Типовой расчет Преобразователь частоты обеспечивает стабилизацию синусоидального (частота 50 Гц) напряжения на нагрузке путем изменения угла регулирования выпрямителя в схеме 1 и коэффициента заполнения D импульсного преобразователя в схеме 2. Рассчитать необходимый диапазон изменения угла и коэффициента заполнения D. Произвести выбор силовых полупроводниковых приборов и теплового сопротивления охладителей. Рассчитать индуктивности и емкости фильтров. Входное напряжение VRMS , В Напряжение на нагрузке VнRMS , В Диапазон изменения мощности нагрузки Pн, кВт Температура охлаждающей среды ТAMB, 0C Амплитуда пульсации 1-ой гармоники тока в реакторе L1 в %, не более Амплитуда пульсации 1-ой гармоники напряжения на конденсаторе С1 в %, не более Пульсации тока в реакторе L2 в %, не более Пульсации напряжения на конденсаторе С2 в %, не более Частота работы импульсного преобразователя, кГц 1 220 2 220 3 220 4 220 5 220 6 220 7 127 8 127 9 127 10 127 200 250 300 450 350 400 200 150 250 200 5-15 10-20 20-30 20-40 10-30 20-30 5-10 10-20 5-20 5-15 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 10 15 20 5 10 15 20 5 10 Схема 1. Схема 2. Справочные данные на тиристоры Т45 URRM,В Т70 Т100 Т130 Т240 Т320 T400 (600, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200) IТAV,А 45 70 100 130 240 320 400 IТRMS,А 80 150 200 260 500 700 700 VT,В 0,85 0,85 0,85 0,85 0,85 0,8 0,9 rT,Ом 0,005 0,003 0,0018 0,0013 0,0006 0,00045 0,0005 TJ, С 180 180 180 180 180 180 180 Rthjc,оС/Вт 0,85 0,55 0,45 0,35 0,20 0,16 0,11 Rthch,оС/Вт 0,25 0,2 0,08 0,08 0,09 0,015 о 0,1 Справочные данные на диоды Д45 VRRM,B 100-1000 Д70 Д100 100-1000 100-1000 Д130 100-1000 Д240 Д320 100-1000 100-1000 IFAV,A 45 70 100 130 240 320 IRMS,A 80 150 200 260 500 700 0,85 0,85 0,85 0,85 0,8 0,8 0,005 0,003 0,0018 0,0013 0,0006 0,0005 180 180 180 180 180 180 Rthjc, oC/Bт 0,85 0,55 0,45 0,35 0,20 0,16 Rthch, oC/Вт 0,25 0,2 0,08 0,08 0,03 0,01 VT,B rT Tj, oC Справочные данные на транзисторы МДП T50 VDS,B 100-1200 T75 T100 100-1200 100-1200 T150 T200 T300 100-1200 100-1200 100-1200 ID,A 50 75 100 150 200 300 IDm,A 100 150 200 300 400 600 RDS(ON), Ом 0,009 0,008 0,007 0,006 0,005 0,004 Tj, oC 150 150 150 150 150 150 Rthjc, oC/Bт 0,5 0,4 0,31 0,21 0,16 0,11 Rthch, oC/Вт 0,15 0,15 0,15 0,13 0,13 0,09 ton, ns 200 200 200 300 300 300 toff , ns 400 400 400 600 600 600 Справочные данные на транзисторы IGBT T50 VCE,B 100-1200 T75 T100 100-1200 100-1200 T150 T200 T300 100-1200 100-1200 100-1200 Ic,A 50 75 100 150 200 300 ICM,A 100 150 200 300 400 600 VT,B 1,6 1,6 1,7 1,7 1,8 rT, Ом 0,009 0,008 Tj, oC 150 Rthjc, oC/Bт 1,6 0,007 0,006 0,005 0,004 150 150 150 150 150 0,5 0,4 0,31 0,21 0,16 0,11 Rthch, oC/Вт 0,15 0,15 0,15 0,13 0,13 0,09 ton, ns 200 200 200 300 300 300 toff , ns 400 400 400 600 600 600