760 СОВЕЩАНИЯ И КОНФЕРЕНЦИИ Я. А. Агаев. И с с л е д о в а н и я в области физики полупроводников в Физико-техническом институте АН ТуркмССР. В последнее десятилетие в Физико-техническом институте АН ТуркмССР ведутся работы по получению новых полупроводниковых материалов типа А 3 В 5 , А 2 В*С| 4 и А | В С | и твердых растворов на их основе. 17 9 Получены монокристаллы CdSnAs2 ρ- и η-типов (re, ρ ~ 10 см~ , и ~ ~22 000 смУв -сек). Методом газотранспортной реакции получены монокристаллы на основе 2GaAs — ZnGeAs , 2GaAs —2• ZnSiAs2 в широком интервале концентраций GaAs 2 18 3 (re ~ 10 см~ , μη « 2500 см /в-сек). Проводились работы по получению и исследованию некоторых свойств соединений: Cu2GeSe3, CujSnSeg, Cu2GeTe3, Cu2SnTe3, Ag2GeSe3, Ag2SnSe3 и т. д. Проведено комплексное исследование электрических, термоэлектрических, гальвано-термомагнитных, оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов GaP, InP, AlSb, InSb и твердых растворов InSb — AlSb, InP — InAs. В монокристаллических образцах игольчатого типа GaP обнаружена примесная фото-э. д. с , являющаяся результатом прямых переходов электронов из валентной зоны на уровни 0,1 и 0,4 эв или же двойных оптических переходов. Обнаружен эффект Келдыша — Франца, связанный с непрямыми переходами в GaP при Г 15 ""*• Χι и Г 15 ~*" хз- Исследование эффекта Келдыша — Франца и спектральной фоточувствительности в коротковолновой области позволило предложить возможную структуру основных зон. В кристаллах InP на основе анализа температурной зависимости подвижности, поперечного эффекта Нернста — Эттинсгаузена и термо-э. д. с. установлены механизмы рассеяния носителей заряда: при низких температурах подвижность ограничивается в основном комбинированным рассеянием на ионах примеси, нейтральных атомах, а при высоких температурах — на оптических и акустических колебаниях решетки. Получены высокоомные кристаллы InP (га ~ 1011—1012 см~3) диффузией меди, ρ — re-переходы на их основе и исследованы электрические и фотоэлектрические свойства в широком интервале температур. В высокоомных кристаллах InP в области примесной проводимости обнаружена отрицательная фотопроводимость при низких температурах при hv « 0,9 — 0,55 эв, объяснимая на основе энергетического спектра примесей. При комнатных температурах с внешней собственной подсветкой обнаружена примесная фоточувствительность в той же области спектра. В кристаллах InP no спектрам поглощения в области hv < Eg обнаружен ряд. полос, относящихся, по всей вероятности, к примесным уровням; аналогичные значения для примесных уровней были найдены по электрическим и фотоэлектрическим свойствам. По спектрам диффушого отра КРГЧШ получены значения энергий переходов с hv > Е„, по которым построен ви.^кжный вариант зонной структуры. По исследованию оптического поглощения, отражения и фотопроводимости AlSb и твердых растворов InSb — AlSb дается возможная зонная структура AlSb. По температурной зависимости холловской подвижности и поперечному эффекту Нернста — Эттинсгаузена определены основные механизмы рассеяния в AlSb. При низких температурах рассеяние происходит на ионизованных примесях, а при высоких (300—1000°К) — на акустических колебаниях решетки. В переходной области (125—300 °К) идет совместное действие указанных механизмов рассеяния. Экспериментальная подвижность количественно сопоставляется с теоретической, рассчитанной при учете различных механизмов рассеяния. В области низких температур обнаружено влияние фононного увлечения носителей на термо-э. д. с , термомагнитный эффект Нернста — Эттинсгаузена и теплопроводность. По измерениям эффекта Холла и оптического поглощения в re-AlSb обнаружен внутризонный переход с энергией ~ 0,27 эв. Исследованиями электрических, гальвано-термомагнитных и фотоэлектрических свойств га- и p-InSb в широком интервале температур, концентрации носителей и магнитного поля показана возможность получения термодиффузией высокоомных кристаллов p-InSb, выяснена природа термоакцепторов в InSb, определены времена жизни основных и неосновных носителей тока в p-InSb, а также получены длинные диоды на базе p-InSb сплавным методом, чувствительные к внешнему магнитному полю. Магнитная чувствительность диодов γ яг 70 —. SC Разработана технология получения высокочувствительных датчиков Холла и магнитосопротивлений из InSb, InP — InAs и InSb — NiSb. На основе этих гальваномагнитных датчиков создан целый ряд приборов. СОВЕЩАНИЯ И КОНФЕРЕНЦИИ 761 ЛИТЕРАТУРА 1 2 3. 4. 5. 6 7. 8. 9. Я . А г а е в, Н. Г. Б е к м о д о в а, Изв АН ТуркмССР, сер. ФТХиГН, Х- 6, 30 (1968); № 5, 93 (1970). Я- А г а е в , О. Г а з а к о в , С. В. С л о б о д ч и к о в , Изв. АН ТуркмССР, сер. ФТХиГН, № 2, 23 (1965). Я. А г а е в, О. И с м а и л о в, Изв. АН ТуркмССР, сер. ФТХиГН, № 6, 52 (1965) А. Б е р к е л и е в , К. Д у р д ы е в , ФТП 5 (4), 738 (1971). А. Б е р к е л и е в , Л И . В е р е д а , Изв. АН ТуркмССР, сер ФТХиГН, №5, 97(1970)Я - А г а е в , О. М о с а н о в , С С у х а н о в , в сборнике «Физические свойства полупроводников A3BD и А3В6», Баку, Изд во АН АзССР, 1967. Я . А г а е в , А. А л л а н а з а р о в , О. И с м а и л о в , там же. Я. А г а е в, А. Р. Μ и χ а й л о в, там же. О. G a s a k o v . D. N. N a s l e d o v , S V . J S l o b o d c h i k o v , Phys Stat Sol 35, 139 (1969). M. Беркелиев, Г. Г. Джемилев, А. Мурадов, О. Овезгельдыев, М. Ширмамедов. Н е к о т о р ы е результаты изучения физики ионосферы. 1. Проведено комплексное экспериментальное исследование закономерности пространственно-временных вариаций спорадических образований Показано, что,. 72 Ζ/ июня /\. JO 8 D о Λ — /ί b 1 4 ι I .„ I 1 I >. 7 июля 70 8 6 A-A A A A-A A-A ^ A-A Π июля л/ л 71 9 CO V /° 7 at> * r t * ^ - Л /1 * n i l * 5 1 - 0900 Π93Π ЮОО WW Рис HDD 1 Π3D . 1 y. 7200 1. в отличие от регулярных слоев ионосферы, временная вариация спорадических образований является случайным процессом. На рис. 1 в качестве примера приводятся три непрерывных сеанса измерений, проведенных в одно и то же время разных суток. Кружочки соответствуют fBEs*SL точки — i^E&. Видно, что характер временных вариаций частотных параметров в этих сеансах весьма различный и для любого фиксированного момента времени значения их являются случайными величинами. Кроме того,