5534ТХ014 шифр «Цифра-20» «Разработка и освоение производства на отечественном предприятии радиационно-стойкой сверхбольшой интегральной схемы 2...4 канального приемного тракта со встроенным 18-разрядным аналого-цифровым преобразователем» Целью выполнения ОКР является разработка радиационно-стойкой СБИС типа «система на кристалле» 2…4-канального тракта со встроенным 18-разрядным АЦП и программируемым АЛУ ЦОС. Т а б ли ц а 1 – Электрические параметры разрабатываемой СБИС Наименование параметра (2), единица измерения, режим измерения Буквенное обозначение параметра Норма параметра не не менее более Температура среды, °С Номер пункта примечания Максимальная частота минус 60 дискретизации АЦП, МГц f 3 25 1, 3 (UCCA=5 В ± 5%, UCCD=1,8 В ± 5%, 85 UCCDR=1,8 В ± 5%) Нелинейность, МР EL01 -3 3 25 1, 3 (UCCA=5 В, UCCD=1,8 В, UCCDR=1,8 В) Дифференциальная нелинейность, МР ELD - 1,75 1,75 25 1, 3 (UCCA=5 В, UCCD=1,8 В, UCCDR=1,8 В) Отношение сигнал-шум, дБ (UCCA=5 В, UCCD=1,8 В, SNR 85 25 1, 3 UCCDR=1,8 В, fIN=25 кГц) Динамический диапазон, свободный от помех, дБ SFDR 90 25 1, 2, 3 (UCCA=5 В, UCCD=1,8 В, UCCDR=1,8 В, fIN=25 кГц) Потребляемая мощность, Вт минус 60 (UCCA=5 В ± 5%, UCCD=1,8 В ± 5%, Pcc 2,5 25 1, 3 UCCDR=1,8 В ± 5%) 85 Выходное напряжение низкого минус 60 уровня, В UOL 0,4 25 1, 3 (UCCA=5 В ± 5%, UCCD=1,8 В ± 5%, 85 UCCDR=1,8 В ± 5%) Выходное напряжение высокого минус 60 уровня, В UCCDR‒ UOH 25 1, 3 (UCCA =5 В ± 5%, UCCD =1,8 В ± 5%, 0,2 85 UCCDR =1,8 В ± 5%) Примечания 1 Состав и нормы электрических параметров микросхем при приемке и поставке должны быть уточнены на этапе технического проекта и согласованы с предприятием-потребителем и организацией, определяемой Заказчиком. 2 Для 2-й и 3-й гармоник. 3 Значения режимных параметров UCCA, UCCDR могут уточняться согласно таблице 2 на этапе ТП. Т а б ли ц а 2 – Предельно допустимые и предельные режимы эксплуатации СБИС Наименование параметра (1), режима эксплуатации, единица измерения Напряжение питания аналоговой части микросхемы, В Напряжение питания цифровой части микросхемы, В Напряжение питания выходных буферных схем, В Входное дифференциальное напряжение полной шкалы, В p-p Частота тактирования ядра, МГц Буквенное обозначение параметра Предельнодопустимая норма при эксплуатации Предельная норма при эксплуатации не менее не более не менее UCCA 4,75 5,25 6 UCCD 1,71 1,89 1,98 UCCDR 1,71 1,89 1,98 UIDFS 2 2 FCLK 100 2 не более Номер пункта примечания 2 2 Примечания 1 Состав и нормы электрических параметров микросхем при приемке и поставке должны быть уточнены на этапе технического проекта и согласованы с предприятием-потребителем и организацией, определяемой Заказчиком. 2 Значения электрических режимов уточняются на этапе технического проекта (в зависимости от типа используемой технологии возможен вариант UCCA и/или UCCDR =3,3 В ± 5%).