ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им. Н. Э. БАУМАНА

Московский ордена Ленина, ордена Октябрьской
Революции и ордена Трудового Красного Знамени.
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ им.
Н. Э. БАУМАНА
Факультет: Информатики и систем управления
Кафедра: Проектирование и технология производства электронной аппаратуры (ИУ4)
______________________________________________________________________________
Реферат
«Конфигурационные ПЗУ, ППЗУ.
Типы микросхем. Производители.
Технические параметры.»
По курсу:
Системотехника ЭВС, комплексы и сети
Разработал:
Прилепский Р.А.
(фамилия, инициалы)
Преподаватель:
ИУ4-103
(индекс группы)
Шпиев В.А.
(фамилия, инициалы)
Москва
2012
1
Содержание
1.
Введение ........................................................................................................................................... 3
2.
Основная часть .............................................................................................................................. 4
2.1.
Первые ПЗУ ............................................................................................................................. 4
2.2.
Типы ПЗУ.................................................................................................................................. 4
2.3.
Как работают ПЗУ................................................................................................................ 5
2.4.
Программируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗУ) ......... 9
2.5.
Стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство
(СППЗУ)
11
2.6.
ЭСППЗУ и флэш-память ................................................................................................. 12
2.7.
Классификация микросхем ПЗУ ................................................................................ 13
3.
Применение .................................................................................................................................. 15
4.
Производители ........................................................................................................................... 15
5.
Технические характеристики ............................................................................................. 16
6.
Список использованной литературы.............................................................................. 17
2
ВВЕДЕНИЕ
Запоминающие устройства (ЗУ) служат для хранения информации и обмена ею
с другими цифровыми устройствами (ЦУ). Микросхемы памяти в общем объеме
выпуска интегральных схем занимают от 40% до 70% и играют важнейшую роль во
многих системах различного назначения. Основная функция микросхем памяти
заключается в адресуемой записи, считывании информации и её хранении.
Микросхемы и системы памяти постоянно совершенствуются как в области
схемотехнологии, так и в области развития новых архитектур. В настоящее время
созданы и используются десятки различных типов ЗУ. Важнейшие параметры ЗУ
находятся в противоречии. Так, например, большая информационная емкость не
сочетается с высоким быстродействием, а быстродействие в свою очередь не
сочетается
с
низкой
стоимостью.
Поэтому
системам
памяти
свойственна
многоступенчатая иерархическая структура, и в зависимости от роли того или иного
ЗУ его реализация может быть существенно различной. Нужно отметить, что от
параметров запоминающих устройств в значительной степени зависят технические
характеристики вычислительных средств.
3
1. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ
Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ) — энергонезависимая память,
используется для хранения массива неизменяемых данных. Память представляет
собой
интегральную
микросхему,
при
изготовлении
запрограммированную
определенными данными. ПЗУ используются не только в компьютерах, но и в
большинстве других электронных устройств.
1.1. Первые ПЗУ
Постоянные запоминающие устройства стали находить применение в технике
задолго до появления ЭВМ и электронных приборов. В частности, одним из первых
типов ПЗУ был кулачковый валик, применявшийся в шарманках, музыкальных
шкатулках, часах с боем.
С развитием электронной техники и ЭВМ возникла необходимость в
быстродействующих ПЗУ. В эпоху вакуумной электроники находили применение
ПЗУ
на
основе потенциалоскопов,
моноскопов, лучевых
ламп.
В
ЭВМ
на
базе транзисторов в качестве ПЗУ небольшой емкости широко использовались
штепсельные матрицы. При необходимости хранения больших объёмов данных (для
ЭВМ первых поколений — несколько десятков килобайт) применялись ПЗУ на базе
ферритовых колец. Именно от этих типов ПЗУ и берет свое начало термин
«прошивка» — логическое состояние ячейки задавалось направлением навивки
провода,
охватывающего
кольцо.
Поскольку
тонкий
провод
требовалось
протягивать через цепочку ферритовых колец для выполнения этой операции
применялись металлические иглы, аналогичные швейным. Да и сама операция
наполнения ПЗУ информацией напоминала процесс шитья.
1.2. Типы ПЗУ
Имеется пять основных типов ПЗУ:
1. Собственно постоянное запоминающее устройство
2. Программируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗУ)
3. Стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство
(СППЗУ)
4
4. Электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее
устройство (ЭСППЗУ)
5. Флэш-память
Каждый тип памяти обладает уникальными характеристиками, , однако две
характеристики являются общими для всех типов:
 Хранящиеся в этих чипах данные не теряются при отключении питания.
 Данные в этих чипах либо невозможно изменить, либо для их перезаписи
требуется специальная операция (в отличие от оперативных запоминающих
устройств (ОЗУ), запись информации в которых осуществляется так же
легко, как и считывание).
 Отключение питания чипа не приводит к потере данных.
1.3. Как работают ПЗУ
Принцип работы ПЗУ поясняет схема, изображенная на рис. 1.
Рисунок 1 - Структурная схема масочного ПЗУ
Так же, как и в ОЗУ, в чипах ПЗУ имеется сетка, составленная столбцами и
строками. Однако в местах пересечений столбцов и строк чипы ПЗУ принципиально
отличаются от ОЗУ. В ОЗУ для включения и выключения доступа к конденсатору на
каждом пересечении используются транзисторы, а в ПЗУ для соединения линий при
логической единице используется диод. Если в определенной ячейке ОЗУ записан 0,
линии вообще не соединяются.
Диод в обычных условиях пропускает ток только в одном направлении и
характеризуется наличием определенного порога, который называют порогом
смещения
при
прямом
включении.
Этим
порогом
определяется
значение
5
электрического тока, требующегося для того, чтобы открылся диод. В кремниевых
устройствах, таких как процессоры и чипы памяти, напряжение прямого смещения
приблизительно равно 0,6 вольта. Используя уникальные свойства диода, чип ПЗУ
может направлять заряд, превышающий порог смещения при прямом включении, на
выбранный столбец, тогда как строка, соответствующая опрашиваемой ячейке,
заземляется. Если в опрашиваемой ячейке имеется диод, он пропустит заряд на
землю и согласно двоичной системе эта ячейка будет распознана как "включенная"
(значение 1). Положительным свойством ПЗУ является также то, что если значение
ячейки равно 0, на соответствующем пересечении нет диода, соединяющего строку
и столбец. Поэтому заряд с выбранного столбца не может попасть на
соответствующую строку.
ПЗУ, изображенное на рисунке, хранит четыре восьмиразрядных слова. Диоды
установлены в тех местах, где должны храниться биты, имеющие значение
логического нуля. Дешифратор вырабатывает сигнал логического нуля на той
строке, номер которой соответствует двоичному адресному коду A0A1. На тех
выходных вертикальных линиях D0 – D8, в пресечении которых с выбранной
горизонтальной линией установлены диоды, формируются сигналы логических
нулей:
Адрес
Выходные данные
A1
A0
D7
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
1
0
0
0
Таким образом, информация, хранимая в ПЗУ, определяется расположением
диодов в пересечениях горизонтальных и вертикальных линий. При этом
необходимое расположение диодов можно организовать двумя путями. В первом
случае запись необходимой информации выполняется в ходе технологического
процесса изготовления ПЗУ с использованием маскирующих фотошаблонов, причем
запись информации производится в соответствии с технической документацией на
6
данное ПЗУ. Такие ПЗУ называются масочными. Экономически оправданным
является массовое производство масочных ПЗУ, так как изготовление масок требует
больших затрат. Примерами таких ПЗУ являются ПЗУ с записанными программами
работы станков с числовым управлением, преобразователи кодов и ряд других
случаев, когда одна и та же информация используется в процессе работы множества
однотипных устройств.
Во втором случае запись в ПЗУ осуществляет сам пользователь. Такие ПЗУ
называются прожигаемыми ПЗУ. Запись информации в них производится с помощью
специальных устройств, называемых программаторами. В процессе изготовления
прожигаемых ПЗУ диоды устанавливаются во всех без исключения точках
пересечения вертикальных и горизонтальных линий. Последовательно с каждым
диодом включены плавкие перемычки, изготовленные из материала с относительно
большим удельным сопротивлением, обычно из поликристаллического кремния
или
нихрома.
Фрагмент
структуры
чистого
(не
запрограммированного)
прожигаемого ПЗУ изображен на рис. 6.10.
Рисунок 2 - Фрагмент схемы прожигаемого ПЗУ
Если через горизонтальную и вертикальную линию пропустить импульс тока
порядка 20 мА и длительностью 1 мс (этот импульс задается разностью
потенциалов, создаваемой программатором), то плавкая перемычка выгорает и
соответствующий диод оказывается отключенным. Таким образом, выплавляя
перемычки можно получить нужную конфигурацию расположения диодов, т.е.
7
произвести запись в ПЗУ необходимой информации. Очевидно, что однажды
записанная таким образом информация не может быть изменена.
В реальных микросхемах ПЗУ вместо диодов обычно используются биполярные
или полевые транзисторы. В масочных ПЗУ в пересечениях вертикальных и
горизонтальных линий, которым соответствует логический нуль, соединительные
транзисторы выполняются полностью. Если заданному пересечению соответствует
логическая единица, то соответствующий транзистор лишают одной из его частей
(одного из p-n-переходов или электродов). В прожигаемых ПЗУ в процессе
изготовления микросхемы все транзисторы выполняют полными. В цепи эмиттера
или стока последовательно напыляются плавкие перемычки, разрушаемые при
программировании.
Очевидно, что принцип работы ПЗУ предусматривает правильное и полное
введение данных на этапе создания этого устройства. Стандартный чип ПЗУ нельзя
перепрограммировать или перезаписать. Если записанные данные неправильные
или нужно их обновить, приходится выбрасывать устаревший чип ПЗУ и заменять
его новым, с соответствующими данными. Создание шаблона оригинала для чипа
ПЗУ часто является трудоемким процессом, изобилующим пробами и ошибками.
Однако преимущества ПЗУ превосходят их недостатки. После того, как изготовлен
шаблон, производство самих чипов может стоить очень дешево, несколько центов за
штуку. Такие чипы потребляют мало энергии, очень надежны и в случае применения
в большинстве небольших электронных устройств содержат все программы,
необходимые для управления таким устройством.
Помимо
ППЗУ
с
ультрафиолетовым
стиранием
выпускаются
ППЗУ
с
электрическим стиранием информации. Процесс стирания информации в таких
ППЗУ осуществляется подачей специальных электрических сигналов в течение
определенного времени. В качестве соединительного транзистора в электрически
стираемых ППЗУ используется МНОП-транзистор. Он имеет следующую структуру:
металл - нитрид кремния – оксид - полупроводник. Между затвором и
полупроводником находятся два разных слоя диэлектрика. Использование таких
ППЗУ позволяет осуществлять процесс программирования, не извлекая микросхему
из устройства, в котором она эксплуатируется.
8
1.4. Программируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗУ)
В наше время создание малых партий ПЗУ с нуля занимает много времени и
обходится очень дорого. В первую очередь по этой причине была разработана
разновидность ПЗУ, именуемая программируемым постоянным запоминающим
устройством
(programmable
read-only
memory,
PROM,
ППЗУ).
Незапрограммированные ППЗУ можно купить, заплатив сравнительно небольшую
сумму, и затем запрограммировать с помощью специального прибора, называемого
программатором.
Они обладают всеми достоинствами ПЗУ, т.е. позволяют сохранить записанную
в них информацию при отключении питания. В то же время они допускают стирание
записанной информации и запись новой. Схема ППЗУ (рис. 3, а) почти полностью
совпадает с ранее рассмотренной схемой ПЗУ с той разницей, что в точках
пересечения горизонтальных и вертикальных линий вместо диодов включены
специальные
МДП-транзисторы
(металл-диэлектрик-полупроводник)
с
так
называемым изолированным затвором.
Рисунок 3 - Фрагмент схемы ППЗУ и структура МДП-транзистора с изолированным
затвором.
Подложка транзистора выполнена из полупроводника n-типа (рис. 3, б). Две
области полупроводника p-типа представляют собой соответственно исток и сток. К
ним примыкают металлические электроды, с помощью которых транзистор
включается между вертикальной и горизонтальной линиями. Промежуток между
9
истоком и стоком покрыт слоем двуокиси кремния, затем располагается затвор,
выполненный в данном случае из кремния, и снова слой двуокиси кремния. Затвор
полностью изолирован.
В обычном состоянии участок исток-сток транзистора электрический ток не
проводит. Однако если приложить между истоком и стоком большое напряжение
(приблизительно 80 В), то затвор зарядится в результате инжекции электронов.
Такой процесс называется зарядкой через влияние. В дальнейшем заряд затвора
будет сохраняться достаточно долго. Благодаря весьма высокому качеству
диэлектрика из двуокиси кремния при температуре +125 0С заряд уменьшается на
70 % первоначального значения примерно за 10 лет. Отрицательный заряд на
затворе притягивает дырки, создает в n-области проводящий p-канал между
истоком и стоком, т.е. транзистор оказывается в проводящем состоянии.
Стирание
информации
производится
путем
облучения
микросхемы
ультрафиолетовым светом через прозрачное кварцевое окошечко в корпусе. При
этом за время приблизительно равное 10 минутам происходит снятие заряда с
затворов транзисторов путем выбивания из них фотоэлектронов. В результате
транзисторы устанавливается в непроводящее состояние и микросхема ППЗУ готова
к новой записи информации.
Чтобы записанная
информация в
ППЗУ
с
ультрафиолетовым стиранием не разрушалась под действием естественного
солнечного света и осветительных приборов, кварцевое окошечко микросхемы
необходимо заклеивать светонепроницаемым материалом.
В ППЗУ есть сетка из столбцов и строк, так же, как и в обычных ПЗУ. Отличие
состоит в том, что на каждом пересечении столбца и строки в чипе ППЗУ имеется
соединяющая их плавкая перемычка. Если заряд из столбца попадает через
перемычку ячейки на заземленную строку, будет обнаружено записанное в этой
ячейке значение 1. Поскольку во всех ячейках имеются перемычки, начальное
состояние всех ячеек незаписанного чипа ППЗУ равно 1. Для изменения значения
ячейки на 0, нужно с помощью программатора подать на эту ячейку ток
определенной величины. Большой ток приводит к разрыву соединения между
строкой и столбцом благодаря пережиганию перемычки. Этот процесс называют
программированием ППЗУ.
10
ППЗУ можно программировать только один раз. Они менее стойкие, чем ПЗУ.
Разряд статического электричества может легко пережечь перемычки в ППЗУ и
поменять значения в ячейках с 1 на 0. Однако ППЗУ недороги и очень удобны для
моделирования данных для ПЗУ перед началом дорогостоящего процесса
производства ПЗУ.
1.5. Стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство
(СППЗУ)
При работе с ПЗУ и ППЗУ многие чипы оказываются бракованными. Даже если
стоимость одного чипа мала, затраты со временем могут возрастать. Чтобы
избежать
этих
проблем,
были
разработаны
стираемые
программируемые
постоянные запоминающие устройства (read-only memory, EPROM, СППЗУ).
Информацию в СППЗУ можно многократно перезаписывать. Для стирания
информации
в
СППЗУ
требуется
специальное
устройство,
генерирующее
ультрафиолетовое излучение определенной частоты. СППЗУ программируют с
помощью
специального
программатора,
подающего
на
чип
напряжение
определенной величины, зависящее от типа СППЗУ.
В этом виде памяти также имеется сетка, образованная столбцами и строками.
В СППЗУ каждая ячейка на пересечении столбца и строки содержит по два
транзистора. Эти два транзистора отделены друг от друга тонким слоем оксида.
Один из транзисторов называют плавающим затвором, а другой – управляющим
затвором. Плавающий затвор связан со строкой (шиной слов) только через
управляющий затвор. Пока эта связь имеется, ячейка имеет значение 1. Для смены
значения на 0 нужно запустить необычный процесс, называемый туннелированием
Фаулера - Нордхейма. Туннелирование используется для того, чтобы изменить
расположение электронов в плавающем затворе. К плавающему затвору подают
электрический заряд, как правило, напряжением от 10 до 13 вольт. Заряд поступает
со столбца, или разрядной линии, на плавающий затвор и стекает на землю.
Этот заряд приводит к тому, что транзистор с плавающим затвором действует
как инжектор электронов. Возбужденные электроны проталкиваются сквозь
оксидный слой и захватываются на его противоположной стороне, добавляя ему
отрицательный заряд. Эти отрицательно заряженные электроны играют роль
11
барьера между управляющим и плавающим затворами. Специальное устройство,
называемое cell sensor или сенсор ячейки, следит за уровнем заряда, проходящего
через плавающий затвор. Если через затвор проходит более 50 процентов заряда, он
имеет значение 1. Если проходит менее 50 процентов заряда, значение меняется на
0. В незаписанном СППЗУ все затворы полностью открыты и каждая ячейка имеет
значение 1.
Для перезаписи СППЗУ следует сначала стереть с него информацию. Для
стирания нужно подать на это устройство энергию, достаточную для нейтрализации
действия отрицательно заряженных электронов, блокирующих плавающий затвор.
В стандартном СППЗУ это лучше всего делается ультрафиолетовым излучением с
длиной волны 253,7 нм. Поскольку излучение с такой длиной волны не может
проникать сквозь большинство видов пластиков и стекол, на каждом чипе СППЗУ
имеется окошко из кварцевого стекла. Чтобы стирание производилось надлежащим
образом, СППЗУ должно располагаться очень близко к источнику света стирающего
устройства, не далее одного-двух дюймов.
Стирающее устройство не обладает селективным действием, процесс стирания
охватывает весь кристалл СППЗУ. Для выполнения операции стирания СППЗУ
вынимают из устройства, в котором оно работало, и на несколько минут помещают
под
ультрафиолетовое
излучение
стирающего
устройства.
Запоминающее
устройство, слишком долго находившееся под действием ультрафиолетового
излучения, подвергнется чрезмерному стиранию. В этой ситуации плавающие
затворы СППЗУ заряжаются до такой степени, что полностью утрачивают
способность удерживать электроны.
1.6. ЭСППЗУ и флэш-память
Несмотря на то, что СППЗУ в отношении возможностей повторного
использования являются большим шагом вперед по сравнению с ППЗУ, каждый раз,
когда необходимо произвести изменения в записанной информации, все еще
требуется специальное оборудование и трудозатратный процесс по снятию и
повторной установке на место чипа памяти. Кроме того, в СППЗУ невозможно
выборочно изменять записанную информацию; стирается сразу вся информация,
имеющаяся на чипе. Электрически стираемые программируемые постоянные
12
запоминающие устройства (ЭСППЗУ) не имеют наиболее серьезных недостатков,
присущих СППЗУ.
В ЭСППЗУ:
 Для перезаписи чипа его не нужно извлекать.
 Для изменения части информации нет необходимости полностью стирать всю
информацию, имеющуюся на чипе.
 Для изменения информационного содержимого не требуется специальное
дополнительное оборудование.
Вместо использования ультрафиолетового света, в ЭСППЗУ электроны в
ячейках возвращают в нормальное состояние с помощью локализованного
приложения электрического поля к каждой ячейке. Таким способом стирают
информацию в выбранных ячейках ЭСППЗУ, после чего в эти ячейки можно
осуществлять повторную запись информации. В ЭСППЗУ информация изменяется по
1 байту, что делает такое устройство универсальным, но медленным. По сути, чипы
ЭСППЗУ слишком медленные, чтобы их можно было использовать во многих
изделиях, где требуется быстро менять записанные в памяти данные.
Производители обошли это ограничение, создав флэш-память, разновидность
ЭСППЗУ, в которой используются встроенные проводники для стирания путем
приложения электрического поля ко всему чипу либо к заданным участкам чипа,
именуемым блоками. Флэш-память работает намного быстрее, чем традиционные
ЭСППЗУ, поскольку в ней данные записываются одновременно порциями, обычно по
512 байт, вместо 1 байт. Больше информации о том, как работает этот тип ПЗУ, и о
сферах его применения, можно получить, прочитав статью о том, как работает флэшпамять.
1.7. Классификация микросхем ПЗУ
1. По технологии изготовления кристалла:
 ROM — (англ. read-only memory, постоянное запоминающее устройство),
масочное ПЗУ, изготавливается фабричным методом. В дальнейшем нет
возможности изменить записанные данные.
 PROM —
(англ. programmable
read-only
memory,
программируемое ПЗУ (ППЗУ)) — ПЗУ,
однократно
«прошиваемое»
пользователем.
13

EPROM —
(англ. erasable
programmable
read-only
memory,
перепрограммируемое ПЗУ (ПППЗУ)).
Например,
содержимое
микросхемы К537РФ1 стиралось при помощи ультрафиолетовой лампы.
Для прохождения ультрафиолетовых лучей к кристаллу в корпусе
микросхемы было предусмотрено окошко с кварцевым стеклом.
 EEPROM — (англ. electrically erasable programmable read-only memory,
электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ). Память такого
типа может стираться и заполняться данными несколько десятков тысяч
раз. Используется в твердотельных накопителях. Одной из
разновидностей EEPROM является флеш-память (англ. flash memory).
 ПЗУ на магнитных доменах, например К1602РЦ5, имело сложное
устройство выборки и хранило довольно большой объём данных в виде
намагниченных областей кристалла, при этом не имея движущихся
частей (см. Компьютерная память). Обеспечивалось неограниченное
количество циклов перезаписи.
 NVRAM, non-volatile memory — «неразрушающаяся» память, строго
говоря, не является ПЗУ. Это ОЗУ небольшого объёма, конструктивно
совмещённое
с
батарейкой.
В СССР такие
устройства
часто
назывались «Dallas» по имени фирмы, выпустившей их на рынок. В
NVRAM современных ЭВМ батарейка уже конструктивно не связана
с ОЗУ и может быть заменена.
2. По виду доступа:
 С параллельным доступом (parallel mode или random access): такое ПЗУ
может быть доступно в системе в адресном пространстве ОЗУ. Например,
К573РФ5;
 С последовательным доступом: такие ПЗУ часто используются для
однократной загрузки констант или прошивки в процессор или ПЛИС,
используются для хранения настроек каналов телевизора, и др.
Например, 93С46, AT17LV512A.
3. По способу программирования микросхем (записи в них прошивки):
 Непрограммируемые ПЗУ;
 ПЗУ, программируемые только с помощью специального устройства —
программатора ПЗУ (как однократно, так и многократно прошиваемые).
Использование программатора необходимо, в частности, для подачи
нестандартных и относительно высоких напряжений (до +/- 27 В) на
специальные выводы.
 Внутрисхемно
(пере)программируемые
ПЗУ
(ISP,
in-system
programming) — такие микросхемы имеют внутри генератор всех
необходимых высоких напряжений, и могут быть перепрошиты без
программатора и даже без выпайки из печатной платы, программным
способом.
14
2. ПРИМЕНЕНИЕ
В
постоянную
техническим
память
часто
записывают микропрограмму управления
устройством: телевизором, сотовым
различными контроллерами,
или
компьютером
телефоном,
(BIOS или OpenBoot на
машинах SPARC).
3. ПРОИЗВОДИТЕЛИ
Analog Devices
Maxim
Atmel
Parallax
Silabs
NXP Semiconductors
Freescale
Renesas
Fujitsu
Texas Instruments
Holtek
Toshiba
Hynix
Ubicom
Infineon
Zilog
Intel
Cypress
Microchip
15
4. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
EPROM
Type
Size — bits Size — bytes
Length (hex) Last address (hex)
1702,
1702A
2 Kbit
256
100
FF
2704
4 Kbit
512
200
1FF
2708
8 Kbit
1 KB
400
3FF
2716,
27C16,
TMS2716,
2516
16 Kbit
2 KB
800
7FF
2732,
27C32,
2532
32 Kbit
4 KB
1000
FFF
2764,
27C64,
2564
64 Kbit
8 KB
2000
1FFF
27128,
27C128
128 Kbit
16 KB
4000
3FFF
27256,
27C256
256 Kbit
32 KB
8000
7FFF
27512,
27C512
512 Kbit
64 KB
10000
FFFF
27C010,
27C100
1 Mbit
128 KB
20000
1FFFF
27C020
2 Mbit
256 KB
40000
3FFFF
27C040,
27C400
4 Mbit
512 KB
80000
7FFFF
27C080
8 Mbit
1 MB
100000
FFFFF
27C160
16 Mbit
2 MB
200000
1FFFFF
27C320
32 Mbit
4 MB
400000
3FFFFF
16
5. СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Угрюмов Е. П. – Цифровая схемотехника. – Петербург, 2004. – 528 с.: ил.
2. Лебедев О. Н. – Применение микросхем памяти в электронных устройствах.
– М.: Радио и связь, 1994. – 216 с.: ил.
3. Шило В. Л. – Популярные цифровые микросхемы. – М.: Ягуар, 1993. – 63
с.: ил.
4. www.3dnews.com
5. www.ixbt.com
Страница | 17