ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ изучения дисциплин профиля Профиль "Химическая технология материалов и изделий электроники и наноэлектроники" - Основы научных исследований и инженерного творчества – 4 сем. полностью. Титов В.А. - Материаловедение 5 сем., Иванов А.Н. - Физическая химия твердого тела 6 сем., Шутов Д.А. - Физическая электроника и электронные приборы – 5 семестр полностью. Светцов В.И. - Технология тонких пленок и покрытий – 6 сем. Холодкова Н.В. - Техника высокого вакуума (вакуумные технологические установки) – 6 семестр полностью Холодков И.В. - Технология материалов электронной техники – 7 семестр. Шикова Т.Г. - Вакуумно-плазменные процессы и технологии – 7 семестр. Ефремов А.М. - Процессы микро и нанотехнологий – 7 семестр. Ситанов Д.В. - Технология и оборудование производства ИЭТ – 8 семестр. Шикова Т.Г. - Моделирование химико-технологических процессов – 7 семестр. Холодкова Н.В. - Корпускулярно-фотонные процессы и технологии (технология наноструктур) – 8 семестр. Смирнов С.А. Магистратура. 1. Теоретические и экспериментальные методы исследования в химии- 2 сем. 2. Процессы массопереноса с участием твердой фазы -1 сем. 3. Актуальные проблемы электроники и наноэлектроники (химической технологии) – 1 сем. Титов В.А. 4. Научные основы нанотехнологических процессов – 2 сем. Ефремов А.М. 5. Физическая химия поверхности – 1 сем. Рыбкин В.В. 6. Компьютерные технологии в науке и производстве – 1 сем. Смирнов С.А. 7. Методы экспериментального исследования поверхности – 3 сем. Титов В.А. 8. Методы математического моделирования (Автоматизированные системы научных исследований) – 1 сем. Смирнов С.А. 9. Приборы и технологии наноэлектроники (Физхимия неравновесных процессов) – 3 сем. Ефремов А.М. 10.Проектирование и технология электронной компонентной базы – Холодков И.В.3 сем. I. Профиль "Микроэлектроника и твердотельная электроника" - Основы научных исследований и инженерного творчества 4 сем. Титов В.А. - Материалы электронной техники – 3 сем.Титов В.А. - Физика конденсированного состояния – 4 сем. Рыбкин В.В. - Физическая химия материалов и процессов эл. техники – 5 сем. Рыбкин В.В. - Физические основы электроники – 6 сем. Светцов В.И., 5 сем. Холодков И.В. - Введение в нанотехнологии – 5 семестр, Ефремов А.М. - Наноэлектроника – 6 сем. Ситанов Д.В. - Схемотехника – 7 сем. Холодков И.В. - Основы проектирования электронной компонентной базы – 7 сем. Холодков И.В. - Техника высокого вакуума – 6 сем. Холодков И.В. - Основы технологии электронной компонентной базы – 6 сем. Иванов А.Н. - Технология материалов твердотельной электроники – 5-6 сем. Холодкова Н.В. - Процессы микро и нанотехнологий – 7 сем. Ситанов Д.В. - Технология и оборудование производства ИЭТ – 8 сем. Шутов Д.А. - Технология тонких пленок и покрытий – 6 сем. Холодкова Н.В. - Вакуумно-плазменные процессы и технологии – 7 сем. Ефремов А.М. - Корпускулярно-фотонные процессы и технологии – 8 сем. Смирнов С.А. - Математическое моделирование технологических процессов – 7 сем. Холодкова Н.В. - Нанотехнологии в электронике (Основы наноэлектроники) – 8 семестр, Ефремов А.М. Магистратура. 1. История и методология науки и техники в области электроники – 1 сем. Титов В.А. 2. Методы математического моделирования – 1 сем.Смирнов С.А. 3. Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники – 2 сем. Титов В.А. 4. Проектирование и технология электронной компонентной базы – Холодков И.В.3 сем. 5. Компьютерные технологии в науке и производстве – 1 сем.Смирнов С.А. 6. Научные основы нанотехнологических процессов – 2 сем. Ефремов А.М. 7. Физическая химия поверхности – 1 сем. Рыбкин В.В. 8. Методы экспериментального исследования поверхности – 3 сем. Титов В.А. 9. Технология профессионально-ориентир. обучения – 2 сем. 10. Приборы и технологии наноэлектроники (Физхимия неравновесных процессов) – 3 сем. Ефремов А.М. 11. Микро и нанотехнологические процессы в электронике – 3 семестр, Ситанов Д.В. Лекционная нагрузка преподавателей 1. Светцов В.И. 1 семестр. Физическая электроника и электронные приборы 51 час. 2 семестр. Физические основы электроники 45 час. 2. Рыбкин В.В. 1 семестр. Физическая химия материалов и процессов эл. техники 51 час. Физическая химия поверхности 34 часа. 2 семестр. Физика конденсированного состояния 51 час. 3. Ефремов А.М. 1 семестр. Введение в нанотехнологии 17 час Вакуумно-плазменные процессы и технологии 51 час. 2 семестр. Научные основы нанотехнологических процессов 34 часа 4. Титов В.А. 1 семестр. Материалы электронной техники 34 час. Методы экспериментального исследования поверхности 34 час. Методология научного и инженерного творчества 17 + 34 час. 2 семестр. История и методология науки и техники в области электроники 17 час. Основы научных исследований и инженерного творчества 17 час. + 68 час. 5. Смирнов С.А. 1 семестр. Компьютерные технологии в науке и производстве 34 час. Методы математического моделирования 34 час. 2 семестр. Корпускулярно-фотонные процессы и технологии 42 час. Современные проблемы химической технологии 17 (34 ПЗ) 6. Ситанов Д.В. 1 семестр. Процессы микро и нанотехнологий 34 час. Микро и нанотехнологические процессы в электронике – 3 семестр, 17 час. 2 семестр. Наноэлектроника 30 час. 7. Шикова Т.Г. 1 семестр. Технология материалов электронной техники 34 час. 10 гр. 2 семестр. Технология и оборудование производства ИЭТ. 35 (70)час. 10 гр. 8. Холодков И.В. 1 семестр. Физические основы электроники 34 час. Схемотехника 34 час. 2 семестр. Техника высокого вакуума 6 с. 30 час. Проектирование и технология электронной компонентной базы 34 час. 9. Холодкова Н.В. 1 семестр. Технология материалов твердотельной электроники 9 гр. 34 час. 2 семестр. Технология материалов твердотельной электроники 9 гр. 30 час. Технология тонких пленок и покрытий 30 час. 10. Шутов Д.А. 1 семестр. Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники 17 час. Основы проектирования электронной компонентной базы 34 час. 2 семестр. Технология и оборудование производства ИЭТ 35 (70) час. Физическая химия твердого тела 45 час. 11. Иванов А.Н. 1 семестр. Основы технологии электронной компонентной базы 38 час. Материаловедение 36 час 2 семестр.