AS “АLFA RPAR” Рижский завод полупроводниковых приборов Рига, Латвия www.alfarzpp.lv; alfa@alfarzpp.lv 2Т392А-2 Бескорпусной кремниевый высокочастотный р-п-р транзистор малой мощности Типовое значение граничной частоты передачи тока fГР = 450 МГц Максимальная рассеиваемая мощность коллектора РКmax= 120 мВт Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКэmax=40В Тип изделия НомерТУ Тип корпуса 2T392A-2 ХМ3.365.022 ТУ Без корпуса, сопроводительная тара ТС4, ТС1б Бескорпусные на диэлектрической подложке с гибкими выводами и защитным покрытием кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р высокочастотные усилительные транзисторы 2Т392А-2 предназначены для использования в неремонтируемых гибридных схемах, микромодулях, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры. Маркировка транзисторов соответствует техническим условиям ХМ3.365.022 ТУ. Знаком Н обозначаются изделия повышенной надежности. Размеры кристалла 0,5 х 0,5 мм. Схема расположения выводов Сопроводительная тара 2Т392А-2 ТС4 ТС1б Основные электрические параметры при температуре: 0°C ÷ + 70°С Буквенное обозначение Наименование параметра, (режим измерения), единица измерения 2Т392А-2 не менее не более Обратный ток коллектора (UКБ=40В), мкА IКБО 0,5 Обратный ток эмиттера (UЭБ=4 В), мкА IЭБО 0,5 Статический коэффициент передачи тока (UКБ= 5 В, IЭ= 2,5 мА, tИ ≤2 мс, f ≤ 50 Гц) Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКБ=5 В, IЭ= 2,5 мА, f =100 МГц) Граничная частота коэффициента передачи тока (UКБ= 5 В, IЭ= 2,5 мА), МГц Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (UКБ=5 В, IЭ=2,5 мА, f=30 МГц), пс Емкость коллекторного перехода (UКБ= 5 В, f = 5 МГц), пФ Емкость эмиттерного перехода (UЭБ= 1 В, f = 5 МГц), пФ Коэффициент шума (IК=100 мА, IБ=1 мА), дБ * - типовое 1 2014 v1 h21Э 40 │h21Э│ 3 fГР 300 180 τK 120 СК 2,5 СЭ 5 КШ 4,3*- 4,8* AS “АLFA RPAR” Рижский завод полупроводниковых приборов Рига, Латвия www.alfarzpp.lv; alfa@alfarzpp.lv 2Т392А-2 Предельные значения допустимых электрических режимов эксплуатации Наименование параметра, единица измерения Максимально – допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В Максимально – допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤10кОм, В Максимально – допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В Максимально – допустимый постоянный ток коллектора, мА Буквенное обозначение 2Т392А-2 UКБmax 40 UКЭmax 40 UЭБmax 4 IКmax 10 Импульсный ток коллектора при tИ ≤ 10 мкс, Q 2, мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора в условной микросхеме, мВт о при Т≤+65 С о при Т=+85 С Тепловое сопротивление переход - кристаллодержатель, о С/Вт о Общее тепловое сопротивление, С/Вт о Температура перехода, С IKИmax 20 Iэ =2,5 мА 0,7 0,7 0,5 2 100 RТп-с Тп 450 125 1,1 0,9 0 RТп-к h21э/h' 21э 0,9 0,5 120 88 Основные типовые зависимости параметров транзисторов h21э/h' 21э 1,1 РКmax Примечание 4 6 8 10 UКБ,В Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база UКБ = 5В 0 4 8 12 16 20 Iэ, мА Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. Kш, дБ 5,2 Kш, дБ 5 5 4,8 Iэ = 2,5 мА f = 100 МГц Rг = 75 Ом 4,4 UКБ = 5 В f = 100 МГц Rг = 75 Ом 4,8 4,4 4 0 4 8 12 16 20 UКБ, В 0 Зависимость коэффициента шума от напряжения коллектор-база 2 2014 v1 2 4 6 8 10 Iэ ,мА Зависимость коэффициента шума от тока эмиттера