Термоэлектрические свойства взаимодействующих двумерных

Термоэлектрические свойства
взаимодействующих двумерных электронов в
диффузионном режиме.
В.Т. Долгополов1) и А. Гольд2)
Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
2) Centre d'Elaboration de Materiaux et d'Etudes Structurales
(CEMES/CNRS) ,Toulouse, France
1)
Термоэлектрические коэффициенты.
Si (100) MOSFET
ml=0.916 me , mt=0.19 me
depletion layer
Si-MOSFET
m= 0.19m0
two valleys
e=7.7
EC/EF  18
EC
EF, EC
EC >> EF
EF
electron density
К каким наблюдаемым эффектам
приводит сильное взаимодействие?
4
4
3
m/m , g/g
b
3
b
0
gm/g m
m/m
0
5
b
2
1
2
g/g
n=n
s
1
0
2
0
0
0
c
4
6
15
8
-2
n (10 m )
s
10
2
4
11
6
-2
n (10 cm )
s
8
10
Предполагаем справедливость t приближения
Если время релаксации t0 не зависит от энергии, то термо ЭДС
равна
При слабом взаимодействии (область больших электронных
концентраций) из ответа для термо ЭДС также полностью
выпадают все параметры, характеризующие рассеяние.
5
e(q,0) = 1+ qs/q{1- [1-(2 kF/q)2]1/2}. q>2kF
e(q,0) = 1+ qs/q
q<2 kF
qs= 2gvme2/(eLħ 2)
4
e
3
2
1
0
q
TF
2kF
q
В результате, частота рассеяния разлагается в ряд по малой поправке
ВЫВОДЫ
«Классические» выражения для термоэлектрических
коэффициентов не могут быть экстраполированы в
область сильного взаимодействия.
При сильном межэлектронном взаиможействии термоЭДС
cильно подавлена и обладает зависимостью от rs.