3. Задачи контрольного задания

Министерство Российской Федерации
по связи и информатизации
Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики
Г.В. Перов,
Н.Е. Фадеева, И.В. Решетнева
Материалы электронных средств
Электрофизические свойства радиоматериалов
КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ
И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
К ИХ ВЫПОЛНЕНИЮ
Новосибирск, 2004 г.
Контрольные задания и методические указания по их выполнению
Составители: к.т.н. Перов Г.В., к.т.н. Фадеева Н.Е., Решетнева И.В.
Методические указания содержат исходные данные задач контрольного
задания и справочный материал, необходимый для их решения.
Для студентов очной и заочной форм обучения специальностей 200900,
201000, 201100, 071700.
Кафедра Технической Электроники
Таблиц – 13, формул – 50.
Рецензент: доц., А.П.Шерстяков
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве
методического пособия.
© Сибирский государственный университет телекоммуникаций и
информатики, 2004 г.
3
Содержание.
Введение ...................................................................................................................... 5
Основные вопросы курса........................................................................................... 5
Литература. ................................................................................................................. 7
Указания к выбору вариантов задач контрольного задания. ................................. 8
Задачи контрольного задания ................................................................................... 8
Справочный материал по курсу. ............................................................................. 13
4
Введение.
Дисциплина «Материалы электронных средств» должна обеспечить
естественнонаучную подготовку студентов, необходимую для усвоения курсов
«Электроника», «Оптические и квантовые приборы и устройства», «Физические основы
электроники», «Оптические управляющие среды и пассивные компоненты ВОЛС».
Целью курса «Материалы электронных средств» является изучение
физико-химических свойств основных групп материалов, применяемых при
изготовлении радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).
В результате изучения дисциплины студент должен знать:
- номенклатуру,
способы
получения
и
области
применения
полупроводниковых, диэлектрических, проводниковых и магнитных
материалов;
- физико-химические свойства изучаемых материалов и способы управления
ими;
- варианты подбора материалов для изготовления компонентов РЭА.
По данному курсу предусмотрено выполнение контрольной работы.
1. Основные вопросы курса.
1.1 Общие вопросы.
1. Основные требования, предъявляемые к электрорадиоматериалам.
2. Классификация радиоматериалов по физико-химическим свойствам.
3. Экологические аспекты технологии формирования материалов
(диэлектриков, полупроводников, проводников, магнитных материалов).
1.2 Проводниковые материалы.
1. Физико-химические свойства проводниковых материалов.
2. Параметры и характеристики проводимости проводниковых
материалов.
3. Материалы с высокой удельной проводимостью. Сверхпроводники.
Криопроводники. Характеристики. Области применения в
электронике.
4. Металлы с большим удельным сопротивлением. Характеристики.
Область применения.
5. Неметаллические проводники. Характеристики проводимости
неметаллических проводников.
1.3 Полупроводниковые материалы.
1. Физико-химические свойства полупроводниковых материалов.
5
2. Области применения полупроводниковых материалов в электронике.
3. Собственные полупроводники.
4. Донорные полупроводники.
5. Акцепторные полупроводники.
6. Электропроводность в полупроводниках.
7. Токи в полупроводниках.
8. Влияние температуры на электропроводность полупроводников.
9. Влияние света на электропроводность полупроводников.
10.Влияние деформации на электропроводность полупроводников.
11.Влияние сильных электрических полей на электропроводность
полупроводников.
12.Структура и проводимость германия.
13.Структура и проводимость кремния.
14.Полупроводниковые соединения типа АIIBVI. Характеристики.
Области применения в электронике.
15.Полупроводниковые соединения типа АIIIBV. Характеристики.
Области применения в электронике.
16.Твердые растворы на основе полупроводниковых соединений.
Характеристики. Области применения в электронике.
1.4 Диэлектрические материалы.
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Назначение диэлектрических материалов. Основные характеристики.
Виды поляризации диэлектриков.
Электропроводность диэлектриков.
Диэлектрические потери электроизоляционных материалов. Виды
диэлектрических потерь.
Пробой диэлектриков. Виды пробоя.
Пассивные диэлектрики. Классификация. Область применения в
электронике.
Активные диэлектрики. Классификация. Область применения в
электронике.
Органические материалы. Физико-химические свойства органических
материалов.
Области применения органических материалов в электронике.
1.5 Магнитные материалы.
1. Классификация веществ по магнитным свойствам.
2. Магнитные характеристики материалов. Модели намагничивания
материалов.
3. Металлические магнитномягкие материалы. Характеристики.
Области применения в электронике.
4. Металлические магнитотвердые материалы. Характеристики.
Области применения в электронике.
6
5. Ферриты. Характеристики. Области применения в электронике.
6. Магнитодиэлектрики. Характеристики. Области применения
электронике.
Литература
Основная.
в
1. Демаков
Ю.П.
Радиоматериалы
и
радиокомпоненты
ч.1:
Радиотехнические материалы – Москва: ВИНИТИ , 1997. – 115с.
2. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: Учебное пособие/
К.С.Петров. – СПб.: Питер, 2003. – 512с.: ил.
3. Тихомиров Н.Н., Радиоматериалы и радиокомпоненты: Учебное
пособие: М.: Высшая школа, 1999. – 157с.
4. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники: Учебник.
5-е изд., стер. – СПб.: Издательство «Лань», 2003. – 368 с., ил. –
(Учебники для вузов. Специальная литература).
Дополнительная.
1. Голев И.М., радиоматериалы: Учебное пособие – Воронеж:
«Энергоатомиздат», 1994г - 91с.
2. Хандогин М.С., Учебное пособие по курсу «Радиоматериалы,
радиокомпоненты и основы микроэлектроники» - Минск.: МРТИ, 1991г. 141с.
3. Свитенко В.Н., Элементы и компоненты РЭУ. Радиоматериалы.: Учебное
пособие для специальности «Радиотехника» - Киев, 1990г. - 93 с.
4. Конструкционные и электротехнические материалы под редакцией В.А.
Филипова - М.: Высшая школа,1990г. – 95с.
5. Никулин Н.В., Электроматериаловедение - М.: Высшая школа, 1989г. –
56с.
6. Пасынков В.В., Сорокин В.С., Материалы электронной техники - М.:
Высшая школа, 1986г. – 197с.
7. Богородицкий Ш.П. и др., Электротехнические материал - Ленинград:
«Энергоатомиздат», 1985г. – 112с.
8. Калинин Н.Н и др., Электроматериалы - М.: Высшая школа, 1981г. – 48с.
9. Угай Я.А.. Введение в химию проводников - М.: Высшая школа, 1975г. –
32с.
10. Казарновский Д.И., Манов С.А., Радиотехнические материалы - М.:
Высшая школа, 1972г. – 133с.
11. Терехов В.А. Задачник по электронным приборам - М.:Энергоатомиздат,
1983 г.-280 с
12. Электрорадиоматериалы. Под ред. Тареева Б.М. Учебное пособие для
студентов – М.: Высшая школа, 1978г.
2. Указания к выбору вариантов задач контрольного задания.
7
Номер варианта задач 3.1.1  3.1.3 и 3.3.1  3.3.2 соответствует последней
цифре, а номер варианта задач 3.2.1  3.2.2 и 3.4.1  3.4.2 предпоследней цифре
студенческого билета. Контрольная работа выполняется в ученической тетради.
Все решения сопровождаются подробными пояснениями.
3. Задачи контрольного задания
3.1 Проводниковые материалы
Задача № 3.1.1
Определить падение напряжения в линии электропередач длиной L при
температуре То1 , То2 , То3 , если провод имеет сечение S и по нему течет ток I.
№ вар. Материал
1
Al
2
Cu
3
Cu
4
Al
5
Al
6
Cu
7
Cu
8
Al
9
Al
0
Cu
То1, С
-50
-30
-30
-40
-50
-30
-30
-40
-50
-40
То2, С
+20
0
+25
+10
+20
0
+25
+20
+25
0
То3, С
+50
+30
+50
+60
+50
+30
+50
+60
+60
+40
L, км
50
500
500
200
200
500
200
200
100
50
S, мм2
10
30
25
10
5
15
7,5
10
2,5
10
I, А
80
250
200
80
40
120
60
80
20
80
Задача № 3.1.2
Определить длину проволоки для намотки проволочного резистора с
номиналом R, и допустимой мощностью рассеяния P.
№ вар.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
Материал
Алюминий
Х20Н80
Х15Н60
Медь
Х20Н80
Алюминий
Х20Н80
Х15Н60
Медь
Алюминий
R, Ом
100
2000
2000
200
100
2000
1000
1000
1000
200
P, Вт
100
5
5
100
100
5
10
10
10
100
j, А/мм2
0,5
0,3
0,1
1,3
1,5
0,75
0,8
0,1
0,01
0,6
3.2 Полупроводниковые материалы
8
0, мкОмм
0,028
1,05
1,1
0,0172
1,05
0,028
1,05
1,1
0,0172
0,028
Задача 3.2.1
Определить концентрацию электронов и дырок в собственном и
примесном полупроводнике, содержащем N атомов примеси при комнатной
температуре.
№ вар.
Полупроводник
материал
Si
Ge
Si
Ge
Si
Ge
Si
Ge
Si
Ge
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
примесь
N, см-3
сурьма
бор
фосфор
алюминий
бор
Фосфор
Алюминий
Сурьма
Бор
Фосфор
1014
2  1017
1015
2  1018
2,5  1015
1018
1016
4,5  1020
3  1015
2  1018
Задача 3.2.2
Образец полупроводникового материала легирован примесью (см.
предыдущую задачу). Определить удельную проводимость собственного и
примесного полупроводника при заданной температуре Т.
То, К
№ вар.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
290
300
310
320
330
290
300
310
320
330
Задача 3.2.3
Определить диффузионную длину движения неравновесных носителей
заряда в полупроводниковом материале при заданной температуре Т о, если
время их жизни .
№ вар.
То, К
Материал
9
, мкс
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
Si - n типа
Ge - n – типа
Si - p – типа
Ge - p – типа
Si - n – типа
Ge - n – типа
Si - p – типа
Ge - p – типа
Si - n – типа
Ge - n – типа
290
300
310
320
330
290
300
310
320
330
100
50
75
120
200
250
125
80
175
50
3. 3 Диэлектрические материалы
Задача № 3.3.1
Конденсаторная керамика при 20С имеет проводимость  = 10-13 Сим/см.
Какова проводимость т при заданной температуре, если температурный
коэффициент сопротивления  = 0,8?

№ варианта
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
Т,С
25
29
32
37
43
35
40
45
50
52
Задача № 3.3.2
Определить пробивное напряжение Uпр между электродами конденсатора
на рабочей частоте f, если температура, до которой нагревается в
электрическом поле диэлектрический материал толщиной h конденсатора, не
превышает Токр.
10
№
вар.
Материал
f, кГц
tg 
h, мм Т, оС
 tg , 1/К

,
[ Вт / см
2
 град]
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
Гетинакс
Картон электроизол.
Фторопласт
бумага кабельная
Полиэтилен
Лавсан
Стеклотекстолит
Бакелит
Фторопласт
Бумага
10
100
1000
10
100
1000
10
10
1000
10
2
0,5
0,06
0,07
0,11
0,11
1
0,2
0,04
0,1
50
30
40
55
35
45
60
70
65
75
0,040,08
3  10-4
2  10-4
3  10-4
2  10-4
3  10-3
2  10-2
1  10-2
2  10-4
3  10-4
0,09
8  10-3
8,6 10-3
8 10-3
8,66 10-3
1,2 10-2
0,02
0,05
8,6 10-3
8 10-3
4,5
1,5
2,2
1,2
2,3
1,2
3,5
3,0
2,2
1,2
30
15
33,5
10
30
13
22
25
35,5
10
Задача № 3.3.3
Как изменится электрическая прочность воздушного конденсатора, если
расстояние между электродами уменьшить от h1 до h2?
№ варианта
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
H1, см
1
1
1
0,5
0,5
0,5
10
10
10
5
h2, см
0,1
0,01
0,001
0,1
0,01
0,001
1
0,01
0,1
0,001
3.4 Магнитные материалы
Задача № 3.4.1
Один из магнитных сплавов с прямоугольной петлей гистерезиса ППГ
имеет следующие параметры: поле старта Hо , коэрцитивную силу Hс,
коэффициент переключения Sф. Найти время переключения .
11

№ варианта
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
Ho, А/м
3
4
5
7
8
9
11
12
13
14
Hc, А/м
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Sф, мкк/м
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
Задача 3.4.2.
Магнитодиэлектрик выполнен из порошков никелево-цинкового феррита
HН400 и полистирола с объемным содержанием магнитного материала .
Определить магнитную и диэлектрическую проницаемость материала  и ,
если магнитная диэлектрическая проницаемость магнитного материала а, м
имеет заданные значения. Диэлектрическая проницаемость полистирола

Д = 2,5.
№ варианта
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0

0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,5
м
40
20
60
35
50
25
45
30
65
55
4. Справочный материал по курсу.
1.
Общие электрические и физические свойства радиоматериалов.
Проводниковые материалы.
Закон Ома в дифференциальной форме
j  Е  Е /  ,
(1)
где j – плотность тока в материале, т.е. электрический заряд, движущийся в
электрическом поле Ев за единицу времени через единицу площади.
12
 ,  – удельная проводимость и удельное сопротивление материала
соответственно.
Закон Ома в интегральной форме:
I
U
,
R
(2)
где I – ток в материале.
U – напряжение, приложенное к материалу или его участку.
R – полное сопротивление материала.
R

 ,
(3)
где  – геометрический параметр тела, называемый приведенной длиной.
Для тела с постоянным по всей длине поперечным сечением S и длиной h
(например, жила провода или кабеля):

S
h
(4)
Зависимость удельного сопротивления проводника от температуры:
(Т)=0(1+(Т-Т0)),
(5)
где  - температурный коэффициент сопротивления;
0 – удельное сопротивление проводника при температуре Т0.
Мощность Р, рассеиваемая материалом под напряжением U при
прохождении через него тока величиной I.
U2
P  I U 
R
(6)
2. Полупроводниковые материалы.
Собственные полупроводники – полупроводники, не содержащие
донорных и акцепторных примесей.
В собственном полупроводнике концентрация свободных электронов и
дырок одинаковы:
ni  pi  N c N v e

W0
2 kT
3/ 4
 W0
 mn*  m*p 
16 
3 / 2 2 kT

 0,5 10
T å
;
 m2 


(7)
где NC и NV – эффективные концентрации электронов и дырок в зонах
проводимости и валентной зоне соответственно:
13
3
2
 2m kT 
 ;
N C  2
 h

*
e
2
(8)
3
2
 2m kT 

NV  2
 h
 ;


*
p
2
(9)
WC, WV – уровни дна зоны проводимости и потолка валентной зоны
соответственно.
WF – уровень Ферми полупроводника (энергетический уровень, вероятность
заполнения которого равна Ѕ).
me* 
эффективная масса электронов в зоне проводимости полупроводника.
m*p  эффективная масса дырок в валентной зоне полупроводника.
h  постоянная Планка.
k  постоянная Больцмана.
W0 – ширина запрещенной зоны полупроводника.
Произведение
полупроводника:
концентраций
–
величина
 W0 
n p  ni2  N C NV exp  
,
 kT 
постоянная
для
данного
(10)
где ni – концентрация собственных носителей в полупроводнике;
Условие электронейтральности для единичного объема:
р+NД=n+NА ,
(11)
где слева – положительный заряд дырок и ионизированных доноров NД, а
справа – отрицательный заряд электронов и ионизированных акцепторов NА.
Для электронных полупроводников, не содержащих акцепторов:
n=NД+р
(12)
Для дырочных полупроводников, не содержащих доноров:
р=NА+n.
(13)
Плотность
электронной
и
дырочной
составляющей
тока
в
полупроводниковом материале, во внешнем электрическом поле Е:
jn   n E ;
jp   pE ;
(14)
(15)
где n и p – удельные электронная и дырочная проводимости полупроводника.
 n  en n ;
(16)
14
 p  ep p ;
(17)
где n и p – подвижность электронов и дырок соответственно.
Vn
;
E
Vp
p  ;
E
n 
(18)
(19)
где Vn и Vp – средние скорости носителей в полупроводнике.
Соотношение Эйнштейна:
e
Dn ;
kT
e
p 
Dp ;
kT
n 
(20)
(21)
где Dn и Dp – коэффициенты диффузии электронов и дырок соответственно.
Dn 
L2n
n ;
L2p
Dp 
p ;
(22)
(23)
где Ln и Lp – диффузионная длина носителей; n
носителей.
Суммарная плотность тока в полупроводнике:

и p – время жизни
j  j n  j p  E  (ne n  pe p ) E ;
(24)
- удельная проводимость полупроводника.
  ne n  pe p ;
(25)
Для собственного полупроводника, где ni = pi:
 соб.   n   p  ne n  pe p  eni (  n   p ) ;
Для электронного полупроводника где n>>p:
n=enn.
Для дырочного полупроводника где р>>n
p=epp.
Параметр
(27)
(28)
Основные параметры полупроводников.
Ge
Si
GaAs
72,6
28,1
16
12
11
Атомный вес
Диэлектрическая
проницаемость (отн. Ед.), 
Эффективная масса
электронов (отн. ед.), mn
0,22
0,33
15
(26)
0,07
InSb
16
0,013
Эффективная масса дырок
(отн. ед.), mp
Ширина запрещенной зоны,
эВ, W
Эффективная плотность
состояний Nс, см-3
Эффективная плотность
состояний NV, см-3
Подвижность электронов, n,
см2/сек.
Подвижность дырок р,
см2/сек.
Собственная концентрация ni,
см-3, Т=3000 К.
Коэффициент диффузии
электронов Dn, см2/сек.
Коэффициент диффузии дырок
Dp, см2/сек.
0,39
0,55
0,5
0,6
0,67
1,11
1,40
0,18
1,01019
2,81019
0,611019 1,01019
3800
1400
11000
до 65000
1800
500
450
700
2,51013
~21010
~1,5106
100
36
290
до 1750
45
13
~12
17
3.Диэлектрические материалы.
К основным характеристикам диэлектриков относят.
Поляризованность диэлектрика:
Р  d p / dV ,
(29)
где p - вектор индуцированного электрического момента.
V – объем поляризованного диэлектрика.
Дипольный момент поляризованного диэлектрика:
pn  ql ,
(30)
где q – суммарный положительный (или отрицательный) заряд диэлектрика.
l - плечо диполя, то есть расстояние между положительным и
отрицательным зарядами.
В диэлектрике, помещенном в переменное синусоидальное
электрическое поле с напряженностью E и угловой частотой , возникают
токи двух видов: ток смещения и ток проводимости.
Плотность тока смещения:
jсм   0E ,
(31)
где 0 – диэлектрическая проницаемость вакуума.
 – диэлектрическая проницаемость материала.
Плотность тока проводимости:
j пр   a E ;
(32)
где  a – активная проводимость диэлектрика на угловой частоте .
Плотность общего тока j равна векторной сумме плотностей токов
смещения и проводимости. Угол  между векторами плотностей
16
переменного тока диэлектрика и тока смещения на комплексной плоскости
называют углом диэлектрических потерь . Тангенс этого угла:
tg 
j пр
jсм

a
 0 ;
(33)
Добротность диэлектрика:
Q
1
tg ;
(34)
Электрическая прочность диэлектрика:
E пр 
U пр
h
,
(35)
где Uпр – напряжение пробоя диэлектрика.
h – толщина материала.
Удельная емкость диэлектрика:
C   0 ,
(36)
где  - приведенная длина участка изоляции (см. (4)).
Зависимость удельного сопротивления диэлектрика от температуры:
   0 e T ;
(37)
где  0 – проводимость диэлектрика при температуре окружающей среды
Т0=20єС .
 - температурный коэффициент сопротивления.
Мощность, выделяемая диэлектриком емкостью С, при подаче на него
напряжения U с угловой частотой :
Pa  U 2Ctg (T ) ;
(38)
Тепловая мощность, отводимая от образца диэлектрика нагретого до
температуры Т:
PT   S (T  T0 ) ;
(39)
где  – коэффициент теплоотдачи материала.
S – площадь поверхности диэлектрика.
Т0 – температура окружающей среды.
В условиях теплового равновесия:
Поэтому
U пр 
PT  Pa .
 S (T  T0 )
;
2fCtg (T )
tg  tg 0 etg (T T0 ) ,
(40)
(41)
тогда
17
U пр 
 S (T  T0 )
2fCtg 0 etg (T T ) .
0
(42)
4.Магнитные материалы.
Намагниченностью материала J называется суммарный магнитный
момент электронов в единице объема.
Намагниченность материала равна 0 в случае, когда он не был
намагничен, и внешнее магнитное поле отсутствует. Под воздействием
магнитного поля со средней напряженностью Н внутри тела
намагниченность равна:
J=H,
(43)
где  - магнитная восприимчивость.
Магнитная индукция вещества В связана с намагниченностью:
В=В0+J=B0+H,
(44)
где В0 – магнитная индукция вещества в отсутствии внешнего магнитного
поля.
Относительная магнитная проницаемость
=1+  /0,
(45)
где 0=410-7 Гн/м - магнитная постоянная вакуума.
Классификация материалов по магнитным свойствам:
Магнитная восприимчивость 
Материалы
 <0
 0
 >>0
Диамагнетики
Парамагнетики
Ферромагнетики
Остаточной индукцией Br называют индукцию, которая остается в
предварительно намагниченном образце после снятия внешнего магнитного
поля.
Коэрцитивная сила Hc – напряженность размагничивающего поля,
которое должно быть приложено к предварительно намагниченному образцу
для того, чтобы магнитная индукция в нем стала равной нулю.
Энергетические потери на гистерезис за один цикл перемагничивания,
отнесенные к единице объема вещества (удельные потери):
p   HdB ;
(46)
18
Зависимость магнитной индукции материала от напряженности
внешнего магнитного поля имеет форму петли гистерезиса.
Классификация материалов по форме петли гистерезиса:
Материал
Форма петли гистерезиса
Магнитомягкие
Узкая,
округлая,
площадь, Нс0
Материалы
с Узкая,
округлая,
прямоугольной
площадь, Нс0
петлей гистерезиса
(ППГ)
Магнитотвердые
Широкая, Нс>>0
Применение
небольшая Сердечники
трансформаторов
электрические машины.
небольшая Элементы памяти.
и
Для изготовления
постоянных магнитов.
Дополнительные параметры магнитных материалов вводят в частных
областях по признакам применения.
Например, для магнитных материалов с прямоугольной петлей
гистерезиса, основой элементов памяти, важным параметром является
коэффициент переключения:
Sф=(Нm-H0),
(47)
где Нm- напряженность магнитного поля, соответствующая максимальной
магнитной индукции Вm:
Нm4/3Hc
(48)
 - время переключения элемента памяти, т.е. время необходимое для
перехода из одного магнитного состояния в другое, например, от -Вr до +Вr;
Н0 – напряженность поля старта, т.е. минимальная напряженность поля,
необходимое для такого перехода.
Для магнитодиэлектрика, состоящего из связующего диэлектрика и
магнитного наполнителя магнитная проницаемость :

=а ,
(49)
где а- магнитная проницаемость наполнителя.
Диэлектрическая проницаемость
магнитодиэлектрика:


1=m Д
,
(50)
где
m, Д – диэлектрическая проницаемость наполнителя и диэлектрика
соответственно;
 - объемное содержание магнитного материала.
Геннадий Васильевич Перов
Наталья Евгеньевна Фадеева
Ирина Владимировна Решетнева
19
Химия радиоматериалов
Ч. II
Электрофизические свойства радиоматериалов
Контрольные задания и методические
указания к их выполнению
Редактор:
Корректор:
Лицензия ЛР-020475, январь 1998 г., подписано в печать
формат бумаги 62х84/16, отпечатано на ризографе, шрифт №10,
изд. л. 2,0, заказ №
, тираж
. СибГУТИ
630102, Новосибирск, ул. Кирова, 86.
20
,