Гришин А.М.

+
=Кадры Инновационной России
Заведующий кафедрой физики твердого тела Королевского Института Технологий (KTH, Stockholm, SWEDEN)
Профессор Гришин А.М.
Проект: «Оптимизация свойств оксидных пленок для применения
в 3D энергонезависимой памяти с наноразмерным масштабом компонентов» - ГК 02.740.11.5179
«Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы»
«Проведение научных исследований коллективами под руководством приглашенных исследователей в области химии и новых материалов»
Результаты совместных с ПетрГУ исследований
Reset
Compliance current Ic
-2
10
-3
Set
10
-4
10
Voltage V [Volts]
-5
10
-6
10
Current I [A]
Current I [A]
 Синтезированы МОМ-структуры на основе
одинарных, бинарных и многокомпонентных
оксидов, реализующих униполярное и биполярное
переключения с энергонезависимой памятью;
 Проведены экспериментальные и теоретические
исследования эффектов резистивного переключения;
 Определен механизм биполярного переключения в
структурах с двойным оксидным слоем Si-SiO2-V2O5-Аu
и La0.5Sr0.5CoO3-CeO2-Ag;
 Отработаны низкотемпературные технологические
приемы получения оксидных структур с параметрами
переключения оптимальными для использования в
ячейках 3D памяти;
 Получен опыт работы на FIB установке и зондовом
наноманипуляторе при изготовлении и тестировании
ячеек памяти на основе La0.5Sr0.5CoO3-CeO2-Ag
структуры.
-7
10
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-6
10
-7
10
-8
10
-9
0
2
4
6
8
10
12
Formimg process
-8
10
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
Voltage V [Volt]
ВАХ униполярного переключения
тонкопленочной сэндвич структуры Si/Nb/Nb2O5(90нм)/Au
Исследуемые оксидные материалы
Униполярное переключение: NiO, Nb2O5, Ta2O5, ZrO2;
Биполярное переключение: V2O5, CeO2;
Двухслойные структуры:VO2-V2O5, NbO2-Nb2O5,
TaOx-Ta2O5;
Мультиферроидные пленочные структуры: оксид
лантанида легированный (Fe, Mn, Ni) c подслоем
ферромагнетика.
Примеры микронных и субмикронных
контактных площадок полученных FIB
литографией
Матрица элементов памяти
ReRAM на гибкой подложке
Kapton
Методы синтеза, изготовления и тестирования структур
Термическое и лазерное распыление, магнетронное напыление, анодное окисление металлов, зольгель метод, катодно-анодная поляризация. Электронно-лучевая, оптическая и FIB литография.
Уникальная методика получения и тестирования структур микронного и субмикронного масштабов.
Проект: «Разработка гетероструктур на основе оксидных пленок для применения
в 3D энергонезависимой памяти с наноразмерным масштабом компонентов» - ГК 14.740.11.0895
«Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013»
«Проведение научных исследований коллективами под руководством приглашенных исследователей в области физики и астрономии»
О тд ел ь н ы м н а п р а вл е н и е м и с с л ед о ва н и й
является разработк а оксидных структур с
выпрямлением (гетероструктуры, диоды Шоттки)
для использования в составе легкомасштабируемой многослойной (3D) cross-point
1D-1R Resistive Random Access Memory (ReRAM)
c выбором оптимальных вариантов и
рекомендациями их использования.
.
Исполнители: Стефанович Г.Б., Величко А.А., Пергамент А.Л., Борисков П.П., Путролайнен В.В.,
Черемисин А.Б., Березина О. Я., Кулдин Н.А., Кундозерова Т.В., Параничев Д.К., Болдин П.А., Куроптев В.А.