Тема 3. Материалы для солнечной энергетики (2 часа
реклама
Тема 3. Материалы для солнечной энергетики (2 часа). Ограниченность запасов ископаемого топлива и сырья для ядерной энергетики делают увеличение производства энергии из возобновляемых источников важной задачей. Возобновляемые источники энергии составляют более 15 % от потребляемой в мире энергии. Более 10 % составляет использование биомассы, преимущественно древесины (дрова), особенно в развивающихся странах, и более 3 % - энергия гидроэлектростанций. Использование таких возобновляемых источников энергии, как энергия ветра, солнца, приливов, геотермальная энергия, биотопливо и т. д., составляет около 2 %, но быстро растет по экспоненциальной закономерности от времени. Потребление солнечной энергии увеличивается примерно в 1,5 раза ежегодно. В 2010 году использование солнечной энергии составляло в процентах от мирового потребления энергии: солнечное водяное отопление (нагрев воды) – 0,17 %; электрическая энергия, производимая фотоэлементами, – 0,06 %, концентрированная солнечная энергия –0,002 %. Предполагается, что к 2020 году доля солнечной энергии может составить около 10 % от мирового производства энергии. В то время, как в будущем ожидается рост цен на ископаемое топливо изза истощения легкоизвлекаемых запасов, ожидается падение цены производства энергии из возобновляемых источников. Цена на электроэнергию, производимую фотоэлементами, ежегодно падает на 15 %. Ожидается, что в США в 2015 году она сравняется с ценой энергии, производимой тепловыми электростанциями. В районах, удаленных от электрической сети, например, в развивающихся странах, цена солнечной электроэнергии конкурентна уже сейчас. Мощность солнечного излучения, поглощаемого Землей, составляет 174 703 ТВт, что более, чем в 10000 раз превышает мировое потребление энергии, равное около 15 ТВт. Оценки мощности солнечного излучения, которое может быть использовано в промышленных целях, составляют около 50 ТВт. Производимая в настоящее время солнечная энергия включает в себя электроэнергию, производимую солнечными батареями и тепловыми солнечными электростанциями, и тепловую энергию солнечного отопления. Солнечной батареей называется устройство из нескольких объединенных фотоэлектрических преобразователей (фотоэлементов) - устройств, напрямую преобразующих солнечную энергию в постоянный электрический ток. Фотоэлемент в своей работе использует явление внутреннего фотоэффекта. Внутренним фотоэффектом называется явление изменения концентрации свободных носителей заряда вещества под действием электромагнитного излучения (света), приводящее к изменению электрических свойств вещества, в частности электропроводности. При освещении твердого тела кванты излучения, поглощаемого веществом, в основном сообщаются электронам. Это приводит к перераспределению электронов в атомах: электроны переходят на более высокие энергетические уровни. Кванты излучения, поглощаемые полупроводником, вызывают появление в нем дополнительных свободных носителей заряда, электронов проводимости или свободных дырок, которые способствуют повышению проводимости вещества. Эту дополнительную проводимость называют фотопроводимостью. В неоднородных веществах внутренний фотоэффект может приводить к возникновению разности потенциалов между участками освещаемого тела, т. е. к генерированию фотоЭДС. Неоднородность структуры фотоэлемента может быть получена легированием одного и того же полупроводника различными примесями (создание p-n переходов) или путем соединения различных полупроводников с неодинаковой шириной запрещенной зоны — энергии отрыва электрона из атома (создание гетеропереходов), или же за счет изменения химического состава полупроводника, приводящего к появлению градиента ширины запрещенной зоны. Возможны также различные комбинации перечисленных способов. Рисунок 3.1. Устройство фотоэлемента в самой общей форме. Фотоэлемент можно описать как систему, которая имеет два метастабильных состояния (рис. 3.1), с высокой и низкой энергией. Материал фотоэлемента поглощает электромагнитное излучение, с распределением противоположных электронных зарядов по этим состояниям и их разделением. Электрические контакты отбирают заряды разного знака. Квант света с энергией E = hν, падая на собственный полупроводник, вызывает переход электрона из валентной зоны в свободную (рис. 3.2 а). В полупроводниках n -типа квант света вызывает переход электрона с донорного уровня в свободную зону (рис. 3.2 б) и в полупроводниках p -типа из валентной зоны на акцепторный уровень (рис. 3.2 в). Минимальная энергия кванта, способного создать фотоэффект, равна ширине запрещенной зоны: hν = E. Рисунок 3.2. Схема энергетических переходов носителей заряда в полупроводниках различных типов под влиянием электромагнитного излучения. В почти всех фотоэлементах, особенно коммерческих, поглотитель солнечного излучения - полупроводник. В некоторых устройствах, основанных на органических поглотителях, пара электрон-дырка формируется сначала как промежуточное звено, перед этапом разделения и собирания зарядов. Если используется только один вид полупроводника, самый общий подход состоит в том, чтобы сделать p-n соединение. Материал должен быть p-или n-типом, то есть, или с лишними свободными дырками или с электронами. Для кремния это может быть достигнуто при добавлении атомов примеси, типа B или P, чтобы сделать p- или n-Si, соответственно. Реальные фотоэлементы включают в себя сопротивление на контактах, генерацию и перекомбинацию носителей заряда на дефектах и утечку тока через соединение. Эффективность реального фотоэлемента можно рассчитать по формуле: qV IR S V I R S 1 I I L I 0 exp , R SH nk B T где V – напряжение, выдаваемое фотоэлементом; IL – сила тока, генерируемого при освещении фотоэлемента; I – сила тока, выдаваемого фотоэлементом; I0 – сила тока насыщения диода; n – фактор идеальности диода, который обычно находится в интервале от 1 до 2. Фактор идеальности связан с явлением рекомбинации зарядов в районе соединения. RSH – параллельное (шунтирующее) сопротивление, для идеального фотоэлемента = ; RS – последовательное сопротивление, для идеального фотоэлемента = 0; q – элементарный заряд; kB – постоянная Больцмана; T – температура фотоэлемента в кельвинах; Зависимость силы тока и напряжения фотоэлемента от интенсивности освещения и эквивалентная электрическая схема фотоэлемента приведены на рис. 3.3-3.4. Рисунок 3.3. Зависимость силы тока и напряжения фотоэлемента от интенсивности освещения. Рисунок 3.4. Эквивалентная электрическая схема фотоэлемента. КПД фотоэлемента выражается следующим соотношением: Pэл , Pсв где Pэл – мощность полученного электрического тока, Pсв – мощность, поглощаемого освещения; Мощность тока, выдаваемого фотоэлементом, зависит от температуры и освещения. Для типичного фотоэлемента на основе кремния выдаваемое напряжение падает при увеличении температуры, в то время, как сила тока незначительно увеличивается. КПД падает примерно на 0,5 % при увеличении температуры на 1 oC. В фотоэлементах на основе органических материалов КПД при увеличении температуры наоборот возрастает. Отдельные фотоэлементы соединяются последовательно или параллельно, чтобы получить необходимую мощность постоянного электрического тока для внешнего потребителя. Если необходим переменный ток, используются устройства, называемые инверторами. Модульное соединение фотоэлементов позволяет получить мощность от нескольких ватт до мегаватт. Для получения максимального КПД необходима максимизация силы тока и напряжения. Сила тока и напряжение зависят от энергии запрещенной зоны материала, степени генерации зарядов и их рекомбинации (обратного соединения положительных и отрицательных зарядов, что снижает КПД). Энергия запрещенной зоны зависит от материала полупроводника, и связана с кристаллической структурой, химическим составом, и, в меньшей степени, структурными свойствами материала (например, размер частиц). На практике, генерация и рекомбинация являются главными физическими явлениями, которые определяют энергоэффективность фотоэлемента. Стандартная функция, которая дает информацию относительно генерации и перекомбинации данного фотоэлемента, - квантовая эффективность (QE) или спектральный ответ: QE = QE() QE() – отношение между числом электронов (т.е. носителей заряда), которое производит ячейка, и числом фотонов, освещающих фотоэлемент в данную единицу времени. Подразумевается, что каждый фотон производит одну пару электрон – дырка. На практике QE < 1 даже для самого эффективных фотоэлементов, что означает возможность увеличения эффективности фотоэлементов. На рис. 3.5. изображены типичные кривые QE() для некоторых материалов, применяемых в фотоэлементах. Рисунок 3.5. Квантовая эффективность QE, %, различных материалов для фотоэлементов, в зависимости от длины волны солнечного излучения. Развитие технологии фотоэлементов в настоящее время сосредоточено на увеличении эффективности, срока службы и снижении стоимости. КПД в диапазоне 20-25 % был достигнут как в фотоэлементах на основе как монокристаллического, так и поликристаллического кремния. КПД фотоэлементов на основе тонких пленок достиг 20 %. Сверхвысокие значения КПД выше 40 % были достигнуты при использовании солнечных батарей, содержащих несколько p-n переходов (основанных на полупроводниках III-V групп). Потенциально дешевые фотоэлементы на основе органических материалов показали КПД более 6 %. КПД коммерческих модулей отстает от этого значения, и будущее развитие технологии должно быть направлено на сокращение этой разницы. Для уменьшения потерь энергии разрабатываются и успешно применяется различные мероприятия. К их числу относятся: использование полупроводников с оптимальной для солнечного излучения шириной запрещенной зоны; направленное улучшение свойств полупроводниковой структуры путем ее оптимального легирования и создания встроенных электрических полей; оптимизация конструктивных параметров фотоэлемента (глубины залегания p-n перехода, толщины базового слоя, частоты контактной сетки и др.); применение многофункциональных оптических покрытий, обеспечивающих просветление и терморегулирование фотоэлемента; разработка фотоэлементов, прозрачных в длинноволновой области солнечного спектра за краем основной полосы поглощения; использование высокоэффективных фотоэлементов с относительно недорогой концентрирующей оптикой и системой отслеживания Солнца. К материалам для фотоэлементов предъявляются следующие требования: Масштабируемость. Возможность получить большое количество элементов и возможность быстрой обработки материала при низкой температуре с высоким выходом продукции. Устойчивость. Материалы и процессы должны быть стабильными при рабочей температуре. Минимальная стоимость. Цены материалов должны составлять не более, чем около 15 % от стоимости произведенной энергии. Если необходимо хранение энергии в те периоды, когда нет солнечного освещения, в стоимость должна входить стоимость хранения энергии. Срок службы – период, в течение которого электростанция продолжает производить электроэнергию на номинальном уровне. Кроме срока службы фотоэлементов, в нее входит срок службы конструкций электростанции и устройств хранения и преобразования энергии. Надежность. Надежность влияет и на срок службы, и на стоимость. Уменьшение затрат на обслуживание и замену компонентов уменьшает затраты на производство электричества. Экологическая чистота производства материалов и компонентов. При том, что само производство солнечной электроэнергии является экологическичистым, при производстве материалов и компонентов необходимо следить за его экологической чистотой. Удобство техобслуживания. Ожидаемый срок службы устройств текущего поколения, на основе монокристаллического или поликристаллического кремния, составляет 25-30 лет, а на основе тонких пленок – около 20 лет. Наиболее важным параметром в технологии солнечных батарей является их стоимость на пиковую мощность полученной энергии, выражаемая в долларах на ватт. За последние 3 десятилетия стоимость получаемого электричества снизилась с 3,65 $ за киловатт час, до 0,25 $ за киловатт час. Цена модулей (фотоэлементов) составляет около 50 % от цены солнечной электростанции. Производство модулей фотоэлементов и других сооружений и устройств солнечной электростанции требует затрат энергии. В настоящее время это в основном энергия, получаемая при сгорании ископаемого топлива, но в перспективе можно использовать возобновляемые источники, например, водород, полученный при электролизе воды. Поэтому является важным вопрос, через какое время солнечная электростанция произведет столько энергии, сколько было затрачено на ее создание. Это время выражается в понятии времени окупаемости энергии. Для модулей из поликристаллического кремния его можно оценить, как приблизительно 4 года. Поскольку срок службы фотоэлементов составляет около 25-30 лет, можно сказать, что в течение 20 лет ими будет производиться электроэнергия сверх затраченной на их производство и установку. Использование концентрирующих оптических устройств в форме зеркал или линз, сосредотачивает солнечное излучение в маленькой области, где располагается фотоэлемент. Таким образом можно уменьшить количество необходимого материала, и сделать возможным использование относительно дорогих, но очень эффективных материалов фотоэлемента. Большие успехи недавно сделаны в достижении КПД около 41 % при использовании фотоэлементов, состоящих из монолитных кристаллов GaInP2/GaInAs/Ge, выращенных с помощью металлоорганического химического смешения пара (MOCVD) на основании Ge. Каждый тип полупроводника имеет различную энергию запрещенной зоны, которая, заставляет его наиболее эффективно поглощать свет с определенной длиной волны. Такие же высокие КПД показали различные комбинации сплавов полупроводников III-V групп. Эти устройства в настоящее время изготовляются в крупных масштабах для космической промышленности. Спрос на них быстро растет, они являются перспективными для использования в компактных источниках электроэнергии, например, на транспортных средствах. Основные материалы из сплавов III-V слишком дороги, чтобы быть конкурентоспособным по цене для получения электроэнергии на Земле. Однако, недавние сравнительные анализы затрат, сделанные для разных технологий фотоэлементов, показывают, что их высокая эффективность может в перспективе обеспечить самую низкую стоимость. Самую низкую стоимость производства, менее 0,80 $ на единицу мощности в Вт, имеют фотоэлементы на основе поликристаллической тонкой пленки CdTe. Кадмий токсичен, и хотя не загрязняет окружающую среду во время работы, требует затрат на утилизацию в элементах, отработавших срок службы. Фотоэлементы, использующие альтернативы CdTe - поликристаллические материалы, или нанокристаллические и аморфные пленки, так же, как и основанные на базе органических полимеров или низкомолекулярных соединений, демонстрируют следующие значения КПД, составляющие ~ 15.5 % (-20 %) для меди (In, Ga) Se2, фотоэлементы на основе (CIGS), - 4 % (~ 8 %) для полимеров и (-8 %) для фотоэлементов на основе низкомолекулярных органических соединений. CIGS – меди, индия, галлия диселенид имеет химическую формулу CuIn Ga (1-х) х Se2, где значение х может изменяться от 1 до 0. Ширина запрещенной зоны непрерывно меняется при изменении x от 1 до 0 примерно от 1,0 эВ до примерно 1,7 эВ. Фотогальванические устройства могут быть разделены на следующие типы. Гомогенные. Единственный материал – кристаллический кремний изменяется с помощью легирования так, чтобы одна сторона была p-типа, с положительно заряженными дырками, как преобладающими носителями заряда, а другая сторона - n-типа, с отрицательно заряженными электронами. В этом гомогенном материале мы можем изменить только следующие параметры фотоэлемента, чтобы увеличить эффективность преобразования энергии электромагнитного излучения в электрическую: глубина p-n соединения ниже поверхности фотоэлемента, плотность и распределение атомов легирующей добавки с обеих сторон p-n соединения, прозрачность и чистота полупроводника. Самые известные примеры гомогенных фотоэлементов – Si и GaAs. Для увеличения КПД кремниевых фотоэлементов используются пассивация поверхности, улавливание света, контакты, занимающие меньше освещаемой площади, сложные антиотражающие покрытия. Стоимость самого кремния - существенный компонент стоимости фотоэлемента. В связи с низким коэффициентом поглощения необходим более толстый слой кремния, чем других материалов для фотоэлементов. Аморфный Si:H обладает более высоким коэффициентом поглощения, чем кристаллический Si, поэтому можно использовать тонкие пленки. Сплавы с германием позволяют преобразовывать в электричество широкий интервал солнечного спектра. Гетерогенные фотоэлементы. Пример этого типа структуры устройства – фотоэлемент, где соединены два различных полупроводника, - CdS и CIGS. Эта структура часто выбирается для того, чтобы сделать фотоэлементы из материалов, которые поглощают свет намного лучше, чем кремний, и могут, таким образом, использоваться как тонкие пленки. Поскольку всё солнечное излучение может поглощаться в тонких пленках (толщиной несколько микрометров), требования к чистоте материалов могут быть смягчены по сравнению с кремнием. Эти два материала в гетерогенном устройстве играют различные роли. Главный слой, или слой «окна», сделан из материала с большим значением запрещенной зоны, прозрачной при его освещении. Прозрачность позволяет почти всему освещению достигать нижнего слоя, который является материалом с более низким значением энергии запрещенной зоны, который поглощает кванты света с энергией больше, чем энергия запрещенной зоны. Гетерогенные устройства имеют преимущество перед гомогенными. Многие материалы фотоэлементов практически могут легироваться только для получения p-типа или только n-типа, но не для получения обоих типов полупроводника, поэтому в гетерогенных устройствах могут использоваться различные перспективные материалы. Кроме того, слой «окна» с высокой энергией запрещенной зоны уменьшает электрическое сопротивление фотоэлемента и потери электрической энергии. Экситонные фотоэлементы. Это новый класс фотоэлементов, в котором поглощающий слой сделан из органического (молекулярного или полимерного) материала. В таких материалах поглощение кванта солнечного света не создает свободный электрон и дырку, как это происходит в кремнии. Вместо этого, возбужденное состояние в таком материале можно рассматривать, как состоящее из связанной пары электрона и дырки, известной как экситон. Энергия связи пары в органических материалах в 10-20 раз меньше, чем в неорганических. Следовательно, связанные носители заряда легко разделяются, становясь свободными носителями, которые могут быть отобраны. В органических материалах, разделение экситонов на свободные носители заряда полагается на присутствие слоя между органическим поглотителем (часто называемым материалом донора), и вторым материалом (часто называемым материалом акцептора). Работа устройства включает в себя оптическое возбуждение материала донора (полимер или краситель), распространение экситона к слою между материалами донора и акцептора (например, фуллерен или оксид), введения электронов в материал акцептора, с дырками, остающимися в доноре, и затем в транспорте носителей заряда к контактам, чтобы произвести электрический ток. Фотоэлементы на основе органического красителя. Солнечное излучение поглощается органическим красителем, который был осажден на поверхность наноструктурированного оксида (обычно TiO2), погруженного в электролит. При освещении красителя электрон вводится в оксид, и остающаяся дырка создает окислительно-восстановительную пару в растворе электролита, который транспортирует ее на электроды. КПД фотоэлементов на основе органических материалов составляет до 8 % для малых устройств и до 4 % для больших устройств. Преимущество состоит в потенциально низкой стоимости производства и его низкой температуре. Недостатки – сравнительно низкие КПД и срок службы (от 5000 до 30000 часов). Существует возможность производить органические вещества для фотоэлементов с широким набором свойств, включая диапазон поглощения солнечного спектра, комбинировании что этих в перспективе веществ. должно Предполагается, увеличить что КПД при использование инкапсуляции частиц в стекло может поднять срок службы до 10-25 лет. Устройства с несколькими p-n переходами. Эта структура, также названная каскадной или тандемной, позволяет разделить солнечный спектр между несколькими поглотителями с различными запрещенными зонами. Такие устройства могут достигнуть более высокого КПД, чем гомогенные устройства, с преобразованием в электричество большей части солнечного спектра. Почти все упомянутые выше системы могут быть включены в устройства с несколькими p-n переходами с большей или меньшей трудностью, в зависимости от граничных свойств. Солнечные тепловые технологии. Солнечные тепловые технологии используют солнечное излучение с более длинными волнами, чем при использовании фотоэлементов, и могут быть классифицированы как низко-, средне-, и высокотемпературные системы. Низко - и среднетемпературные системы (< 220 °C) используются в основном для нагрева и отопления. В низкотемпературных системах используются устройства, называемые солнечными коллекторами. Самый распространенный вид солнечных коллекторов, используемых в бытовых водонагревательных и отопительных системах, это плоские коллекторы. Обычно этот коллектор представляет собой теплоизолированный металлический ящик со стеклянной либо пластмассовой крышкой, в который помещена окрашенная в черный цвет пластина абсорбера (поглотителя). Солнечный свет попадает на тепловоспринимающую пластину, а благодаря остеклению снижаются потери тепла. Дно и боковые стенки коллектора покрывают теплоизолирующим материалом, что еще больше сокращает тепловые потери. Поглощающую пластину обычно окрашивают в черный цвет, так как темные поверхности поглощают больше солнечной энергии, чем светлые. Некоторые пластины-поглотители обрабатываются специальным селективным покрытием из очень прочного тонкого слоя аморфного полупроводника, которое лучше удерживает поглощенный солнечный свет и служит дольше, чем обычная черная краска. Поглощающие пластины обычно изготовлены из металла, хорошо проводящего тепло (чаще всего меди или алюминия). Медь дороже, но лучше проводит тепло и меньше подвержена коррозии, чем алюминий. Плоские коллекторы делятся на жидкостные и воздушные. Вакуумированные коллекторы нагревают воду для бытового применения там, где нужна вода более высокой температуры. Благодаря наличию вакуума устраняются потери тепла, связанные с теплопроводностью воздуха и конвекцией. Солнечная радиация проходит сквозь наружную стеклянную трубку, попадает на трубку-поглотитель c селективным покрытием и превращается в тепло. Оно передается жидкости, протекающей по трубке. Нагретая жидкость циркулирует через теплообменник и отдает тепло воде, содержащейся в баке-накопителе. От материалов для солнечных коллекторов требуется устойчивость при высоких температурах, а в холодных районах – также при низких температурах. Для предотвращения механических повреждений труб, связанных с расширением воды при замерзании, используются трубы из гибких материалов (полимеры) или вода с добавками, снижающими температуру кристаллизации (антифриз). При необходимости используется двухконтурная система циркуляции жидкости, в которой тепло передается чистой воде. К трубам из полимеров предъявляются требования устойчивости в широком интервале температур. Рисунок 3.6. Солнечные коллекторы. Слева – плоский, справа – вакуумированный. Высокотемпературные солнечные тепловые технологии, которые требуют концентрации солнечного излучения, используются или для производства электричества в двигателях высокой температуры, вращая генератор, или для проведения химических реакций для производства альтернативных видов топлива. Типичная солнечная тепловая конверсионная энергией система состоит из трех компонентов: (1) оптическая система зеркал и линз, которая захватывает и концентрирует солнечное излучение; (2) приемник, на который направлена сконцентрированная радиация и которому передается высокая температура; и (3) рабочая жидкость, для производства механической работы, электричества или топлива. В настоящее время, стоимость солнечной тепловой энергии приблизительно $0.12-0.20 в кВтч и может быть еще ниже, чем из солнечных батарей. Но они хорошо работают только в определенных областях мира с большими количествами прямого солнечного освещения. Рисунок 3.7. Концентраторы солнечной энергии – параболические (слева) и башенного типа. Оптические элементы используются как для тепловой энергетики, так и для концентрации при направлении на фотоэлементы. Требования к материалам для оптических элементов. Низкая стоимость; Устойчивость к неблагоприятному воздействию среды - таким, как влажность, температура, солнечный свет. Длительный срок службы Зеркала обычно делаются из стекла в поверхностном слое с отражающим покрытием типа серебра, которое в свою очередь защищено покрытием, защищающим от воздействия среды. В связи с этим материалы для производства зеркал должны быть устойчивы к расслоению, питтинговой коррозии, окислению, гидролизу. Материалы для отражающих покрытий должны иметь коэффициент отражения более 90 %. Материалы линз наоборот изготовляются из материала с высокой прозрачностью, таких как акрилы (например, полиметилметакрилат) или стекло. Эти материалы должны быть устойчивы к изменению цвета. Это важно для акрилов, которые под воздействием ультрафиолетового излучения склонны к пожелтению. Материалы должны иметь коэффициент рефракции более 1. Стекло и акрилы обладают коэффициентом рефракции около 1,5, что является адекватным значением. Увеличение этого коэффициента должно повысить эффективность установки. Эффективность могут повысить материалы, коэффициент рефракции которых как можно меньше зависит от длины волны. Сильная зависимость коэффициента рефракции от длины волны приводит к такому дефекту, как хроматическая аберрация, когда излучение с разной длиной волны попадает в разные места, что снижает КПД фотоэлемента или поглотителя тепла. Материалы, используемые в тепловой солнечной энергетике, должны быть устойчивы к высоким температурам (более 600 oC) и давлениям свыше 600 атм. В настоящее время их делают из нержавеющих сталей или никелевых сплавов, однако они обладают высокой стоимостью. Для воздушных и газовых турбин необходимы материалы, работающие при температурах 800 – 1400 o C и давлениях около 30 атм. В настоящее время используются никелевые сплавы, однако они дороги и подходят для самых низких температур из этого интервала, для более высоких температур необходимы керамические материалы. Необходима высокая теплопроводность и прочность материалов, в том числе при высоких температурах. Для материала окна концентратора солнечной энергии необходима также прозрачность и ее сохранение длительное время при высоких температурах. Вопросы для самоконтроля. 1. Каким образом генерируется разность потенциалов в фотоэлементе? 2. От чего зависит сила тока, выдаваемая фотоэлементом? 3. Какие существуют основные типы фотогальванических устройств? 4. Какие требования предъявляются к материалам для использования солнечной тепловой энергии? 5. Каковы основные пути снижения стоимости солнечной энергии?
