Научно-производственный комплекс «Технологический центр» ПОЛУЗАКАЗНЫЕ БИС НА БМК Июнь 2015г. Главный конструктор направления ИМС, к.т.н. А.Н. Денисов УНИВЕРСАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Микросхема для организации трансформаторной развязки 3 Микросхема Н5503ХМ1-289 предназначена для работы в качестве генератора, питающего первичную обмотку трансформатора гальванической развязки для управления одним или двумя мощными полевыми транзисторами по каждому из 8 каналов. Пример реализации канала трансформаторной гальванической развязки Т1 VD1i +5В CLR Схема сброса R1i 30 кОм Н5503ХМ1-289 C1i 0,01мкФ ai Di Делитель на 8 FREQ С Генератор Драйвер Драйвер Драйвер Драйвер Драйвер Драйвер Драйвер Драйвер bi VD2i R2i 30 кОм C2i0,01 мкФ Микросхема тиристорной защиты 1469ТК015 4 Микросхема предназначена для предохранения электронной аппаратуры космических аппаратов от тиристорного эффекта, вызванного тяжелыми заряженными частицами и протонами. Микросхема обеспечивает отключение питания от защищаемых микросхем с помощью внешнего ключа Vt1 при превышении допустимого уровня тока потребления. Напряжение питания от 3В до 5В Rизм VT1 03 02 R SENS– SENS+ МРЗ С4 01 С1 Источник питания Микросхемауправления модулем тиристорной защиты С2 С3 VDD VCC 15 GND 24 GNDA 22 21 Защищаемая группа микросхем R1 28 23 17 07 GATE 08 ALARM ALRMEX 11 CAPLP CAPWD R2 WDEN WDI 10 R3 16 09 IPWOFF Rн WDST 14 VDD к микроконтроллеру VDD Сн Микросхемы тиристорной защиты 1469ТК025 и 1469ТК035 5 18 WDI 20 22 IPWOFF 16 ALARM 23 GATE WDST 21 17 С4 к микроконтроллеру Микросхемы 1469ТК025 и 1469ТК035 защиты от тиристорного эффекта предназначены для предохранения электронной аппаратуры космических аппаратов от тиристорного эффекта, вызванного тяжелыми заряженными частицами (ТЗЧ) и протонами. Особенности: • Напряжение питания 3,3В±10%; • Задаваемый порог срабатывания защиты от тиристорного защелкивания; • Задаваемые время реакции и время отключения питания при защите от тиристорного эффекта; • Аналоговое регулирование тока нагрузки после срабатывания защиты; • Необязательный дополнительный уровень защиты от VDD Rизм тиристорного защелкивания; 02 28 PIN 03 SENS– МРЗ Rн PIN • Сторожевой таймер с задаваемым временем таймаута; 04 01 PIN 12 VDD PIN 13 • Сигнализация о срабатывании защиты от тиристорного PIN 14 С1 27 VCC PIN 15 05 защелкивания и таймауте сторожевого таймера; GND POUT 06 26 POUT 07 GNDA • Возможность внешнего управления; POUT 08 С2 25 CAPLP POUT 09 • Защита от кратковременных нарушений питания; С3 24 CAPWD POUT 10 POUT • Разрешение для применения в специальной аппаратуре. 11 19 POUT WDEN Сн Микросхемы 5529ТР015-674 и 5529ТР015-675 6 Многофункциональные цифровые микросхемы (далее МФЦМ) предназначены для реализации по выбору функций двоичной логики, мультиплексоров, триггеров, регистров и счетчиков различной организации (всего 127 и 511 вариантов) и замены указанных устройств, выполненных в виде микросхем малой и средней степени интеграции, в аппаратуре специального назначения. МФЦМ изготовлены по радиационно-стойкой технологии. • Напряжение питания 3...3,3В ±10%. • Количество информационных входов — не более 10. • Количество информационных выходов — не более 8. • Количество адресных входов, определяющих функцию микросхемы — 7. • Регулируемая нагрузочная способность. • Радиационно-стойкая технология. • Разрешение для применения в аппаратуре специального и космического назначения. Микросхемы приёмо-передатчиков LVDS и LVDМ серии 5529ТР 7 Микросхемы реализованы на БМК серии 5529ТР034 и представляют собой 4-х канальные приёмо-передатчики LVDS и LVDМ. Данные микросхемы включают в себя 4 канала приёма и 4 канала передачи с общим управлением, являются аналогами микросхем DS90LV031 и DS90LV032. Выходной ток 3,5 мА или 7 мА (на сопротивление нагрузки 100 Ом или 50 Ом) Проведение предварительных испытаний планируется завершить в 2015 – 2016гг. КОНТАКТНАЯ ИНФОРМАЦИЯ 124498, МОСКВА, ПР.4806, Д.5, МИЭТ, НПК «ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ЦЕНТР» ТЕЛЕФОН: +7 (499) 720-8992 ФАКС: +7 (495) 913-21-92 HTTP://WWW.ASIC.RU, СПЕЦБМК.РФ E-MAIL: A.Denisov@TCEN.RU СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ