Электронная теxника Тестовае задание Вариант 1. 1. Тестовое задание закрытой формы с выбором одного или нескольких вариантов ответа 1В МОП транзисторах p-подложкой при увеличении потенциала затвора в знак плюс концентрация носителей в канале: 1.Уменьшается 2.Увеличивается 3.не меняется 4. стремится к нулю 2.Какой выпрямитель имеет лучшие электротехнические качества: 1.Однополупериодный 2.Двухполупериодный 3.Мостовой 4. Транзисторный 3. Усилителем напряжения на биполярном транзисторе являются схемы: 1.С общим эмиттером 2.С общим коллектором 3.С общей базой 4.Все три 4.Каково назначения делителя напряжения в усилителях по схеме с ОЭ: 1.Направляет на выход усиленный сигнал 2.Не пропускает постоянную составляющую тока 3.Задает напряжение смещение базы 4. Снижает напряжение 5Как изменится емкость варикапа при увеличении напряжения: 1.Увеличивается 2.Уменьшается 3.Не изменяется 4. Уменьшится до нуля 6Какой фотоприбор наиболее точно оценит силу света: 1.Фотоэлемент 2.Фотодиод 3.Фототранзистор 4. Фоторезистор 7В каком элементе полевого транзистора меньше концентрация основных носителей: 1.В канале 2.В затворе 3.В переходе 4. В стоке 8.Какой вид обратной связи применяется в генераторах: 1.Нулевая 2.Отрицательная 3.Положительная 4.Обратная связь с задержкой 9. В какую проводимость включен второй р-п переход тиристора: • 1.Прямую • 2.Обратную • • • 3.Нейтральную 4.Любую . Тестовое задание на установление соответствия 10 . Установите соответствие между условными графическими обозначениями логических элементов и их названиями: 1б 2г 3а 4в А. Элемент Пирса 1. Б. Исключающее «ИЛИ» 2. В. Конъюнктор 3. Г. Элемент Шеффера 4. 11.Установите соответствие: Какой прибор обозначен Выпрямительный • • Выпрямительный диод. • Триодный тиристор • Варикап • МДП транзистор диод. Варикап • Триодный тиристор • 12. Установите соответствие: 1-3 , 2-1 , 3-2 • 1.За счёт чего возникают • неосновные носители в полупроводниках • 2.За счёт чего возникают основные носители в полупроводниках 1.За счёт внешних воздействий • 2.Рекомбинации электронов и дырок в зоне p-n перехода. • 3.За счет чего происходит • 3.За счёт добавления химической примеси 4.За счет ударной свечения светодиода • ионизации • . Тестовое задание на 13. табличные 2) 1 2 3 сравнение величин Соответственно приведенному графику расположить значения тока и напряжения по возрастанию сопротивления Rдиф= (4-3)/(11. 2. 3. 1=80 2=40 3=0,2 4=0,6 1=80 2=40 3=0,2 4=0,8 1=80 2=40 3=0,2 4=1 . 14 Расположить значения обратного напряжения соответственно убыванию барьерной емкости С ~ 1/l(Uобр) 1 2 3 Uобр = 0.2в 1. Uобр = 0.6в 2. Uобр = 0.4в 3. . Тестовое задание открытой формы, необходимо вставить в выражение одно или несколько слов 15 Диод с использованием барьерной емкости обратно смещенного p-n перехода –это варикап 16Триггер –это устройство способное находится в одном из двух уст. состояний Практическое задание 17 Начертить схемы двухполупериодного выпрямления переменного тока. 18.Сколько электронов проходит через поперечное сечение проводника за 1нс при силе тока 32 мкА? Преподаватель ____________ В.И. Полякова Электронная почта Поляковой В.И.-преподаателя по электронной теxнике tina231149@mail.ru
