Компьютерная модель пузырькового кипения А.П. Солодов Московский энергетический институт Компьютерная модель пузырькового кипения конструируется из известных элементарных механизмов, таких как перегрев жидкости в процессе нестационарной теплопроводности при возобновляющемся контакте со стенкой, зарождение пузырьков на активных центрах парообразования, рост пузырьков в перегретой жидкости, испарение тонкой пленки под пузырьками. Новые представления применены при расчете плотности центров парообразования. Активные центры рассматриваются как структурные элементы шероховатой поверхности, имеющей фрактальный характер, c фрактальной размерностью 2 < D < 3. Статистика Линейные масштабы при пузырьковом кипении: критический радиус пузырьков Rcr, расстояние между активными центрами –1/2 парообразования L ~ N , отрывной радиус Rd. Для интенсивного кипения Rcr << L << Rd Популяция пузырьков с размерами порядка расстояния L между центрами парообразования является наиболее представительной. В простейшей реализации, пузырьки размером R < Rm, Rm = L, растут непрерывно, а затем испытывают столкновения (слияния), поверхность высвобождается, возобновляется контакт стенки с холодной жидкостью, и процесс повторяется. Плотность теплового потока q к жидкости принимается постоянной. На стенке имеют место температурные пульсации (x, t). Время ожидания twait рассматривается как период, в течение которого перегрев жидкости достигает уровня m , определяющего актуальную плотность центров парообразования N. Предполагается, что глобальное усреднение (x, t) определяет среднюю величину перегрева стенки m и среднюю величину коэффициента теплоотдачи α = q / m. Таким образом, для развитого пузырькового кипения как процесса статистической природы принимаются два конструктивных предположения: характерный размер пузырька Rm задается средним расстоянием между активными центрами парообразования актуальная плотность центров парообразования определяется средним температурным напором. Перегрев жидкости при возобновляющемся контакте w ( t ) al t 4 l q t 4 w (t ) Перегрев жидкости θ(t) сосредоточен в пределах слоя толщины потери энтальпии δw. Теплоподвод к пузырьку через границу с перегретой жидкостью 2 l qsh ( t ) sh ( t ) δsh(t) – толщина потери энтальпии “тепловой оболочки” пузырька, временная эволюция которой определяется специальным ДУ Нормирование величин Rr l R tw ; tr ; sh _ r sh ; wr w ; Rm Rm Rm Rm q Rm Re wRm qRm l hvl v l Масштабы: максимальный радиус пузырька Rm и приведенная скорость парообразования w = q/hvlρv Пленка под пузырьком, Re >> 1 Формирование остаточной пленки жидкости под пузырьком при Re >> 1 происходит под действием инерционных и вязких сил. Толщина жидкой пленки отождествляется с толщиной потери импульса радиального пограничного слоя под растущим полусферическим пузырьком и оценивается по уравнению : F 0 x C l t R x ; C 0.383 Испарение пленки: F x,t q t t R x F 0 x x R(t ) hvl l Локальный перегрев стенки x,t q F x,t l Пленка под пузырьком, Re << 1 Остаточный слой жидкости формируется под действием градиента лапласовского давления при ползущем пуазейлевском течении вязкой жидкости, вытесняемой растущим пузырьком пара. h h4 2 h t / Ca x h x x 2 Модельная задача: Ca = 3w/ – капиллярное число, соотношение вязких и капиллярных сил, малая величина для режимов кипения при высоком и умеренном давлении 1 0.8 0.6 2 h 3 1 2 0.4 3 1 0.2 0 -1 -0.5 0 0.5 1 x Релаксация сплющенного 1 или вытянутого 2 пузырька к равновесной форме 3 . t/Ca ~ 1; τ << Rm/w Пленка под пузырьком, Re << 1 Остаточный слой жидкости формируется под действием градиента лапласовского давления при ползущем пуазейлевском течении вязкой жидкости, вытесняемой растущим пузырьком пара. h h4 2 h t / Ca x h x x 2 Ca = 3w/ – капиллярное число, соотношение вязких и капиллярных сил, малая величина для режимов кипения при высоком и умеренном давлении Релаксация сплющенного или вытянутого пузырька к равновесной форме. t/Ca ~ 1; τ << Rm/w Перемещение двухфазного фронта вблизи стенки Ca H () H () H ()3 K () , K () H () 1 H () 2 3/ 2 xf = t1 xf = t2 1.5 h, Ca = 0.1 Circle 1 0.5 0 -1 1.5 -0.5 0 0.5 h, Ca = 5 Circle 11 0.5 0 -1 0 1 Автомодельные решения (сплошная кривая): (а) – Са = 5; (б) – Са = 0.1. Пунктирная линия – сферический пузырек у стенки Рост пузырька: система ОДУ для радиуса пузырька R(t) и для толщины тепловой оболочки δsh(t) dR( t ) q 1 l Cw Csh D dt hvl v hvl v sh ( t ) Слагаемые в правой части представляют: рост за счет теплового потока через основание пузырька рост за счет испарения на границе с перегретой жидкостью. Cw, Csh , Dδ – коэффициенты. d sh ( t ) al dR( t ) sh ( t ) 1 l 2 D D dt dt R( t ) hvl l sh ( t ) sh ( t ) Слагаемые в правой части представляют: уменьшение δsh в результате растяжения поверхности пузырька при его росте уменьшение δsh в результате абляции увеличение δsh в процессе нестационарной теплопроводности. Система ОДУ роста пузырька. Безразмерное представление sh _ r dtr dRr Cwsh _ r Csh tr D d sh _ r dRr 1 v D tr sh _ r Rel Prl l 2 Rr Cwsh _ r Csh tr D Rr – безразмерный радиус пузырька, Rr = 0 – 1, независимая переменная; tr – безразмерное время роста, зависимая переменная; δsh_r – безразмерная толщина тепловой оболочки (толщина потери энтальпии), зависимая переменная. Программный модуль Mathcad Bubble wait_r Rel wait IC w Rm Rcr We glob Params wait_r Rel 0 0 dYdR( X Y) mirror_dYdR X Y wait_r Rel We glob "XY: R tau delta_Shell:" XY Rkadapt IC Rr_init 1 nPoints dYdR XY rkfixed IC Rr_init 1 nPoints dYdR if blnAdapt otherwis e "Ub[0] can be infinite, becaus e i begin with 1" 0 for i 1 las t XY XYi 1 Ubi dYdRXYi 0 XY i 2 0 1 Rr XYi 0 i intShapei intHemiSphere if Rel Ubi Rr Reb i intSphere otherwis e intShape0 1 f0_r Film augment( XY Ub) Rel "Output: R tau dlt_Shell Ub dlt_Film :" Bbl augment XY Ub f0_r intShape Re = 200; p = 1 bar Re = 0.02; p = 200 bar Анимация (Mathcad) Пространственно-временное распределение перегрева стенки (Mathcad) ( X Tau Teta) Квазистационарная теплопроводность в окрестности растущего пузырька Для режимов Re << 1 возможно расширение тепловой оболочки пузырька до границ расчетной области, т.е. R + δsh Rm. При этом температурные пограничные слои у стенки δw и вокруг пузырька δsh перекрываются. В результате тепловой поток передается от обогреваемой стенки непосредственно к боковой поверхности пузырька в режиме квазистационарной теплопроводности Быстрая релаксация к квазистационарному режиму Фрактальная геометрия шероховатой поверхности и плотность активных центров N Д.А. Лабунцов, анализ размерностей: N Rcr2 ; L 1/ N ; L Rcr Измерения площади адсорбционными методами: N D ; 2 D 3, где D - фрактальная размерность. Данная работа: N Rcr R ; L Crough Rs D cr D2 2 Rcr Фрактальная поверхность, образованная триадной кривой Кох, D = 2.26. Анализ размерностей: N~R-2 Фактически: N~R-2.26 R=1 R=1/3 R=1/9 Случайное наложение ступенчатого профиля как пример фрактальной поверхности (Matlab), D = 2.5. Анализ размерностей: N~R-2 Фактически: N~R-2.5 Level =.2 40 38 36 34 Level=.5 0 20 40 0 40 10 20 30 40 38 36 34 0 20 40 0 10 20 30 40 Теплоотдача при кипении: сопоставление расчета и эксперимента 106 1 2 3 5 10 4 5 2 a, Вт/м К 6 7 104 8 9 10 103 104 105 106 107 q , Вт/м2 1 – 4 – эксперимент 1 – серебро, 2 – никель, 3 – хром, 4 – сталь 5 – 10 – расчет 5 – D = 2, p = 1 бар; 6 – D = 2, p = 100 бар; 7 – D = 2, p = 200 бар; 8 – D = 3, p = 1 бар; 9 – D = 3, p = 100 бар; 10 – D = 3, p = 200 бар Сравнение внутренних характеристик модели с прямыми измерениями [12, Moore F.D., Mesler R.B.] температурных пульсаций при кипении Температурные пульсации: эксперимент – кривая с точками, модель – пунктирная линия, модель + демпфирование – сплошная кривая (Mathcad) Анимации Re = 200; p = 1 bar Re = 0.02; p = 200 bar