нитрид галлия как один из перспективных материалов в

технологии
6
рубрика
Нитрид галлия
как один из перспективных
материалов в современной
оптоэлектронике
Андрей Туркин
В статье приводится исторический обзор исследовательских работ по нитриду галлия (GaN), который является в настоящий момент основой для
производства полупроводниковых источников света в коротковолновой —
синей и зеленой — области спектра. Также нитрид галлия применяется при
производстве белых светодиодов, на которых построены современные
светотехнические устройства.
Введение
Начиная с середины 90‑х годов ХХ века о нитриде галлия (GaN)
и его твердых растворах заговорили как об одном из самых пер‑
спективных оптоэлектронных материалов. Спектр его примене‑
ния в оптоэлектронике действительно широкий: светодиоды синезеленой области видимого спектра, светодиоды ближнего ультра‑
фиолетового диапазона, активные среды лазерных диодов и др.
Стоит также отметить, что структуры на основе GaN перспективны
не только в оптоэлектронике, но и для разработки компонентной
базы силовой и СВЧ-электроники — диодов Шоттки и транзисторов.
Максимум спектров первых светодиодов на основе гетерострук‑
тур GaN и его твердых растворов InGaN и AlGaN лежал в интервале
энергии ђωmax = 2,55–2,75 эВ в синей, ђωmax = 2,38–2,45 эВ в зеленой
и ђωmax = 2,48–2,6 эВ в сине-зеленой областях [1, 2]. Спектральные
данные приведены на рис. 1 [2]. Полученные результаты открыли для
полупроводниковых светодиодов дорогу в коротковолновую часть
видимого спектра — в диапазон длин волн от 400 до 550 нм [1, 2]. Это
позволило светодиодам перекрыть полностью весь видимый диапа‑
Рис. 1. Спектры электролюминесценции светодиодов на основе
гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia
при комнатной температуре и токе J = 10 мА:
I — первая группа; II — вторая группа; III — третья группа
зон и сделало возможным применение светодиодов в полноцветных
устройствах: индикаторах, экранах и т. д.
GaN — очень интересный и перспективный материал. В статье мы
рассмотрим некоторые подробности работ по развитию технологии
получения структур на основе GaN с исторической точки зрения.
Первые исследования структур на основе GaN
Новыми перспективными оптоэлектронными материалами с ши‑
роким спектром практических применений в качестве активных сред
в лазерных диодах и светодиодах в области коротких длин волн яв‑
ляются структуры на основе полупроводниковых нитридов (GaN,
AlN и некоторые соединения типа AlGaN и InGaN). Одно из направ‑
лений — это создание ярких источников света в коротковолновой
(сине-зеленой) области видимого спектра и ближней ультрафиоле‑
товой области спектра, а также создание источников белого цвета
на основе системы «кристалл – люминофор»: полупроводниковый
кристалл, покрытый люминофором.
Первые работы по исследованию GaN проводились в Принстонском
университете США в 1930–40‑х годах [3]. Когда GaN стали рассматри‑
вать как самый перспективный материал для создания полупроводни‑
ковых светодиодов в коротковолновой области спектра, исследования
были продолжены в лаборатории компании RCA [3]. Для получения
этого материала использовали реакцию аммиака с жидким галлием,
протекающую при повышенной температуре. В качестве подложки
для выращивания структур GaN выбрали сапфир. Исследования выра‑
щенных пленок показали, что без легирования такая подложка облада‑
ет проводимостью n-типа, и для получения p-n-перехода необходимо
было подобрать соответствующую примесь, позволяющую получить
материал p-типа. В качестве такой примеси использовали цинк, но тех‑
нологическая сложность состояла в том, что при высоких концентра‑
циях цинка пленки GaN становились диэлектриками [3].
В начале 1970‑х годов в лаборатории RCA были получены структу‑
ры металл-диэлект-рик-полупроводник (МДП), в которых наблюда‑
лась электролюминесценция голубого — с длиной волны 475 нм —
и зеленого цвета свечения [3]. Эти МДП-структуры стали первыми
светодиодами на основе GaN.
В дальнейшем технологи заменили цинк магнием. В результате это‑
го удалось получить структуру, излучающую свет в голубом и фио‑
летовом — с длиной волны 430 нм — диапазоне. Следует, правда, от‑
метить, что полученные исследователями в 1970‑х годах пленки GaN,
КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 5 '2011
рубрика
легированные магнием, не обладали проводимостью p-типа, а также
были диэлектриками, поэтому люминесценция в них протекала либо
за счет инжекции неосновных носителей, либо за счет ударной иони‑
зации диэлектрических слоев структуры в сильном электрическом
поле. Исследователи группы Жака Панкова даже предложили модель,
описывающую принцип действия такого МДП-светодиода, которая
основана на ударной ионизации и туннельном эффекте ФаулераНордхейма, параметры которой практически не зависят от температу‑
ры [3, 4]. К сожалению, такие светодиоды обладали очень низким кван‑
товым выходом и эффективностью, поэтому работы по GaN были
приостановлены почти на десять лет.
В 1980‑х годах работ по GaN в Европе и США практически не было.
Но их продолжали вести исследователи в Советском Союзе и Японии.
В начале 1980‑х годов приоритетными были работы Г. В. Сапарина
и М. В. Чукичева (МГУ им. М. В. Ломоносова) по активации люми‑
несценции в GaN, проводившиеся на физическом факультете [5–7],
и работы исследовательской группы В. Г. Сидорова в Ленинградском
Политехническом Институте (ныне Санкт-Петербургский Технический Университет) [8].
Японским ученым из университета Нагойи под руководством про‑
фессора Исаму Акасаки в конце 1980‑х годов удалось получить све‑
тодиод на основе GaN со слоем p-типа [3, 9, 10]. Стойкие акцепторы
магния активировались при облучении структур GaN электронным
пучком; возможность этого в GaN-структурах с акцепторами цинка
показали в своих работах исследователи из МГУ им. М. В. Ломоносова
в начале десятилетия. Дополнительное легирование p-слоя GaN по‑
зволяет улучшать эффективность активации глубоких акцепторов [3,
9, 10]. Этот прорыв открыл дорогу к использованию GaN-структур
с p-n-переходом в оптоэлектронике, да и в электронике в целом. В на‑
стоящее время на основе GaN-структур, легированных магнием, из‑
готавливают полупроводниковые светодиоды и лазерные диоды,
излучающие сигнал в коротковолновой области видимого спектра.
технологии
7
разными группами ученых в различных институтах, университетах
и исследовательских центрах США, в странах Азии и Европы, в том
числе и в России [1, 15, 16]. Были организованы специальные секции
по GaN и сопутствующим материалам на различных конференциях
по полупроводниковым соединениям и физике полупроводников
(например, сессии на ежегодном Симпозиуме Материаловедческого
Общества (MRS) в Бостоне), а также специальные семинары и конфе‑
ренции по GaN во всем мире (например, Европейский семинар по GaN
(EGW) или Международная конференция по полупроводниковым
материалам на основе нитридов (ICNS)). Начиная с 1997 года в России
усилием исследовательских групп физического факультета МГУ
им. М. В. Ломоносова и ФТИ им. А. Ф. Иоффе стали проводиться рабо‑
чие совещания по GaN и приборам на его основе (рабочее совещание
«Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы»), в ко‑
торых принимали участие представители ведущих институтов России
и стран СНГ, а также зарубежные исследователи. Начиная с 2001 года
это совещание получило статус Всероссийской конференции, которая
проводится раз в полтора года поочередно в Москве на физическом
факультете МГУ им. М. В. Ломоносова и в Санкт-Петербурге в ФТИ
им. А. Ф. Иоффе.
Первые структуры, несмотря на указанный достаточно высокий
квантовый выход, содержали большое количество примесей и дефек‑
тов [1, 2, 15, 16], что снижало их эффективность. В спектрах синих
светодиодов при низких значениях прямого тока наблюдалась тун‑
нельная полоса под действием сильных электрических полей в актив‑
Светодиодные структуры GaN
на подложках из сапфира
В самом начале 1990‑х годов японские исследователи создали пер‑
вый светодиод на основе GaN-структур с p-n-переходом. Структура
светодиода была выращена на сапфировой подложке. Такой свето‑
диод излучал свет в ультрафиолетовом и синем диапазоне, его КПД
составлял порядка 1%. Для того времени это была достаточно боль‑
шая величина для GaN на сапфировой подложке, когда наблюдается
сильное рассогласование параметров решетки.
Буквально через год сотрудники японской компании Nichia
Chemical во главе с Шуджи Накамурой разработали новую систему
выращивания GaN методом металлоорганической газофазной эпи‑
таксии и предложили более технологичный способ активации ак‑
цепторов магния путем высокотемпературного отжига. В результате
они получили первые светодиоды голубого и зеленого цвета свече‑
ния [3, 11, 12]. Эти светодиоды были изготовлены на основе гетеро‑
структур GaN и его твердых растворов InGaN и AlGaN голубого и зе‑
леного цвета свечения, КПД этих светодиодов достигал 10% [13]. Еще
через некоторое время группа Шуджи Накамуры разработала сначала
первые импульсные лазеры, а затем и первые лазеры непрерывного
излучения на основе GaN и его твердых растворов, работающие при
комнатной температуре [14].
Исследователи фирмы Nichia показали также, что кристаллы
на основе GaN и его твердых растворов подходят для получения све‑
тодиодов белого свечения. Был предложен метод использования лю‑
минофоров, преобразующих длину волны синего свечения кристал‑
ла в желто-зеленое свечение [3]. Как результат сложения сигналов
в указанных диапазонах получается белый цвет свечения.
Успехи технологии создания светодиодных структур на основе GaN,
которые были достигнуты в середине 90‑х годов XX века, дали опреде‑
ленный импульс развитию исследований данного материала во всем
мире. Первые светодиодные структуры на основе GaN исследовались
КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 5 '2011
Рис. 2. Спектры туннельного излучения голубого светодиода (B3)
на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами
фирмы Nichia при токах J = 35–100 мкА, напряжениях V = 2,16–2,34 В:
a) линейный масштаб;
б) логарифмический масштаб
(точками показана теоретическая аппроксимация при токах 60 и 90 мкА)
www.kite.ru
8
технологии
рубрика
Рис. 3. Вольт-амперные характеристики голубого светодиода (B3) на основе
гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia:
1, 2 — прямое напряжение; 3, 4 — обратное напряжение;
1, 3 — T = 300 K; 2, 4 — T = 77 K; 5 — EJ = dV/d (lnJ)
ной области, обусловленных флуктуацией потенциала и кулоновски‑
ми полями примесей [15]. Аналогичные туннельные составляющие
наблюдались и на вольт-амперных характеристиках [15]. При обрат‑
ном напряжении, равном примерно 3Eg, в структурах синих свето‑
диодов происходили ионизационный пробой и ударная ионизация,
при которых также возникало свечение [16]. В спектрах наблюдалась
широкая полоса в диапазоне энергии квантов 2,2–2,3 эВ, что соот‑
ветствовало «желтой полосе» дефектов в GaN, связанной с донорноакцепторными парами и/или двойными донорами [16]. Графики,
иллюстрирующие данные результаты, приведены на рис. 2–4 [15, 16].
Вслед за компанией Nichia технологию выращивания светодиодных
кристаллов на подложках из сапфира (Al2O3) стали осваивать и другие
компании. Развитие шло довольно быстрыми темпами. Постепенно
концентрации дефектов и дислокаций в структурах уменьшались, тем
самым улучшалось их качество. Сейчас многие компании выпускают
светодиодные кристаллы на основе гетероструктур GaN и его твердых
растворов, выращенных на подложках Al2O3, синего цвета свечения
с КПД порядка 40–45%.
Светодиодные структуры GaN на подложках
из карбида кремния
Кроме технологии выращивания гетероструктур GaN и его твер‑
дых растворов на подложках Al2O3, существует альтернативная тех‑
нология выращивания таких структур на основе карбида кремния
(SiC). Компания Cree, основанная в 1987 г. как производитель полу‑
проводниковых материалов на основе SiC, начала активные исследо‑
вания по разработке светоизлучающих структур GaN и его твердых
растворов на SiC-подложках в начале 1990‑х годов. С 2005 г. две ком‑
пании — Nichia и Cree — обеспечили более 80% мирового производ‑
ства кристаллов синего и зеленого излучений. При этом Cree тради‑
ционно использует технологию эпитаксиального выращивания GaN
на SiC-подложках, а Nichia Corporation — на подложках из Al2O3.
Технология выращивания GaN на SiC обладает рядом принципи‑
альных преимуществ перед технологией GaN на сапфире. Во‑первых,
SiC обладает на порядок большей теплопроводностью (3,8 Вт/см·К
у SiC против 0,3 Вт/см·К у Al2O3). Это упрощает решение проблемы
отвода тепла от активной области кристалла (p-n-перехода) — клю‑
чевой для кристаллов с токами более 100 мА. Во‑вторых, кристалли‑
ческая решетка 6H-SiC обладает лучшим, по сравнению с сапфиром,
сродством с GaN, что принципиально снижает концентрацию де‑
фектов и дислокаций в структуре GaN и повышает квантовый выход
кристаллов [17]. В‑третьих, SiC, являясь полупроводником, позволя‑
ет разрабатывать на своей основе кристаллы с вертикальным меха‑
низмом протекания тока, что приводит уменьшению сопротивления
Рис. 4. Спектры люминесценции при ионизационном пробое (Ibr)
в голубых светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia (ток J = –4 мА, левая шкала)
и спектры инжекционной люминесценции (If) (ток J = +15 мА, правая шкала):
B3, B4, B5 — образцы
структур и снижению величины рабочего напряжения и, как след‑
ствие, снижению потребляемой мощности.
Для нового семейства кристаллов, которое компания Cree разраба‑
тывает с 2004 г., удалось добиться высоких показателей эффективно‑
сти. Квантовый выход кристаллов малого размера (приблизительно
0,30,3 мм) составил 55–75%, а у больших кристаллов (11 мм) ти‑
пичный квантовый выход равен 40–55%. Кроме того, за счет вер‑
тикального протекания тока, рабочего напряжения и улучшения
контактной системы удалось получить прямое падение напряжения
на кристалле при номинальном токе на 20% ниже, чем у кристаллов
других производителей [17].
Новое семейство кристаллов имеет ряд принципиальных техноло‑
гических отличий, как, например, стравливание части SiC-подложки,
толщиной до 0,035 мм, через маску с образованием линзовой систе‑
мы, которая обеспечивает собирание светового потока с поверхности
структуры и формирует стандартную кривую силы света, что упро‑
щает нанесение люминофора на кристалл при производстве СД белого
цвета свечения [17]. Применение новой контактной системы позволи‑
ло увеличить площадь поверхности излучения до 90%, а параллельное
соединение перемычек контактов катода дополнительно вдвое снизило
потери проводимости при повышенных значениях плотности [17].
Изменения параметров светодиодных структур
на основе GaN во времени
Важным вопросом для любого материала является вопрос деграда‑
ции структур на его основе. Данному вопросу в России стали уделять
внимание практически сразу после появления светодиодных структур
на основе GaN во второй половине 1990‑х годов. Одними из первых
были совместные работы исследователей из МГУ и МИСиС [18], где
были исследованы изменения спектров люминесценции и электриче‑
ских свойств светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
в процессе длительной работы и предложены модели, объясняющие
две стадии старения [18, 19]. Исследователи предположили, что дива‑
кансии азота могут быть причиной «желтой полосы» в спектрах люми‑
несценции нитрида галлия [19], и что с этим связано, в частности, уве‑
личение относительной интенсивности этой полосы при длительной
наработке в зеленых светодиодах на основе нитрида галлия.
С развитием разработок и исследований светодиодов в нашей
стране проблемой их деградации занялись и другие группы ученых.
В 2005 году исследователи из ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН и СПбГТУ
представили работы, в которых было описано распределение интен‑
сивности электролюминесценции по площади и во времени до и по‑
КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 5 '2011
рубрика
сле оптической деградации голубых InGaN/GaN-светодиодов [20].
Через два года ученые из ФТИ совместно с разработчиками ведущего
в России предприятия по полупроводниковым источникам света
ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника» и исследователями из Института
проблем технологии и микроэлектроники РАН опубликовали рабо‑
ту, в которой определена закономерность деградации синих свето‑
диодов на основе InGaN/GaN [21].
Вопрос этот интересовал не только теоретиков — с научной точки
зрения, но и практиков — технологов по производству светодиодов,
а также конструкторов и разработчиков изделий и приборов на осно‑
ве светодиодов. Появляются работы, предназначенные специаль‑
но для таких специалистов [22], а также обзоры по теме деградации
кристаллов на основе GaN-гетероструктур [23]. В работе [22] под‑
робно рассматриваются физические механизмы, оказывающие влия‑
ние на характеристики излучающих кристаллов и светодиодов на их
основе при проведении производственной операции ультразвуковой
приварки контактных проводников. Установлен характер и степень
влияния ультразвукового воздействия при сварке на величину по‑
тенциальной деградации светового потока излучающих структур
на основе GaN и его твердых растворов. Указаны пути повышения
надежности и долговечности светодиодов, которые можно использо‑
вать при производстве. В работе [23] обсуждаются результаты иссле‑
дований изменения интенсивности электролюминесценции кристал‑
лов на основе GaN-гетероструктур при постоянном токе, а также при
повышенных значениях окружающей температуры и плотности тока
с целью оценки механизмов деградации и построения физической
модели процесса деградации.
В ходе работ по деградации установлен общий характер зависимости
интенсивности излучения от времени наработки. Увеличение интен‑
сивности электролюминесценции у синих кристаллов на основе GaN
в первый период наработки объясняется активацией акцепторов Mg
в p-слое GaN гетероструктуры при разрушении под действием инжек‑
ции носителей остаточных комплексов Mg-H, образующихся в про‑
цессе роста [18]. Снижение интенсивности электролюминесценции
в течение последующего периода времени наработки можно объяснить
как результат образования донорных дефектов, компенсирующих
акцепторы и увеличивающих безызлучательную рекомбинацию и ин‑
тенсивность свечения «желтой полосы» дефектов [18, 19]. Графики,
иллюстрирующие полученные данные, приведены на рис. 5–7 [19].
Снижение интенсивности при более высокой плотности тока пре‑
восходит аналогичное снижение, наблюдаемое при низкой плотно‑
сти тока. Это можно объяснить с учетом результатов, полученных
в работе [20], согласно которой в процессе деградации на гетерогра‑
ницах образуется диполь, связанный с неоднородностью инжекции,
Рис. 6. Спектры электролюминесценции голубых светодиодов
на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами
фирмы Nichia при токе J = 0,15 мА после старения
(длительность работы t, ч: 1–0; 2–72; 3–558; 4–800; 5–1000)
КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 5 '2011
технологии
9
Рис. 5. Спектры электролюминесценции светодиодов на основе
гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia
после пропускания через них прямого тока J = 80 мА:
а) голубых; б) зеленых (длительность работы t, ч: 1–0; 2–72; 3–800; 4–1000)
влияние которого повышается при превышении плотности тока,
проходящего через гетероструктуру. Это свидетельствует о том, что
основной причиной деградации интенсивности электролюминес‑
Рис. 7. Спектры пробойной люминесценции голубых светодиодов на основе
гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами фирмы Nichia при
токе J = –4 мА после старения (длительность работы t, ч: 1–0; 2–72; 3–800; 4–1000)
www.kite.ru
10
технологии
ценции гетероструктур является повышен‑
ная плотность тока, а не окружающая тем‑
пература. Данный факт можно объяснить
тем, что неоднородности инжекции по пло‑
щади гетерограницы приводят к локальным
изменениям, в частности сильному локаль‑
ному нагреву, и образованию дефектов,
являющихся центрами безызлучательной
рекомбинации [18, 19, 23].
Перспективы технологии
выращивания гетероструктур
на основе GaN
В последнее время некоторые производи‑
тели светодиодных кристаллов GaN-структур на подложках из Al2O3 отработали тех‑
нологию отсоединения структуры от под‑
ложки. Это позволяет снизить количество
дислокаций в приграничном слое, обра‑
зующееся из-за несоответствия параметров
кристаллической решетки GaN и Al 2 O 3 ,
и уменьшить долю безызлучательной реком‑
бинации в структуре. Кроме того, эта техно‑
логия позволяет изготавливать кристаллы
с вертикальным протеканием тока и тем са‑
мым уменьшить прямое напряжение. Также
отсутствие подложки позволяет улучшить
отвод тепла от активной области кристалла,
а значит, понизить тепловое сопротивление
светодиода и светодиодного устройства в це‑
лом. Наконец, эта технология предусматри‑
вает возможность повторного использова‑
ния Al2O3‑подложки, что позволяет снизить
себестоимость готовой продукции.
Применение этой технологии позволило
поднять квантовый выход структур GaN, вы‑
ращенных на подложках Al2O3, до 60%.
Приведенные в статье материалы по‑
казывают, что GaN и его твердые растворы
являются одним из самых востребованных
и перспективных материалов современной
оптоэлектроники. Работы по изучению это‑
го материала ведутся во всем мире, регуляр‑
но проводятся конференции и семинары.
Развитие технологии идет очень быстрыми
темпами: за последние 15 лет квантовый вы‑
ход излучения кристаллов на основе GaNструктур вырос больше чем в 6 раз. Это обу‑
рубрика
славливает быстрый прогресс характеристик
белых светодиодов, которые уже сейчас по‑
степенно становятся основой новых светотех‑
n
нических устройств.
Литература
1. Юнович А. Э. Светодиоды на основе гетерострук‑
тур из нитрида галлия и его твердых растворов //
Светотехника. 1996. № 5/6.
2. Золина К. Г., Кудряшов В. Е., Туркин А. Н.,
Юнович А. Э. Спектры люминесценции голубых
и зеленых светодиодов на основе многослойных
гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми
ямами // ФТП. 1997. Т. 31. № 9.
3. Шуберт Ф. Е. Светодиоды. М.: ФизМатЛит, 2008.
4. Pankove J. I., Lampert M. A. Model for electroluminescence in GaN // Phys. Rev. Lett. 1974. No 33.
5. Четверикова И. Ф., Чукичев М. В., Храмцов А. П.
Оптические свойства нитрида галлия // Обзоры
по электронной технике. 1982. Сер. 6. Вып. 1,
вып. 8.
6. Сапарин Г. В., Обыден С. К., Четверикова И. Ф.,
Чукичев М. В. // Бюллетень МГУ. Сер. 3. Физика
и Астрономия. 1983. Т. 24. № 3.
7. Перловский Г. В., Обыден С. К., Сапарин Г. В.,
Попов С. И. Температурная релаксация катодо‑
люминесценции, стимулированной электрон‑
ным пучком в GaN: Zn // Бюллетень МГУ. Сер.
3. Физика и Астрономия. 1984. Т. 25. № 3.
8. Авт. св. СССР 699967, H01L 33.00. Шагалов М. Д.,
Сидоров В. Г., Дрижук А. Г., Андреев В. М.,
Оплеснин В. Л. Источник света. № 2628156/18-25.
Приоритет 14.06.1978.
9. Akasaki I., Amano H., Itoh K., Koide N., Manabe K.
GaN based UV / blue light-emitting devices / GaAs
and Related Compounds conference. Inst. Phys.
Conf., Ser. 1992. No 129.
10. Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I.
P-type conduction in Mg-doped GaNtreated with
low energy electron beam irradiation (LEEBI) //
Jpn. J. Appl. Phys. 1989. No 28.
11. Nakamura S., Senoh M., Mukai T. Highly p-type Mg
doped GaN filmagrown with GaN buffer layers //
Jpn. J. Appl. Phys. 1993. No 32.
12. Nakamura S., Senoh M., Iwasa N., Nagahama S.
High-brightness InGaN blue, green and yellow lightemitting diodes with quantum well structures //
Jpn. J. Appl. Phys. 1995. No 34.
13. Туркин А. Н., Юнович А. Э. Измерения мощности
излучения голубых и зеленых InGaN/AlGaN/GaN
светодиодов с помощью фотопреобразовате‑
лей из аморфного кремния // Письма в ЖТФ.
1996. Т. 22. Вып. 23.
14. Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N.,
Yamada T., Matsushita T., Sugimoto Y., Kiyoku H.
Room-temperature continuous-wave operation
of InGaN multi-quantum-well structure laser
diodes // Appl. Phys. Lett. 1996. No 69.
15. Ковалев А. Н., Кудряшов В. Е., Маняхин Ф. И.,
Туркин А. Н., Золина К. Г., Юнович А. Э. Туннельные эффекты в светодиодах на основе ге‑
тероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми
ямами // ФТП. 1997. Т. 31. № 11.
16. Ковалев А. Н., Маняхин Ф. И., Кудряшов В. Е.,
Туркин А. Н., Юнович А. Э. Электролюминесценция гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
при ионизационном пробое // ФТП. 1998.
Т. 32. № 1.
17. Полищук А. Г., Туркин А. Н. Новое поколение све‑
тодиодов компании Cree для освещения // Автоматизация в промышленности. 2008. Июль.
18. Ковалев А. Н., Маняхин Ф. И., Кудряшов В. Е.,
Туркин А. Н., Юнович А. Э. Изменения люми‑
несцентных и электрических свойств свето‑
диодов из InGaN/AlGaN/GaN при длительной
работе // ФТП. 1999. Т. 33. № 2.
19. Юнович А. Э. Дивакансия азота — возможная
причина желтой полосы в спектрах люминесцен‑
ции нитрида галлия // ФТП. 1998. Т. 32. № 10.
20. Бочкарева Н. И., Ефремов А. А., Ребане Ю. Т.,
Горбунов Р. И., Клочков А. В., Шретер Ю. Г.
Неоднородность инжекции носителей заряда
и деградация голубых светодиодов // ФТП.
2006. Т. 40. № 1.
21. Васильева Е. Д., Закгейм А. Л., Снегов Ф. М.,
Черняков А. Е., Шмидт Н. М., Якимов Е. Б.
Некоторые закономерности деградации синих
светодиодов на основе InGaN/GaN // Светотехника. 2007. № 5.
22. Никифоров С. Г. Стабильность параметров
и надежность светодиодов закладываются
на производстве // Компоненты и технологии.
2007. № 5.
23. Полищук А. Г., Туркин А. Н. Деградация полу‑
проводниковых светодиодов на основе нитрида
галлия и его твердых растворов // Компоненты
и технологии. 2008. № 2.
КОМПОНЕНТЫ И ТЕХНОЛОГИИ • № 5 '2011