ИСПОЛЬЗОВАНИЕ СИНХРОТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ВЛИЯНИЯ ПРИМЕСЕЙ НА СИНТЕЗ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ НИТРИДА ТИТАНА ИЗ ПЛАЗМЫ ЭЛЕКТРОДУГОВОГО РАЗРЯДА Наноструктурирование поверхности. Оборудование и применения Источники низкоэнергетических электронных пучков Электродуговые и магнетронные распылительные системы Создание наноструктурных слоев на поверхности металлов и сплавов установки для комплексных технологий модификации поверхности и нанесения тонких пленок Источники ионов и плазмы Нанесение нанокомпозитных, нанокристаллических, функциональных покрытий на материалы и изделия Создание наноразмерных структур в твердых телах (квантовые точки и др.) ВАКУУМНАЯ ИОННО-ПЛАЗМЕННАЯ УСТАНОВКА «ДУЭТ» Основные параметры: - Размеры вакуумной камеры– 750750750 мм3; - Манипулятор – 12 позиций; - Рабочее давление – 10-1 – 1 Пa; - Ток плазмогенератора – до 80 A; - Ток дугового испарителя – до 150 A; - Напряжение смещения – до 1000 В; - Электроснабжение: - Сетевое напряжение – 380/220 В; - Количество фаз – 3; - Частота – 50 Гц; - Мощность – до 50 кВт; - Водоохлаждающий поток – не более 2 м3/ч. СХЕМА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ УСТАНОВКИ ДЛЯ КОМПЛЕКСНОЙ ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ термопара составной катод U вакуумная камера полый катод газ, Ar, N2 образцы напряжение смещения откачка ОСАЖДЕНИЕ НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ НИТРИДНЫХ ПОКРЫТИЙ (Ti-Cu-N, Ti-Si-N) С КОМПОЗИЦИОННЫХ КАТОДОВ (Ti-Cu, Ti-Si) В ДУГОВОМ РАЗРЯДЕ НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЕ ПОПЕРЕЧНОГО ИЗЛОМА ТВЕРДОГО СПЛАВА ВК8 С ПОКРЫТИЕМ Ti-Cu-N. Сканирующая электронная микроскопия HV = ~40 ГПа Ti-Cu-N HV = ~17 ГПа WC-Co Состав катода - Ti-12%Cu. Структура покрытия, полученного при распылении катода состава Ti-30 ат. % Cu. Электронная дифракционная микроскопия а b c 12 нм 10 нм а – светлопольное изображение; b – темнопольное изображение в рефлексе типа (111)TiN; c – микроэлектронограмма. Стрелкой указан рефлекс темного поля. Проблемы 1. Места локализации атомов металлов нанокристаллических покрытиях на основе TiN; в 2. Искажения кристаллической решетки основной фазы вторыми элементами; 3. Формирование вторыми элементами собственных подрешеток; эффекты упорядочения вторых элементов, расслоение твердого раствора; 4. Наличие фаз, формируемых вторыми элементами – тип решетки, морфология. VEPP-3 and VEPP-4M Collider Complex of the Budker INP 1983 1973 4. ROKK-1M ROKK-1M Detector KEDR 9 Схема станции «Аномальное рассеяние»: 1 - белый пучок «Си»; 2 - выходные щели монохроматора; 3 –кристалл- монохраматор; 4 - шаговые двигалтели гониометров монохроматора и детектора; 5 - ловушка прямого пучка; 6,7 - входные щели дифрактометра; 8 - рассеиватель; 9 - фрагмент вакуумного канала; 10 - выходное окно монохроматора; 11 - образец; 12 – фоновая щель; 13 – кристалл-анализатор; 14 детектор; 15 - шаговый двигатель анализатора; 16 – монитор входной интенсивности; 17 – вертикальная подвижка. Схема формирования нанокомпозитного покрытия (Ti-Cu-N, Ti-Al-N, Ti-Al-Si-N…) А – твердая фаза (TiN) ; В – дополнительный элемент (Cu) d<100 nm 50 nm ___ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПЛАЗМЕННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ДЛЯ ОБРАБОТКИ ДЕТАЛЕЙ И ИЗДЕЛИЙ Износостойкие покрытия THANK YOU FOR ATTANTION!