Рекламная листовка к выставке «RusnanotechExpo

620102, Екатеринбург, ул. Белореченская, 30, а/я 313
Http://www.zaovip.ru E-mail: zakaz@zaovip.ru
Тел./факс: +7 (343) 302-03-53
«RusnanotechExpo-2011»
ЗАО «НПК «ВИП» специализируется на разработке и серийном производстве сенсоров и датчиков физических величин, систем
электропитания и элементов систем управления.
Организованное в 1994 году предприятие, начало свою деятельность с разработки и организации серийного выпуска систем электропитания
для железнодорожной автоматики.
С 1998 года было начато освоение производства сенсоров давления на основе технологии «кремний на сапфире». После успешной
реализации данного проекта на предприятии была разработана линейка датчиков давления.
ЗАО «НПК «ВИП» укомплектовано штатом высококвалифицированных разработчиков, конструкторов и технологов, что позволяет постоянно
проводить НИОКР с целью создания новых продуктов и технологий, а также совершенствования существующих.
С 2007 года предприятие принимает участие в реализации проектов в области нанотехнологий. Совместно с партнерами по реализации
проектов в этой области (Институт физики металлов Уральского отделения РАН, Уральский федеральный университет, ФГУП «НПО
автоматики») были разработаны приборы на основе магниточувствительных наноструктур, которые выпускаются серийно.
Проект: «Организация серийного производства датчиков физических величин на базе
наноструктурированных сред»
Среды ГМР
Ситалловые подложки с наноструктурированной магниточувствительной средой на основе слоистых
структур Fe/Cr с гигантским магниторезистивным эффектом (ГМР) и сформированными топологическими
структурами чувствительного слоя на основе ГМР среды.
Эффект состоит в зависимости электрического сопротивления среды от угла между намагниченностями
в разных слоях Fe, первоначально ориентированных антипараллельно. Эффект изотропен к магнитному
полю.
Среды АМР
Кремниевые пластины с наноструктурированной магниточувствительной средой на
основе пермаллоя с анизотропным магниторезистивным эффектом (АМР) с
внутренним магнитным смещением и сформированными топологическими
структурами чувствительного слоя на основе АМР среды.
Эффект состоит в зависимости электрического сопротивления среды от угла между
намагниченностью и током в среде.
Среды с эффектом «спинового клапана»
Кремниевые пластины с наноструктурированной магниточувствительной средой на основе обменносвязанных пар ферромагнитных слоев, один из которых закрепляется за счет взаимодействия с
антиферромагнетиком, а второй относительно свободно вращается в малых магнитных полях.
Реализуются два состояния с параллельной и антипараллельной ориентацией слоев со скачкообразным
переходом между ними в полях единицы и десятки эрстед.
Среды поликремний на диэлектрике
Исходные структуры для формирования чувствительных элементов датчиков давления.
Первичные АМР преобразователи
Устройства, преобразующие угловое положение либо величину и знак магнитного поля, в
пропорциональный ненормированный потенциальный выходной сигнал. Для угловых преобразователей
используется АМР среда без магнитного смещения. Для преобразователей величины и знака магнитного
поля (датчики магнитного поля и электрического тока) используется внутреннее магнитное смещение,
линеаризующее выходную характеристику и делающее ее нечетной, чувствительной к знаку магнитного
поля.
620102, Екатеринбург, ул. Белореченская, 30, а/я 313
Http://www.zaovip.ru E-mail: zakaz@zaovip.ru
Тел./факс: +7 (343) 302-03-53
Первичные ГМР преобразователи
Устройства, меняющие сопротивление входящих элементов в зависимости от модуля внешнего поля.
Подбирая соотношения толщин прослоек Fe и Cr можно в широких пределах менять обменную связь
между слоями Fe и, тем самым, варьировать верхний предел измерения от единиц до десятков
килоэрстед.
Первичные преобразователи ГМИ
Устройства, преобразующие величину и знак магнитного поля, в пропорциональный ненормированный
потенциальный выходной сигнал. Кремниевые пластины с наноструктурированной
магниточувствительной средой на основе слоев пермаллоя и меди. При питании высокочастотным током
входящие элементы меняют активное и реактивное электрическое сопротивление в зависимости от
величины и направления внешнего магнитного поля.
Датчик тока
Назначение: измерение мгновенной величины тока и формирование нормированного выходного сигнала,
пропорционального силе тока. Информация передается по интерфейсу RS-485.
Область применения: в системах учета электроэнергии, в системах автоматизированного управления
технологическими процессами.
Датчик магнитного поля на эффекте гигантского магнитоимпеданса (ГМИ)
Назначение: Измерение слабых магнитных полей
Область применения: регистрация биомаркеров, системы безопасности и контроля доступа,
неразрушающий контроль.
Бесконтактный интеллектуальный датчик углового положения (индикатор
углового положения - ИУП)
Назначение: определение углового положения вала.
Область применения: определение углового положения лопаток впускного направляющего аппарата
газотурбинного двигателя в системе автоматизированного управления.
Датчик частоты вращения
Назначение: определение частоты вращения вала (шестерни).
Область применения: ДЧВ МР используется в системах автоматизированного управления (САУ) и
локальных системах управления (ЛСУ), в том числе дизель-генераторов (ДГ), размещаемых на судах и
кораблях - САУ АДГ и ЛСУ ДГ. ДЧВ МР может применяться в САУ газовых турбин, а так же в других
системах и механизмах, требующих определения частоты вращения. ДЧВ МР может использоваться в
качестве датчика близости ферромагнитной массы, например в концевых выключателях.