1 (1 2 k ) в в k 2 2 4 Рис. 13. АЧХ выходной каскад 31