Исследование ключевого режима работы транзистора

Лабораторная работа № 5
«ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВОГО РЕЖИМА
РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА»
1. Цель работы – исследовать статические режимы и переходные процессы в схеме простого транзисторного ключа.
2. Ключевой режим работы транзистора
Транзисторные ключи (ТК) находят широкое применение в силовых цепях вентильных преобразователей различного назначения, в качестве основных логических элементов применяются в устройствах вычислительной техники, в различных схемах автоматики. В ключевом режиме работы транзистора используются статические состояния
ТК, в которых транзистор работает в зоне или отсечки, или насыщения. Во время переходных процессов при переключении из одного статического состояния в другое транзистор работает в нормальном и инверсном активном режимах.
Основными параметрами статических состояний ТК являются напряжение
насыщения U кэН и обратный ток I к 0 . Режим отсечки ТК (рис. 5.1) характеризуется вы-
соким уровнем напряжения
U вых =
Eк − I к 0 Rк ≈ Eк .
+ Eк
Rк
R3
C1
U вых
U вх
R1
VT 1
R2
− Eсм
Рис 5.1
В режиме насыщения через ТК протекает ток
IкН
=
Eк − U кэН
Rк
≈
Eк
.
Rк
Основными параметрами переходных процессов при включении ТК являются:
• tз – время задержки;
• tф – длительность фронта.
Основными параметрами переходных процессов при выключении ТК являются:
• tр – время рассасывания накопленного в базе заряда;
• tс – длительность среза.
На рис. 5.2 представлены временные диаграммы, иллюстрирующие переходные
процессы в ТК.
Длительность фронта определяется по формуле
tф = τв ln
S
,
S −1
(5.1)
где S – коэффициент насыщения.
Коэффициент насыщения определяется как
=
S
I б1 I б1βст Rк
,
=
I бн
Eк
где I бн – ток базы насыщения; βст – статический коэффициент передачи по току.
Для удобства измерения фронта его часто определяют как время нарастания тока
от уровня 0,1 I кн до уровня 0,9 I кн .
В выражении (5.1) постоянная времени определяется как
τв =
1
,
2π⋅ ⋅ fв
где fв – верхняя граничная частота применяемого транзистора, включенного по схеме
ОЭ.
Ток базы, соответствующий границе насыщения,
I
I бн = бн .
βст
Время рассасывания заряда в базе
tр = τU ln
SI бн + I б 2
I бн + I б 2
,
где τU – время жизни неосновных носителей в базе в режиме насыщения
).
( τU ≈
мкс
2÷3
Uвх
Uвх.m
t
Iб
Iб1
t
Iб2
Iк0
tЗ
U бэ
U бэн
U бэ0
t
τн
τв
Q
Iб1н⋅ τ
τв
Iк
τн
τв
t
β ⋅ Iб1
β ⋅ Iб2
I к0
U кэ
tФ
0,1
τв
E
Iкн = к
Rк
tр
t
tФ
0,9
τв
Рис.5.2. Временные диаграммы работы транзисторного ключа
t
Время рассасывания характеризуется интервалом времени от момента подачи запирающего входного напряжения + Eб 2 до момента, когда заряд в базе уменьшается до
граничного значения Qгр = I бн τ U , при котором транзистор переходит из насыщенного
состояния в активный режим. Если коллекторный переход запирается раньше эмиттерного ( τк < τ э ), то транзистор переходит в нормальный активный режим. Если наоборот
( τ э < τк ) – в инверсный активный режим. В последнем случае на зависимостях I к ( t ) и
U к ( t ) появляется характерный выброс (см. рис. 5.2, штриховые линии).
Заканчивается переходный процесс при включении транзистора срезом выходного
напряжения (задним фронтом). Длительность tс можно оценить, считая, что процесс
формирования заднего фронта заканчивается при Q ≈ 0 .
Тогда
Iб2
tс = τв ln S
+ I бн
I бн
.
Однако в реальных схемах большая часть длительности среза выходного напряжения приходится на режим отсечки транзистора. Поэтому длительность среза определяется постоянной времени τк = RкCк или
=
τк Rк ( Cк + Cн ) с учетом емкости нагрузки Cн .
Конденсатор С в схеме ТК (рис. 5.1, пунктир) является форсирующим. Он позволяет увеличить токи базы I б1 и I б 2 на короткий промежуток времени, в то время как стационар-
ные токи базы практически не меняются. Это приводит к повышению быстродействия
ТК. Другим способом увеличения быстродействия ТК является введение нелинейной обратной связи. Диод с малым временем восстановления (диод Шоттки), включенный между коллектором и базой, предотвращает глубокое насыщение ТК, фиксируя потенциал
коллектора относительно потенциала базы. Такие ТК называют ненасыщенными.
При исследовании переходных процессов на вход схемы подаются импульсы положительной полярности амплитудой не более 10 В от генератора прямоугольных импульсов. В схеме макета предусмотрена возможность установки в коллекторной и базо-
вой цепях транзистора различных деталей (резисторов и конденсаторов) с целью исследования влияния их параметров на свойства исследуемого ключа. Так, возможна смена
резисторов в коллекторной цепи, подключение к схеме ускоряющего конденсатора С1.
3. Оборудование, используемое в лабораторной работе: лабораторный стенд;
комбинированный прибор «Сура», мультиметры; соединительные провода.
4. Задания на лабораторную работу
Задание № 1. Экспериментально определить статический коэффициент усиления
по току транзистора, установленного в ключе.
Задание № 2. Исследовать динамические характеристики транзисторного ключа.
Задание № 3. Исследовать влияние форсирующего конденсатора на параметры переходных процессов.
5. Порядок выполнения работы
Порядок выполнения задания № 1
1. Подготовить стенд к работе, включив сетевой тумблер и кнопку СЕТЬ блока питания.
2. На источнике питания V1 c помощью ручек ГРУБО и ПЛАВНО выставить напряжение 5 В.
3. На источнике питания V2 выставить напряжение 15 В.
4. Выключить сетевой тумблер.
5. С помощью соединительных проводов подключить источник питания V1 и V2 согласно мнемосхеме.
6. Ручку потенциометра R5 повернуть до упора против часовой стрелки.
7. Установив среднее значение сопротивления Rк , снять зависимость I к = f ( I б )
при Rк = const . Заполнить табл. 5.1.
Таблица 5.1
Iб
Iк
8. По линейному участку полученной зависимости I к = f ( I б ) определить статический коэффициент усиления по току: β = I к I б .
Порядок выполнения задания № 2
1. На источнике питания V2 выставить напряжение 10 В.
2. Ручку потенциометра R6 повернуть до упора по часовой стрелке.
3. Установить среднее значение базового тока I б в пределах, указанных в табл. 5.1.
4. Изменяя величину сопротивления Rк , снять зависимость I к = f ( Rк ) , заполнив
табл. 5.2.
Таблица 5.2
Зависимость I к = f ( Rк ) при I б = const
Rк
Iк
5. Определить величину сопротивления Rк , соответствующую границе режима насыщения.
Порядок выполнения задания № 3
1. Подключить на вход транзисторного ключа задающий генератор (ЗГ).
2. Установить частоту выходного напряжения ЗГ f зг = 1кГц .
3. Изменяя амплитуду выходного напряжения ЗГ в диапазоне от 2 до 6 В, определить по осциллограммам параметры tс , tф .
4. Для одного из значений выходного напряжения рассчитать по приведенным
формулам параметры tф , tр , tс и оценить расхождения измеренных и расчетных величин.
5. Исследовать влияние форсирующего конденсатора Cф на основные параметры
переходных процессов. Представить осциллограммы выходных импульсов.
6. Отключить стенд.
6. Содержание отчета
1. Наименование лабораторной работы.
2. Цель работы.
3. Перечень приборов и оборудования.
4. Схема исследуемого ключа.
5. Результаты исследований.
5.1. Табл. 5.1–5.2 с результатами измерений.
5.2. Зависимости I к = f ( I б ) , I к = f ( Rк ) .
5.3. Расчет параметров tф , tр , tс .
5.4. Осциллограммы импульсов.
6. Выводы по работе.
7. Ответы на контрольные вопросы.
7. Контрольные вопросы и задания
1. Как работает транзисторный ключ?
2. Какими основными параметрами характеризуется транзисторный ключ?
3. В чем смысл введения форсирующего конденсатора?
4. Как зависят параметры переходных процессов от насыщения?
5. Что такое инверсное запирание транзисторного ключа?
6. Как влияет амплитуда входного сигнала на параметры транзисторного ключа?
7. Что такое «динамические потери» транзисторного ключа?
8. Опишите методы снижения динамических потерь.
ГЛОССАРИЙ
*.bod – Расширение файла программы EWB для записи амплитудно- и фазо-частотных
характеристик прибора Bode Plotter.
*.scp – Расширение файла программы EWB для записи переходных процессов прибора
Oscilloscope.
MASTECH M92A – Мультиметр для измерения напряжений и токов.
p–n-переход – Переход между областью полупроводника, обладающей избытком
«дырок», и областью, где основными носителями заряда являются электроны. Этот
переход обладает вентильными или выпрямляющими свойствами.
Амплитудно-частотная характеристика усилителя переменного тока – Зависимость
коэффициента усиления kU УПТ от частоты f является амплитудно-частотной
характеристикой kU ( f ) .
ВАХ (Вольтамперная характеристика) – Зависимость между приложенным к прибору
напряжением и протекающим через него током, выраженная аналитически и построенная
графически: по оси абцисс – напряжение, по оси ординат – ток.
ВАХ идеального p – n-перехода – Вольтамперная характеристика идеализированного p–
n-перехода описывается известным уравнением:
qU
=
I I 0 (e kT − 1) ,
где I 0 – обратный ток p–n-перехода; q – заряд электрона (=
q 1,6 ⋅ 10 −19 Кл); k – постоянная
23
Больцмана =
; T – температура в градусах Кельвина.
(k 1,38Дж
⋅ 10−град)
Виды пробоя p–n-перехода – Существуют несколько видов пробоя p–n-перехода в
зависимости от концентрации примесей в полупроводнике, от ширины p–n-перехода и
температуры:
• обратимый (электрический пробой);
• необратимые (тепловой и поверхностный пробои).
Входная характеристика схемы с общим эмиттером – Входной характеристикой для
этой схемы является зависимость тока базы I б от напряжения между базой и эмиттером
U бэ при постоянной величине напряжения между эмиттером и коллектором:
I б = f (U бэ ) U кэ = const .
IБ
0
U КЭ = 0 U КЭ ≠ 0
U БЭ
Входные характеристики биполярного транзистора – iвх = f (U вх ) U вых = const .
Выпрямительные диоды – Полупроводниковые приборы с одним электроннодырочным переходом (p–n-переходом), использующиеся в различных устройствах для
выпрямления переменного тока.
Выходная характеристика схемы с общим эмиттером – зависимость тока коллектора
I к от напряжения между эмиттером и коллектором при неизменной величине тока базы
I б : I к = f (U кэ ) I б = const .
IК
IБ4 > IБ3
IБ3 > IБ2
IБ2 > IБ1
0
I Б1 > 0
IБ = 0
U КЭ
∆U 0
, где ∆U 0 и ∆I 0 – изменения
∆I 0
выпрямленного напряжения и выпрямленного тока, определенные из нагрузочной
(внешней) характеристики выпрямителя:
Выходное сопротивление выпрямителя – Rвых =
U 0 = f ( I0 ) ,
где I 0 – постоянная составляющая выпрямленного тока.
Выходные (стоковые) характеристики полевого транзистора с общим истоком –
зависимость тока стока I с от напряжения стока U с при неизменном напряжении на
затворе U зи : I с = f (U с ) U зи = const .
IС
U З1
U З2 > U З1
U З3 > U З2
∆I C
U З4 > U З3
0
UС
∆U С
Выходные характеристики биполярного транзистора – iвых = f (U вых )
iвх = const
;
Г-образный LC-фильтр:
L
U вх
C
U вых
Граничная частота пропускания усилителя переменного тока – На граничных
частотах полосы пропускания амплитуда выходного сигнала снижается на 3 дБ. Есть две
граничные частоты – верхняя и нижняя.
Динамическое сопротивление – Динамическое сопротивление определяется как
ΔU
отношение приращения напряжения к приращению тока: Rдин =
ΔI
Дифференциальное сопротивление стока (выходное сопротивление) схемы
включения с общим истоком: По выходным (стоковым) характеристикам определяют
дифференциальное
сопротивление
стока
(или
выходное
сопротивление)
∆U с
Rс =
U = const , где ∆I с – приращение тока стока I с , соответствующее приращению
∆I с зи
напряжения сток-исток ∆U с при постоянном напряжении затвор-исток U зи = const .
Длительность фронта транзисторного ключа определяется по формуле tф = τв ln
где τ Â – постоянная времени, S – коэффициент насыщения.
S
,
S −1
Качество стабилизации напряжения на нагрузке оценивается коэффициентом
∆U вх
∆U вых
стабилизации при постоянном токе нагрузки: K =
, где ∆U вых –
:
U вх.ном U вых.ном
приращение выходного напряжения U0 при изменении входного U вх на величину ∆U вх ;
U вх.ном , U вых.ном – номинальные значения напряжений на входе и выходе стабилизатора.
Комбинированный прибор «СУРА» – Комбинированный прибор, включающий в себя
осциллограф, генератор синусоидальных и прямоугольных напряжений и блок питания,
состоящий из двух одинаковых стабилизированных источников питания.
Коэффициент
насыщения
транзисторного
ключа
определяется
как
I б1 I б1βст Rк
, где I бн – ток базы насыщения; βст – статический коэффициент
=
S =
I бн
Eк
передачи по току.
Коэффициент пульсаций выпрямителей и фильтров определяется отношением
2U ~
, где U ~ – действующее значение напряжения, измеряемое по вольтметру
q=
U0
переменного тока; U 0 – среднее значение напряжения, измеряемое по вольтметру
постоянного тока.
Коэффициент пульсаций выпрямленного напряжения оценивается коэффициентом
U
пульсаций К п = m1 , где U m1 – амплитуда основной гармоники переменной
U0
составляющей (гармоники с наименьшим порядковым номером); U 0 – постоянная
составляющая выпрямленного напряжения на нагрузке (среднее значение за период).
Коэффициент сглаживания: Качество сглаживания определяется коэффициентом
k
сглаживания kсгл = п.вх , где kп.вх и kп.вых – коэффициенты пульсаций на входе и
kп.вых
выходе фильтра соответственно.
Коэффициент сглаживания фильтров – S =
q
, где q – коэффициент пульсаций на
q1
входе фильтра, т. е. того выпрямителя, на основе которого исследуется фильтр; q1 –
коэффициент пульсаций фильтра.
Коэффициент схемы двухполупериодного выпрямителя – Коэффициентом схемы для
однополупериодного выпрямителя определяется =
U 0 0,45 ⋅ U 2 ; где U 0 – постоянная
составляющая выпрямленного напряжения; U 2 – действующее значение переменного
напряжения на входе выпрямителя; 0,9 – коэффициент схемы двухполупериодного
выпрямителя.
Коэффициент схемы однополупериодного выпрямителя – Коэффициентом схемы для
однополупериодного выпрямителя определяется =
U 0 0,45 ⋅ U 2 ; где U 0 – постоянная
составляющая выпрямленного напряжения; U 2 – действующее значение переменного
напряжения на входе выпрямителя; 0,45 – коэффициент схемы однополупериодного
выпрямителя.
Коэффициент усиления по мощности – K P = KU Ki .
Коэффициент усиления по напряжению – KU =
Коэффициент усиления по току Ki =
U вых
.
U вх
iвых
.
iвх
Коэффициент усиления усилителя переменного тока в децибелах (дБ) – УПТ LU ,
выраженный в децибелах (дБ или dB), можно выразить через kU следующим образом:
LU = 20lg kU .
Коэффициент усиления усилителя переменного тока в относительных единицах –
U вых.а U вых.д U вых
, где
УПТ по напряжению kU можно определить как=
kU
= =
U вх.а
U вх.д
U вх
U вых.а , U вых.д , U вых – амплитудное, действующее и среднее значения выходного
гармонического сигнала (напряжения) УПТ; U вх.а , U вх.д , U вх –
действующее и среднее значения входного гармонического сигнала УПТ.
амплитудное,
Крутизна стокозатворной характеристики схемы включения с общим истоком: По
стокозатворным
характеристикам
определяют
крутизну
S
характеристики
∆I с
S=
U = const , где ∆I с – приращение тока стока I с , соответствующее приращению
∆U зи с
напряжения затвор-исток ∆U зи , при постоянном напряжении сток-исток U с = const .
Назначение Electronics Workbench (EWB) – Программа Electronics Workbench
предназначена для исследования электронных приборов и устройств методами
имитационного моделирования.
Назначение выпрями теля вторичного источника электропитания – Выпрямитель на
полупроводниковых диодах преобразует напряжение переменного тока в пульсирующее
напряжение постоянного тока.
Назначение сглаживающего фильтра – Для сглаживания пульсаций выпрямленного
напряжения между выпрямителем и нагрузкой включают сглаживающий фильтр.
Назначение сглаживающего фильтра вторичного источника электропитания –
Сглаживающий фильтр, подключаемый к выходу выпрямителя, уменьшает пульсацию
выходного напряжения.
Назначение силового трансформатора вторичного источника электропитания –
Силовой трансформатор предназначен для получения необходимой величины
переменного напряжения из напряжения сети, а также для гальванической развязки с
сетью.
Наименование выводов биполярного транзистора – У биполярного транзистора есть
база, эмиттер и коллектор.
Наименование выводов полевого транзистора – У полевого транзистора есть затвор,
сток и исток.
Напряжение насыщения транзисторного ключа – Напряжение насыщения U кэН
транзисторного ключа (ТК) измеряется между коллектором и эмиттером во включенном
состоянии ТК.
Напряжение отсечки U 0 – Если продолжить линейный участок прямой ветви
вольтамперной характеристики до пересечения с осью абсцисс, то получим точку U 0 –
напряжение отсечки, которое отделяет начальный пологий участок характеристики, где
динамическое сопротивление Rдин сравнительно велико от круто изменяющегося
участка, где Rдин мало.
Напряжение пробоя полупроводникового диода – В паспортных данных диода всегда
указывается предельно допустимое обратное напряжение U проб (напряжение
лавинообразования), соответствующее началу пробоя p–n-перехода.
Область применения транзисторных ключей – Транзисторные ключи находят широкое
применение в силовых цепях вентильных преобразователей различного назначения, в
качестве основных логических элементов применяются в устройствах вычислительной
техники, в различных схемах автоматики.
Обратная ветвь ВАХ стабилитрона:
U ст.ном
U ст.min
I ст
0
U ст.max
U
I ст.min
I ст.ном
I ст.max
Обратное номинальное значение напряжения полупроводникового диода составляет
обычно 0,5 U проб и определяет класс прибора по напряжению. Так, класс 1 соответствует
100 В обратного напряжения, класс 2 – 200 В и т. д.
Обратный ток (ток утечки) транзисторного ключа – Ток утечки I к 0 транзисторного
ключа (ТК) измеряется в цепи «коллектор-эмиттер» в выключенном состоянии ТК (в
режиме отсечки) и его величина много меньше номинального коллекторного тока
Основные параметры переходных процессов при включении транзисторного
ключа:
• tз – время задержки;
• tф – длительность фронта.
Основные параметры переходных процессов при выключении транзисторного
ключа:
• tр – время рассасывания накопленного в базе заряда;
• tс – длительность среза.
Осциллограф – Прибор для индикации напряжений в статическом и динамическом
режимах.
Параметрический стабилизатор напряжения на стабилитроне – Простейшим
электронным стабилизатором является параметрический стабилизатор, состоящий из
балластного сопротивления Rб и стабилитрона.
−
Uвх
Rб
I ст
+
I1
IН
Uст
Rн
VD
Переходные (стокозатворные) характеристики схемы включения с общим истоком
представляют собой зависимость тока стока I с от напряжения между затвором и
истоком U зи при постоянном напряжении стока U с : I с = f (U зи ) U с = const .
U C2 > U C1
IC
U C1
∆I C
0 U ЗИ
U ЗИ0
∆ U ЗИ
П-образный LC-фильтр:
L
U вх
C1
C2
U вых
Постоянная времени переходного процесса включения транзисторного ключа
1
определяется как τв =
, где fв – верхняя граничная частота применяемого
2π⋅ ⋅ fв
транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером.
Построитель частотных характеристик Bode Plotter позволяет анализировать
амплитудно- и фазочастотные характеристики RLC-схем.
Практическая методика определения длительности фронта – Для удобства
измерения длительности фронта его часто определяют как время нарастания тока от
уровня 0,1 I кн до уровня 0,9 I кн от номинального тока коллектора.
Простейшие сглаживающие фильтры – Простейшими сглаживающими фильтрами
являются емкостный и индуктивный.
Рабочий участок ВАХ стабилитрона – Для стабилитронов рабочим является участок
пробоя на обратной ветви ВАХ, а напряжение пробоя (напряжение стабилизации)
является одним из основных параметров.
Режим Magnitude прибора Bode Plotter – Режим построения амплитудно-частотных
характеристик прибора Bode Plotter.
Режим Phase прибора Bode Plotter – Режим построения фазо-частотных характеристик
прибора Bode Plotter.
Среднегеометрическая частота полосы пропускания усилителя переменного тока –
Среднегеометрическая частота полосы пропускания усилителя переменного тока
определяется как
=
fср
fнижн ⋅ fверхн . или, по-другому, как корень квадратный из
произведения нижней и верхней частот полосы пропускания усилителя
Стабилитроны – Полупроводниковые приборы с одним электронно-дырочным
переходом (p–n-переходом), работающие на обратной ветви ВАХ, использующиеся в
различных устройствах для стабилизации пульсирующего напряжения.
Статические состояния транзисторного ключа – В ключевом режиме работы
транзистора используются статические состояния ТК, в которых транзистор работает в
зоне или отсечки, или насыщения. Во время переходных процессов при переключении из
одного статического состояния в другое транзистор работает в нормальном и инверсном
активном режимах.
Статическое сопротивление – Статическое сопротивление, например в точке А,
определяется как отношение напряжения
и тока, соответствующих этой точке:
UA
R=
= tgα .
ст
IA
Структурная схема вторичного источника электропитания – Вторичные источников
питания включают, как правило, силовой трансформатор Т, выпрямитель В,
сглаживающий фильтр Ф и стабилизатор напряжения С:
Сеть
Т
В
Ф
С
Нагрузка
Схема каскада с общей базой:
RК
C1
VT1
R1
− Eк
C2
~ U вых
~ U вх
R3
C3
R2
Схема каскада с общим коллектором:
− EК
R1
VT1
C1
C2
~ U вх
R2
R3
~ U вых
Схема каскада с общим эмиттером:
R1
−E
Rк
C2
C1
~ U вых
VT1
~ U вх
R2
Rэ
Упрощенная вольтамперная характеристика
выпрямительного диода – Для упрощения
практических
расчетов
вольтамперную
характеристику выпрямительного диода часто
представляют на основе кусочно-линейной
аппроксимации двумя участками прямых АВ и ВС,
причем АВ идет по оси абсцисс, а наклон ВС
определяется средним, прямым сопротивлением
диода:
 U AC − U AB 
=
=
α arctg

 arctg Rпр.ср , где Rпр.ср –
I
AC


среднее значение сопротивления прямой ветви
ВАХ.
(
)
к
C3
I
C
∆I
I AC
α
U
A
U AB
B
U AC
Вольтамперная характеристика
диода
U0
Функциональный генератор Function Generator генерирует сигналы синусоидальной,
треугольной и прямоугольной форм:
Эмиттерный повторитель – Другое название схемы усилительного каскада с общим
коллектором. Выходное напряжение повторяет входное, усиление по напряжению
отсутствует.
Эффект от применения стабилизатора напряжения в схеме вторичного источника
электропитания – Если к выходному напряжению предъявляются высокие требования
по стабильности при колебаниях напряжения сети и тока нагрузки, то в источник
питания вводят стабилизатор напряжения
Возврат
из справки
Home
Панель управления – содержит
перечень разделов, а также кнопки
навигации, управления программой
просмотра и вызова функции
поиска по тексту.
Нажатие клавиши «Home» на клавиатуре вызывает переход
к титульной странице документа.
С титульной страницы можно осуществить переход к оглавлению
(в локальной версии курса).
PgUp
Нажатие клавиши «PgUp» («PageUp») или показанных клавиш
со стрелками на клавиатуре вызывает переход к просмотру
предыдущей страницы относительно просматриваемой
в настоящий момент согласно порядку их расположения
в документе.
PgDn
Нажатие клавиши «PgDn» («PageDown») или показанных клавиш
со стрелками на клавиатуре вызывает переход к просмотру
следующей страницы относительно просматриваемой
в настоящий момент согласно порядку их расположения
в документе.
Просматриваемый в данный
момент раздел.
Доступные разделы.
Alt
+
F4
В зависимости от текущего
активного раздела в перечне
могут присутствовать подразделы
этого раздела.
Нажатие комбинации клавиш «Alt»+«F4» на клавиатуре вызывает
завершение работы программы просмотра документа
(в локальной версии курса).
Кнопка переключения между полноэкранным
и оконным режимом просмотра.
Нажатие левой клавиши «мыши» или вращение колёсика в
направлении «от себя» вызывает переход к просмотру следую
щей страницы относительно просматриваемой в настоящий
момент согласно порядку их расположения в документе.
Кнопки последовательного перехода к предыдущей
и следующей страницам.
Кнопка возврата к предыдущему виду. Используйте её
для обратного перехода из глоссария.
Кнопка вызова функции поиска по тексту.
Нажатие правой клавиши «мыши» или вращение колёсика в
направлении «к себе» вызывает переход к просмотру предыдущей
страницы относительно просматриваемой в настоящий момент
согласно порядку их расположения в документе.
Кнопка перехода к справочной (этой) странице.
Кнопка завершения работы.