УДК 539.2(06) Физика твердого тела Л.А. МАНАКОВА1, Т.В. СЫЧ Московский инженерно-физический институт (государственный университет) РНЦ “Курчатовский Институт”, Москва О МЕХАНИЗМЕ ОБРАЗОВАНИЯ КВАЗИЩЕЛИ В СПЕКТРАХ СОЕДИНЕНИЙ С ПОЧТИ ЦЕЛОЧИСЛЕННОЙ ВАЛЕНТНОСТЬЮ В данной работе впервые предложен механизм образования квазищели в спектрах соединений с почти целочисленной валентностью, в частности для нового соединения на основе иттербия (YbВ12), учитывающий природу особенностей спектра магнитных возбуждений. Кондо-изоляторы образуют особый класс валентно-нестабильных редкоземельных (РЗ) соединений с довольно необычными свойствами [1]. При низкой температуре это немагнитные узкощелевые полупроводники с энергией Ферми внутри щели. Наиболее известны Кондо-изоляторы из числа самариевых и цериевых систем (SmВ6, Се3Вi4Рt3). YbВ12 - единственный на данный момент Кондо-изолятор среди соединений на основе иттербия. Эксперименты по неупругому магнитному рассеянию нейтронов (НМРН) показали [2–4], что спектры магнитных возбуждений в YbВ12 существенно отличаются от спектров ТФ соединений. В частности, при низких температурах полностью отсутствует квазиупругое рассеяние, т.е. наблюдается "спиновая щель" (того же порядка, что и щель в плотности электронных состояний), исчезающая, однако, при повышении температуры. Механизм образования этой щели до сих пор неясен. Поскольку YbВ12 − соединение с почти целочисленной валентностью, мы предполагаем, что при Т = 0 тяжелофермионное состояние на уровне Ферми образуется за счет сильных кулоновских корреляций на основном уровне КЭП и слабой гибридизации этого уровня с электронами широкой зоны. В результате этого механизма на уровне Ферми образуется узкий (тяжелофермионный) пик с шириной порядка ТК, который определяется Кондо-эффектом. Кроме того, в соответствии с имеющимися экспериментальными данными [4], мы предполагаем, что имеется, по крайней мере, один возбужденный уровень КЭП, который расположен вблизи уровня Ферми на расстоянии, не превышающем ширину пика Кондо. В результате этих предположений возникает ситуация, когда вблизи уровня Ферми находятся три типа возбуждений: тяжелые фермионы, свободные электроны и возбужденный уровень кристаллического поля. В данной работе мы показываем, что за счет рассеяния различных типов ISBN 5-7262-0633-9. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2006. Том 4 197 УДК 539.2(06) Физика твердого тела возбуждений друг на друге как потенциальном, так и резонансном, может происходить уширение и сдвиг уровня кристаллического поля в зависимости от типа рассеяния и параметров системы. Сдвиг эффективного уровня кристаллического поля может превышать Т к и тем самым приводить к образованию щели в электронной плотности состояний. Все процессы рассеяния происходят с учетом того, что плотность электронных состояний вблизи уровня Ферми модифицирована за счет многочастичных эффектов. Были рассмотрены три разных случая: 1) когда основной уровень кристаллического поля орбитально не вырожден, 2) имеет промежуточное вырождение, 3) имеет большое вырождение (n >> 1). В первом случае влияние резонансного и потенциального рассеяния сводится к перенормировке положения исходного возбужденного уровня кристаллического поля, причем полученные решения лежат глубоко внутри пика Кондо. Второй случай рассматривался наиболее подробно. В частности, для n = 4 (случай YbВ12) была получена структура пиков, хорошо согласующаяся с экспериментом [4]. В рамках данной модели подобная структура возникает при помещении εd на «хвост» пика Кондо. Был также проделан подробный анализ зависимости решений от различных параметров, откуда был сделан вывод о том, что структура пиков наиболее чувствительна к степени вырождения основного уровня кристаллического поля. Третий случай n >> 1 может описывать ситуацию в Кондо-изоляторах на основе церия, например Ce3Bi4Pt3 [5]. Список литературы 1. Riseborough P.S., Advances in Physics. Vol.49. №3. 257–320 (2000). 2. Alekseev P.A., Nefeodova E.V., Staub U., Mignot J.-M., Lazukov V.N., Sadikov I.P., Soderholm L., Wassermann S.R., Paderno Yu.B., Shitsevalova N.Yu., A Murani, Phys.Rev. B 63, 06411-1-06411-6 (2001). 3. Bouvet A., Kasuya T., Bonnet M., Regnault L.P., Rossat-Mignod J., Iga F., Fak B. and Severing, J. Phys.: Condens. Matter 10. 5667–5677 (1998). 4. Nefeodova E.V., Alekseev P.A., Mignot J.-M., Lazukov V.N., Sadikov I.P., Paderno Yu.B., Shitsevalova N.Yu., Eccleston R.S., Phys. Rev. B 60. №19. 13507–13512 (1999). 5. Liu S.H., Phys. Rev. B 60. №19. 13429–13438 (1999). 198 ISBN 5-7262-0633-9. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2006. Том 4