Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю.А.
Кафедра «Физика»
АННОТАЦИЯ К РАБОЧЕЙ ПРОГРАММЕ
по дисциплине
Б.3.2.2 «Физика конденсированного состояния»
направления подготовки
223200.62 – "Техническая физика"
форма обучения – очная
курс – 3
семестр – 5
зачетных единиц – 2
часов в неделю – 2
всего часов – 72
в том числе:
лекции – 14
коллоквиум - 4
практические занятия – 18
лабораторные занятия – нет
самостоятельная работа – 36
зачет – 5 семестр
экзамен – нет
РГР – нет
курсовая работа – нет
курсовой проект – нет
Рабочая программа обсуждена на заседании кафедры ФИЗ
« 30» августа 2013 года,
протокол № 1
Зав. кафедрой, профессор ___________ Зимняков Д.А.
Рабочая программа утверждена на заседании
УМК по направлению 223200.62 – "Техническая
физика" «30» августа 2013 года,
протокол № 1
Председатель УМКН ______________ Зимняков Д.А.
Саратов 2013
1.Цели и задачи дисциплины, ее место в учебном процессе.
Курс физики конденсированного состояния является одним из курсов
теоретической подготовки бакалавров по специальности «Техническая
физика». Изучение курса физики конденсированного состояния способствует
формированию у студентов научного мировоззрения и современного
физического мышления.
Цель преподавания дисциплины:
Систематическое изложение способов и методов применения основных
принципов квантовой теории к исследованию свойств кристаллических
твердых тел. Студенты должны получить основные представления о физике
полупроводников, необходимые для выполнения курсовых и дипломных работ,
а также проведения самостоятельных научных исследований по своей
специальности.
Задачи изучения дисциплины:
Формирование и углубление целостных представлений о структуре и
симметрии кристаллов; получение знаний об основных свойствах
полупроводников
и
полупроводниковых
структур;
формирование
представлений о теориях электропроводности кристаллов; формирование
представлений об эффективной массе носителя заряда в кристалле, физической
природе возникновения энергетических зон в кристалле, физическом смысле
понятия дырки; формирование представлений о природе электрического тока в
полупроводниках, диффузии и дрейфе носителей заряда; формирование
представлений о p-n переходе и его свойства, методах измерения электрических
свойств полупроводниковых кристаллов.
2. Место дисциплины в структуре ООП ВПО
Для успешного усвоения дисциплины Б.3.2.2 «Физика конденсированного
состояния» студент должен обладать базовыми знаниями в таких дисциплинах
как Б.2.1.3 «Физика» (компетенции OK-1,2,6,9; ПК-2,3,4,11,12) и Б.2.1.1
«Математика» (компетенции OK-1,2,6,9; ПК-2,3,4,11,12).
Приобретаемые в ходе обучения по дисциплине Б.3.2.2 «Физика
конденсированного состояния» знания, умения и компетенции необходимы для
успешного изучения дисциплины Б.2.2.ДВ2.1 «Специальные задачи
кристаллооптики и кристаллоакустики», Б.2.2.ДВ4.1 «Введение в теорию и
практику автоматизации физического эксперимента», Б.3.1.6 «Физические
3. Требования к знаниям и умениям студентов по дисциплине.
Изучение дисциплины направлено на формирование следующих
компетенций:
общекультурные компетенции:
(ОК-1, ОК-2, ОК-6, ОК-7);
общепрофессиональные компетенции и компетенции в области научноисследовательской деятельности:
2
(ПК-1, ПК-2, ПК-5, ПК-17, ПК-21).
Студент должен знать: основные структуры кристаллов, основные свойства
полупроводников и полупроводниковых структур, представления о теориях
электропроводности кристаллов, представление об эффективной массе
носителей заряда в кристалле, физическую природу возникновения
энергетических зон в кристалле, физический смысл понятия дырки,
представления о природе электрического тока в полупроводниках, диффузии и
дрейфе носителей заряда, представление о p-n переходе и его электрических
свойствах, представления о методах измерения электрических свойств
полупроводниковых кристаллов.
Студент должен уметь: решать конкретные задачи, связанные с
рассмотрением основных свойств полупроводников и полупроводниковых
структур,
расчета
электрического
тока
в
полупроводниках
и
полупроводниковых
структурах, в том числе p-n переходе, измерить
электрические свойства полупроводниковых кристаллов.
Студент должен владеть: навыками работы с современной научной
инструментальной базой, методологией выделения физического содержания в
прикладных задачах будущей специальности, навыками постановки и
проведения физического эксперимента в области будущей профессиональной
деятельности.
3