26 октября 2005 года Растровая электронная микроскопия и элементный анализ Батурин А.С. Процессы на границе раздела среда-вакуум Термоэлектронная эмиссия Автоэлектронная и автоионная эмиссия Фотоэлектронная эмиссия Вторичная эмиссии (под действием ) – – Вторичные электроны, упруго-отраженные электроны и оже-электроны Вторично-ионная эмиссия Рассеяние частиц Устройство растрового микроскопа JEOL JSM-840 Электронная пушка Источник накала нити Rсм Ускоряющее напряжение (–Ue) dc 2 f Uсм 1 kTk eVa 2 i = 100 мкА, f = 5 мм, Va = 20 кВ, Tk = 2700 К, 4 dc = 2050 мкм 3 Электронно-оптическая система 1 2 D a 3 a b f1 f 2 ab f2 1 1 a = 200 мм, b = 300 мм, f1 = 25 мм, f2 = 20 мм уменьшение D = 88 Диаметр электронного зонда около 0.5 мкм b 4 5 ds 1 2 Cs α 3 Сs — коэффициент сферической аберрации линзы, обычно равный 2–3 фокусным расстояниям Диафрагмирование пучка Спектр вторичных электронов Электронная лавина в твердом теле Упруго-отраженные электроны (элементный контраст) Образец Cu-Cr Элементный контраст Упруго-отраженные электроны (топографический контраст) Схема детектора упругоотраженных электронов Истинно вторичные электроны Cu-Cr Углеродные нанотрубки Стереопары h X пр Xл Способы получения изображения в РЭМ Вторичные электроны Упруго-отраженные электроны – – Элементный контраст Топографический контраст Катодолюминесценция Наведенный ток Спектр вторичных электронов Оже-спектроскопия Характеристический рентген Способы детектирования характеристического рентгеновского излучения Волновой спектрометр Энерго-дисперсионный спектрометр Волновой спектрометр Операционный усилитель Глаз мухи Яичная скорлупа и крыло бабочки Спасибо за внимание!