Методичка Изучение переходных процессов в

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
Государственное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
“Пермский государственный университет”
Кафедра экспериментальной физики
ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Изучение переходных процессов в
полупроводниковых диодах
Методические указания к выполнению лабораторной работы
Пермь 2009
2
Составители: доц. А. С. Ажеганов, доц. И. Л. Вольхин
УДК 621.38
Твердотельная электроника. Изучение переходных
процессов в полупроводниковых диодах: метод. указ. к
выполнению лаб. раб. / сост. А.С. Ажеганов, И.Л. Вольхин;
Перм. гос. ун-т. – Пермь, 2009. –18 с.
Рассмотрены переходные процессы в полупроводниковых диодах,
даны рекомендации по выполнению лабораторной работы. Издание
соответствует программе курса «Твердотельная электроника».
Предназначено для студентов физического факультета специальности «Радиофизика и электроника».
Ил.8. Библиогр. 9 назв.
Печатается по постановлению методической комиссии физического факультета Пермского государственного университета в рамках
национального образовательного проекта
3
ВВЕДЕНИЕ
Настоящее издание продолжает серию описаний лабораторных
работ по курсу “Твердотельная электроника”. Для успешного выполнения лабораторной работы “Переходные процессы” необходим базовый уровень знаний по теории p–n-перехода. Поэтому перед выполнением лабораторной работы нужно самостоятельно изучить этот вопрос
с использованием конспекта лекций и рекомендованных учебников по
курсу “Твердотельная электроника”, а также методических указаний:
“Изучение статических характеристик полупроводниковых приборов”
и “Изучение барьерной емкости p–n-перехода”. Вопрос о создании в
базе диода встроенного электрического поля подробно описан в методическом указании “Изучение статических характеристик биполярных
транзисторов”.
1. ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ
ДИОДЕ С p–n-ПЕРЕХОДОМ
Переходные процессы в полупроводниковых диодах связаны в
основном с двумя явлениями, происходящими при быстром изменении
напряжения на диоде или тока, протекающего через диод:
1) При малых прямых напряжениях (Uпр < φ0) и соответственно
малых плотностях тока переходные процессы определяются перезарядкой барьерной емкости. От длительности переходного процесса
зависит максимальная рабочая частота цифровых и импульсных
устройств, детекторов высокочастотных колебаний в радиоприемных
и других устройствах.
2) При сравнительно больших плотностях прямого тока (при
Uпр ~ φ0) происходит накопление неосновных носителей заряда в базе
диода и их рассасывание при уменьшении напряжения. Эти процессы
ограничивают быстродействие мощных выпрямителей и ключевых
схем.
2. БАРЬЕРНАЯ ЕМКОСТЬ p–n-ПЕРЕХОДА
Для изготовления полупроводниковых диодов, как правило, используют несимметричные p–n-переходы. В них имеется низкоомная
область эмиттера с большой концентрацией атомов примеси
Nэ = 1017÷1019 см–3 и высокоомная область базы с меньшей концентрацией примеси Nб = 1014÷1015 см–3.
По обе стороны металлургической границы образуются слои полупроводника, обедненные основными носителями заряда (рис.1).
4
Электрическое поле объемного заряда ионизированных
Eвн
примесей Ек создает потенциальный барьер для основбаза
p–n-переход эмиттер
ных
носителей
заряда
+
n
-типа
p-типа
ψ0 = qφ0, где q =1.6·10–19 Кл
– элементарный заряд. Контактная разность потенциа|ΔQэ|
|ΔQб|
лов φ0 определяется отношением концентраций основных носителей заряда (электронов) в области эмиттера
nn и неосновных носителей
заряда (электронов) в базе
Δdn
Δdp
np:
dp+dn
nn/np = exp(φ0/φт),
где φт = kT/q – термический
Рис.1. Изменение толщины p–n-перехода и
–23
объемного заряда при приложении прямо- потенциал, k = 1.38·10
Дж/К – постоянная Больцго напряжения ΔU < φ0 к переходу
мана, Т – температура в градусах Кельвина. Концентрация nn и np в диапазоне рабочих температур
диода зависит от ширины запрещенной зоны ΔW и концентрации акцепторных Na и донорных Nd примесей [1-4, 7].
Приложение к p–n-переходу небольшого прямого ΔU << φ0 (или
обратного) напряжения приводит к появлению дополнительного поля
Евн, что вызывает изменение толщины обедненной области Δdp+Δdn и
объемного заряда ионизированных примесей ΔQ = |ΔQб| = |ΔQэ|. Отношение Сбар = |ΔQ/ΔU| определяет величину барьерной емкости перехода.
Eк
3. ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ МАЛЫХ НАПРЯЖЕНИЯХ
Эквивалентная схема диода приведена на рис.2. В момент включения импульса Uпр << φ0, поэтому
rб
Сбар
напряжение на p–n-переходе близко к
нулю, а ток через диод Iпр max = Uпр/rб
ограничен только сопротивлением базы
диода rб (рис.3).
По мере заряда барьерной емкости
rдиф
напряжение на p–n-переходе и ток через
Рис.2. Эквивалентная схема диод стремятся к установившимся значедиода для малых сигналов
ниям Uпр, Iпр, которые определяются
5
U
Uпр
а)
0
t
Uобр
Uпер
Uпр
б)
0
t
Uобр
I
Iпр max
Iпр
0
Iнас
Iобр max
в)
t
Рис.3. Временная зависимость:
а) напряжения на диоде U;
б) напряжения на p–n-переходе Uпер;
в) тока через диод I
дифференциальным сопротивлением p–n-перехода rдиф и сопротивлением rб.
В момент переключения напряжения на диоде с прямого на обратное напряжение на барьерной емкости не может измениться
мгновенно, оно достигает установившегося значения Uобр через некоторое время, как показано на рис.3,б. Ток через диод меняет свое
направление и спадает экспоненциально от Iобр max до тока обратносмещенного диода Iнас. Временная зависимость силы тока, протекающего через диод (рис.3,в), качественно совпадает с изменением силы тока, протекающего через конденсатор. Однако следует отметить, что
барьерная емкость является нелинейной.
6
4. ДИФФУЗИОННАЯ ЕМКОСТЬ p–n - ПЕРЕХОДА
Диффузионная емкость проявляется при прямом включении p–nперехода и большом уровне инжекции носителей заряда. Зонная
база
p-типа
p–n-переход
E=EкEвн
Qдиф
эмиттер
n+-типа
np(0) = npexpUпер/т
np(expUпер/т −1)
np
Wc
q(0U)
Ln
WF
W
Wv
U
+
–
pn
pр
dпр
х
0
Рис.4. Зонная диаграмма прямосмещенного p-n - перехода
диаграмма прямосмещенного p–n-перехода приведена на рис.4. На
рисунке изображен несимметричный p–n-переход с эмиттером электронов.
Напряжение U внешнего источника питания уменьшает величину
электрического поля в p–n-переходе E=EкEвн (Eк  контактное, Eвн −
поле внешнего источника питания) и повышает энергию электронов в
эмиттере n+-типа. При этом уровень Ферми WF (жирный пунктир на
рис.4) поднимается, потенциальный барьер уменьшается до величины
q(0U), толщина p–n-перехода уменьшается до величины
2( 0  U ) 0  1
1 

 , где  − относительная диэлектриче
q
 Na Nd 
ская проницаемость кристалла полупроводника, 0 = 8.86·10−12 Ф/м −
диэлектрическая постоянная, Na и Nd – концентрации акцепторных и
донорных примесей соответственно в эмиттере и базе. Из эмиттера в
базу течет диффузионный ток электронов. Концентрация электронов в
d пр 
7
базе на границе p–n-перехода np(0) = npexpU/т выше равновесной
концентрации электронов в глубине базы np. За счет разности концентраций np(0)−np = np(expU/т−1) начинается диффузия электронов в
глубину базы. Происходит их частичная рекомбинация с основными
носителями заряда в базе (дырками). По мере продвижения электронов
в глубину базы их избыточная концентрация убывает с увеличением х
по закону np(х)−np = [np(0)–np]exp(–x/Ln), здесь Ln – средняя длина
диффузии электронов, на которой концентрация электронов уменьшается в е ≈2.7 раз.
Следует отметить, что в соответствии с принципом электрической нейтральности из глубины базы дрейфуют дырки и вблизи p–nперехода возникает избыточный заряд дырок, уравновешивающий избыточный заряд электронов. Эти два заряда, возникшие в базе вблизи
границы p–n-перехода, и образуют заряд диффузионной емкости прямосмещенного p–n-перехода. Заряд диффузионной емкости не может
накопиться или рассосаться мгновенно. Поэтому при изменении
напряжения источника питания U возникает переходный процесс, который длится конечное время. Время переходного процесса определяется многими факторами: концентрацией неосновных носителей, коэффициентом диффузии D [1/см2·c], временем жизни неосновных носителей в базе τn и наличием встроенного в базу дополнительного
электрического поля.
Величину поверхностной плотности заряда диффузионной емкости можно оценить, если заменить экспоненциальное распределение
концентрации электронов в базе линейным, спадающим с np(0) до np на
средней длине диффузии Ln. Тогда поверхностная плотность заряда
рассчитывается
как
площадь
под
треугольником
Qдиф = qnp(expUпер/т−1)·Ln/2. Если пренебречь падением напряжения
на низкоомной области эмиттера, омических контактах и выводах диода, то напряжение на p–n-переходе Uпер = U−Uб, где Uб – падение
напряжения на высокоомной области базы. Величина диффузионной
емкости С = SQдиф/Uпер = Sqnp(expU/т−1)Ln/(2Uпер) нелинейно зависит
от напряжения питания U, здесь S – площадь p–n-перехода.
5. ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ ПРИ БОЛЬШОМ ИМПУЛЬСЕ
НАПРЯЖЕНИЯ
Рассмотрим переходные процессы, происходящие в полупроводниковом диоде при подаче большого импульса напряжения Uпр ≥ 0,
│Uобр│ > 0 (рис.5,а). Полагаем, что внутреннее сопротивление генератора напряжения много меньше сопротивления базы диода.
8
U
Uпр
φ0
а)
0
t
Uобр
Uб
Uпр
U−φ0
0
б)
t
Uобр
Uобр−φ0
Uпер
φ0
в)
0
t
Uобр
г)
I
Iпр
I(t1)
56789
0
Iнас
Iобр
1234
10
t
Рис.5.
Временная
зависимость:
а) напряжения на
диоде U;
б) напряжения на
базе Uб;
в) напряжения на p-n
- переходе Uпер;
г) тока, протекающего через диод I
9
В интервале времени от t0 до t1 напряжение на диоде U = 0, ток
I = 0, p–n-переход находится в состоянии термодинамического равновесия и концентрация электронов в базе составляет np0.
В момент времени t1 напряжение на диоде U скачком изменяется
от нуля до Uпр. Если не учитывать падение напряжения на эмиттере,
контактах и выводах диода, то оно распределится между базой Uб и p–
n-переходом Uпер. Для того чтобы понять, как распределится напряжение, необходимо учесть наличие барьерной емкости p–n-перехода.
Распределение концентрации носителей заряда в диоде мгновенно измениться не может, поэтому Uпер = 0.
В следующие моменты времени t2 и t3 происходит установление
равновесия: напряжение Uпер возрастает, стремясь к φ0, напряжение Uб
падает, стремясь к U−φ0, концентрация электронов в базе на границе
p–n-перехода увеличивается и начинается диффузия электронов в глубину базы (рис.6,а, кривые 2 и 3). По мере накопления в базе инжектибаза
p - типа
np
4
3
np0
0
np
база
p - типа
а)
np0
0
2
4
5
6
7
8
б)
1
x
0
x
10 9
0
Рис.6. Распределение концентрации неосновных носителей в базе
диода в различные моменты времени при включении диода в направлении: а) прямом; б) обратном
рованных электронов и уравновешивающих их заряд дырок сопротивление базы уменьшается, а ток через диод I возрастает (рис.5,г).
При длительном прохождении прямого тока процесс инжекции
электронов уравновешивается процессом их рекомбинации. Устанавливается состояние, при котором концентрация электронов и дырок
превышает равновесную вблизи p–n-перехода и снижается, стремясь к
равновесной np0 при удалении от него в глубь базы (кривая 4 на
рис.6,а). Ток через диод достигнет своего стационарного значения Iпр.
При изменении полярности импульса напряжения с Uпр на Uобр
(время t5) напряжение на базе изменяется скачком: Uб = Uобр−φ0. Начинается дрейф накопленных в базе неосновных носителей (электронов)
10
обратно в эмиттер. Наблюдается большой обратный ток через диод,
ограниченный в основном сопротивлением базы диода Iобр = Uб/rб
(рис.5,г). Пока концентрация электронов в базе около p–n-перехода
превышает равновесное значение, на p–n-переходе сохраняется прямое
падение напряжения (рис.5,в).
С течением времени все накопленные в базе электроны уходят
через p–n-переход или рекомбинируют в базе с дырками (кривые 6,7,8
на рис.6.б).
Затем начинается фаза восстановления высокого обратного сопротивления диода. В моменты времени t8, t9 и t10 распределение концентрации электронов в базе стремится к равновесному (кривая 10 на
рис.6,б), а ток I экспонециально уменьшается, стремясь к величине
тока обратносмещенного диода Iобр.
Процесс рассасывания накопленных неосновных носителей происходит значительно медленнее их накопления, поэтому именно его
время и определяет частотные свойства большинства диодов.
Для ускорения процесса рассасывания электронов из базы можно
уменьшить время жизни неосновных носителей, легировав базу атомами меди или золота, энергетические уровни которых располагаются
в глубине запрещенной зоны полупроводника. При этом электроны
захватываются на ловушках, а затем с уровня ловушек переходят на
уровень верха валентной зоны и рекомбинируют с дырками. При таком двухступенчатом процессе время жизни электронов уменьшается.
Если неравномерно легировать базу и создать “встроенное” электрическое поле, то электроны за счет двух механизмов диффузии и
электрического дрейфа быстрее достигнут границы p–n-перехода и
уйдут в эмиттер. Подробно о создании “встроенного” в базу электрического поля см. в работе [9, параграф 3.4.].
Если использовать оба приема, то время рассасывания заряда
диффузионной емкости может сократиться в четыре - пять раз.
6. ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ
Цель работы: Снятие осциллограмм и определение характерных
времен переходных провесов.
Приборы и принадлежности: генератор импульсов SFG-2110, осциллограф GDS-2102 (или аналогичные), исследуемые полупроводниковые диоды (выпрямительные и импульсные).
Задание
1. Собрать схему установки для снятия осциллограмм переходных процессов диодов согласно рис.7.
11
Осциллограф GDS-2102
SFG-2110
TTL/CMOS OUTPUT
OUTPUT
50Ω
внеш синхр
кан 1
VD
R
50
Рис.7. Схема установки для исследования осциллограмм переходных
процессов в полупроводниковом диоде
2. Установить исследуемый диод в разъем макета лабораторной
работы.
3. Установить режим работы генератора SFG-2110 согласно руководству по использованию (прилож.1).
4. Установить режим работы цифрового осциллографа GDS-2102
согласно руководству по использованию (прилож.2).
На экране осциллографа будет наблюдаться осциллограмма переходного процесса (рис.8).
Величины прямого Iпр и обратного Iоб токов определяют из осциллограммы по падению напряжения на сопротивлении R=50 Ом,
включенном последовательно с диодом VD.
Времена высокой обратной проводимости t1 и время восстановления tвос определить, как показано на рис.8.
5. При постоянном Iпр = U+/R = 1.0 В/ 50 Ом = 20 мА изменить величину Iобр, изменяя напряжение U– = 8÷2 В с шагом ΔU– =1 В. При
этом Iобр= (U–)/R. Измерить величины t1 и tвос при всех Iобр.
6. Поддерживая Iобр = 20 мА постоянным за счет постоянной разности U–−U+ =1.0 В, изменять величину Iпр, изменяя напряжение базового смещения U+=0.4÷2.0 В с шагом ΔU+=0.4 В. Измерить величины t1
и tвос при всех Iпр.
Обработка результатов измерений
1. Зарисовать осциллограммы переходных процессов диодов.
2. Построить графики зависимостей tвос = f(Iпр/Iобр) при Iпр = const.
12
высоколегированная база
низколегированная база
0.9 Iпр
Iпр = U+/R
t
0.1 Iоб
Iобр = U–/R
t1
tвос
Рис.8. Осциллограмма переходного процесса
3. Построить графики зависимостей tвос = f(Iпр/Iобр) при Iобр = const.
4. Рассчитать величину заряда, накопленного в базе диода

 t
Q  I обрt1  I обр exp   dt  I обр t1   , где τ= –(tвос–t1)/ln0.1 =
 
0

= (tвос–t1)/2.3.
5. Оценить величину диффузионной емкости Cдиф ≈ Q/φ0; для
германия, кремния и арсенид галлия принять φ0 = 0.3; 0.6 и 1.0 В соответственно. Построить график Сдиф = f(Iпр).
7. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. Как возникает барьерная емкость p–n-перехода?
2. Как возникает диффузионная емкость p–n-перехода?
3. Какие емкости диодов необходимо учитывать при переходном
процессе?
4. В какой области диода в эмиттере или базе происходит накопление заряда и почему?
5. Как происходит накопление и рассасывание заряда при переходном процессе?
13
6. Каковы механизмы рассасывания заряда в базе при переключении диода с прямого включения на обратное?
7. Нарисовать осциллограмму переходного процесса и объяснить,
как определяются времена высокой обратной проводимости и восстановления обратного сопротивления.
8. Каким образом можно уменьшить время переходного процесса?
9. Сравнить время переходного процесса в выпрямительных и
импульсных диодах.
10. Объяснить полученные графики.
Рекомендательный список литературы
1. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы.
СПб., 2006. 480 с.
2. Игумнов Д.В., Костюнина Г.П. Основы полупроводниковой
электроники. М., 2005. 392 с.
3. Гуртов В. Твердотельная электроника. М., 2005. 408 с.
4. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. М.,
1987. 479 с.
5. Баюков А.В., Гитцевич А.Б., Зайцев А.А. и др. Полупроводниковые приборы. Диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: справочник. М., 1987. 744 с.
6. Аронов Л.В., Баюков А.В., Зайцев А.А. и др. Полупроводниковые приборы. Транзисторы: справочник. М., 1985. 904 с.
7. Изучение статических характеристик полупроводниковых приборов: метод. указ. к выполнению лаб. раб. / сост. А.С.Ажеганов,
И.Л.Вольхин; Перм. гос. ун-т. – Пермь, 2007. – 24 с.
8. Изучение барьерной емкости p-n – перехода: метод. указ. к выполнению лаб. раб. / сост. А.С.Ажеганов, И.Л.Вольхин; Перм. гос. унт. – Пермь, 2008. – 16 с.
9. Изучение статических характеристик биполярных транзисторов: метод. указ. к выполнению лаб. раб. / сост. А.С.Ажеганов,
И.Л.Вольхин. Н.Н.Коротаев; Перм. гос. ун-т. – Пермь, 2007. – 21 с.
14
Приложение 1. Генератор сигналов специальной формы SFG-2110
Руководство по использованию при выполнении лабораторной
работы
1. Подключить к выходным разъемам генератора:
Ø «TTL/CMOS OUTPUT» – кабель со входа внешней синхронизации
осциллографа;
Ø «OUTPUT 50Ω» – кабель со входа установки для исследования переходных процессов.
2. Включить генератор
 «POWER» – нажать
3. Выбрать форму сигнала “прямоугольные импульсы”
кнопкой WAVE выбрать « »
4. Установить частоту следования импульсов 1 кГц:
кнопку 1 – нажать, кнопку kHz – нажать
5. Регулировка импульса прямого тока через диод:
☼ ручку регулятора «OFFSET» поднять (вытянуть на себя до щелчка);
☼ регулятором «OFFSET» установить необходимую амплитуду импульса прямого тока через диод. Амплитуду импульса определить по
картинке переходного процесса на экране осциллографа (рис.8), величина сопротивления R = 50 Ом
6. Регулировка импульса обратного напряжения на диоде:
☼ регулятором «AMPL» установить необходимую амплитуду импульса обратного тока через диод.
Примечание.
При необходимости (допустили ошибку в установке режима работы генератора) можно вернуться к заводским настройкам генератора:
кнопку SHIFT – нажать, кнопку 2 «DEFALT» – нажать
7. Выключение генератора:
 «POWER» – нажать
15
Приложение 2. Осциллограф цифровой GDS-2102
Руководство по использованию при выполнении лабораторной
работы
1. Подключить к входным разъемам осциллографа:
 «КАН 1» – кабель с выхода установки для исследования переходных процессов,
 «ВНЕШ СИНХР» – кабель с выхода синхроимпульса генератора
Г5-60.
2. Включить осциллограф
 «ВКЛ» – нажать
3. Подготовить к проведению измерений
КАН 1
– нажать
Кнопками F1 – F4 выбрать в меню КАНАЛ 1
Связь Вх
Инверсия
Огр П/П
Делитель
МЕНЮ
Выкл
Выкл
х1
– нажать
Кнопками F1 – F5 выбрать в меню СИНХР
Тип
Источник
Режим
Полярн
Режект
Шум флтр
Фронтом
Внешний
Ждущий

Выкл
Выкл
☼ ручкой «ВРЕМЯ/ДЕЛ» установить коэффициент развертки
2,5 s/дел или 1 s/дел;
☼ ручкой «ВОЛЬТ/ДЕЛ» установить размер изображения;
16
☼ ручкой «смещение Х» переместить точку начала развертки в левую
часть экрана
4. Измерение амплитудных и временных параметров сигнала
КАН 1
– нажать
кнопкой F1 выбрать в меню КАНАЛ 1
Связь Вх
☼ ручкой «СМЕЩЕНИЕ Y» совместить линию развертки со средней
горизонтальной линией сетки экрана,
кнопкой F1 выбрать в меню КАНАЛ 1
Связь Вх
КУРСОРЫ
– нажать
Измерение амплитуды прямого и обратного тока через исследуемый
диод
В меню КУРСОРЫ выбрать
Источник
Вертик
Канал 1
☼ ручкой «УСТАНОВКА» совместить линию активного вертикального курсора (горизонтальную линию на экране) с вершиной импульса
прямого тока через диод.
□ Прочитать в поле меню результат измерения напряжения U1:
В меню КУРСОРЫ выбрать
Источник
Вертик
Канал 1
☼ ручкой «УСТАНОВКА» совместить линию активного вертикального курсора (горизонтальную линию на экране) с вершиной импульса
обратного тока через диод.
□ Прочитать в поле меню результат измерения напряжения U2:
17
5. Измерение интервалов времени t1 и tвос
В меню КУРСОРЫ выбрать:
Источник
Вертик
Канал 1
☼ ручкой «УСТАНОВКА» совместить линию активного вертикального курсора (горизонтальную линию на экране) с вершиной импульса
обратного тока через диод.
□ Прочитать в поле меню результат измерения напряжения U2:
В меню КУРСОРЫ выбрать
Источник
Вертик
Канал 1
☼ ручкой «УСТАНОВКА» переместить линию активного вертикального курсора (горизонтальную линию на экране) на уровень
U1 = 0,1 U2.
В меню КУРСОРЫ выбрать
Источник
Горизонт
Канал 1
☼ ручкой «УСТАНОВКА» совместить линию активного горизонтального курсора (вертикальную линию на экране) с фронтом импульса обратного тока.
□ Этому положению курсора соответствует момент времени Т1: =
0,000 (проверить)
В меню КУРСОРЫ выбрать
Источник
Горизонт
Канал 1
☼ ручкой «УСТАНОВКА» совместить линию активного горизонтального курсора (вертикальную линию на экране) с моментом
начала экспоненциального спада обратного тока диода.
□ Прочитать в поле меню результат измерения времени Т2:
☼ ручкой «УСТАНОВКА» совместить линию активного горизонтального курсора (вертикальную линию на экране) с точкой пере-
18
сечения первого вертикального курсора (горизонтальной линии на
экране) с экспоненциальной кривой спада обратного тока диода
□ Прочитать в поле меню результат измерения времени Т2:
Содержание
Введение
1. Переходные процессы в полупроводниковом диоде с
p–n-переходом
2. Барьерная емкость p–n-перехода
3. Переходные процессы при малых напряжениях
4. Диффузионная емкость p–n-перехода
5. Переходные процессы при большом импульсе напряжения
6. Порядок выполнения работы
7. Контрольные вопросы
Рекомендательный список литературы
Приложение 1. Генератор сигналов специальной формы SFG-2110
Приложение 2. Осциллограф цифровой GDS-2102
3
3
3
4
6
7
10
12
13
14
15
19
Методическое издание
Составители Ажеганов Александр Сергеевич
Вольхин Игорь Львович
ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Изучение переходных процессов в полупроводниковых
диодах
Методические указания к выполнению лабораторной работы
Редактор Л.А. Богданова
Корректор А.С. Гурьева
Подписано в печать 15.12.2008. Формат 608416.
Усл. печ. л. 1,0.
Уч.-изд. л.0,8. Тираж 50 экз. Заказ
.
Редакционно-издательский отдел Пермского государственного университета
614990. Пермь, ул. Букирева, 15
Типография Пермского государственного университета
614990. Пермь, ул. Букирева, 15