РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
ТЮМЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
«УТВЕРЖДАЮ»:
Проректор по учебной работе
_______________________ /Волосникова Л.М./
__________ _____________ 201__ г.
ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Учебно-методический комплекс. Рабочая программа
для студентов направления 010800.62 «Радиофизика»,
форма обучения очная
«ПОДГОТОВЛЕНО К ИЗДАНИЮ»:
Автор работы _____________________________/Монтанари С.Г./
«______»___________201__ г.
Рассмотрено на заседании кафедры радиофизики __.__.201__ года. Протокол № __. Соответствует требованиям к содержанию, структуре и оформлению.
«РЕКОМЕНДОВАНО К ЭЛЕКТРОННОМУ ИЗДАНИЮ»:
Объем 13 стр.
Зав. кафедрой ____________________/Михеев В.А./
«____»___________ 201__ г.
Рассмотрено на заседании УМК ИФиХ «____»______________ 201__ г., протокол №____.
Соответствует ГОС ВПО и учебному плану образовательной программы.
«СОГЛАСОВАНО»:
Председатель УМК _________________/Креков С.А./
«____»_____________201__г.
«СОГЛАСОВАНО»:
И.о директора ИБЦ _________________/ Ульянова Е.А./
«____»_____________201__ г.
«СОГЛАСОВАНО»:
Зав. методическим отделом УМУ_____________/ Фарафонова И.Ю./
«____»_____________201__ г.
РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
ТЮМЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Институт физики и химии
Кафедра радиофизики
Монтанари С.Г.
ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Учебно-методический комплекс. Рабочая программа
для студентов направления 010800.62 «Радиофизика»,
форма обучения очная
Издательство
Тюменского государственного университета
2013 г.
Монтанари С.Г. Твердотельная электроника. Учебно-методический
комплекс. Рабочая программа для студентов для студентов направления
010800.62 «Радиофизика», форма обучения очная. Тюмень: Издательство
Тюменского государственного университета, 2013, 13 стр.
Рабочая программа составлена в соответствии с требованиями ГОС
ВПО.
Рабочая программа дисциплины (модуля) опубликована на сайте
ТюмГУ: «Твердотельная электроника» [электронный ресурс] / Режим доступа: http://www.umk.utmn.ru., свободный.
Рекомендовано к изданию кафедрой радиофизики. Утверждено проректором по учебной работе Тюменского государственного университета.
ОТВЕТСТВЕННЫЙ РЕДАКТОР:
заведующий кафедрой радиофизики Михеев В.А., к.ф.-м.н., доцент
© Тюменский государственный университет, 2013.
© Монтанари С.Г., 2013.
2
1.
Пояснительная записка
1.1.Цели и задачи дисциплины (модуля)
Дисциплина «Твердотельная электроника» в соответствии с ГОС ВПО по направлению
подготовки 010800.62 «Радиофизика» является дисциплиной федерального компонента
цикла ОПД.
Требования ГОС: Контактные явления на границе металл-полупроводник, диоды с барьером Шоттки.
Полупроводниковые диоды и их функциональные возможности. Диоды для усиления и генерации СВЧ сигналов, фотодиоды, светодиоды, полупроводниковые квантовые генераторы. Биполярные и полевые транзисторы, динисторы и тиристоры, переключатели и элементы памяти на основе МДМ и МДП-структур, приборы с зарядовой связью. Интегральные микросхемы.
Данная дисциплина должна сформировать у студентов знания, навыки и умения, позволяющие осуществлять схемотехнический анализ и грамотную эксплуатацию аналоговых и цифровых электронных устройств, обеспечивающих передачу, обработку и хранение информации.
Полученные знания и умения также обеспечивают базовую подготовку студентов, необходимую им при изучении большинства других дисциплин специализации.
Основные задачи дисциплины:
1)
Формирование умения оценивать возможности применения твердотельных электронных приборов на основе понимания принципов их работы.
2)
Получение навыков анализа, расчета и изготовления простых электронных
устройств.
3)
Формирование у студентов основных знаний, навыков и умений, позволяющих
осуществлять общий анализ и грамотную эксплуатацию аналоговых и цифровых
радиоэлектронных устройств.
В результате освоения дисциплины обучающийся должен:
 знать: основные физические принципы функционирования базовых полупроводниковых компонентов электронных и микроэлектронных приборов и технологические особенности их изготовления; основные параметры и принципы работы полупроводниковых электронных приборов в аналоговых системах; основные параметры и принципы
работы полупроводниковых электронных приборов в цифровых системах;
 уметь: использовать физические и математические модели процессов и явлений, лежащих в основе принципов действия твердотельных приборов; применять современную вычислительную технику при анализе и разработке аналоговых и цифровых электронных устройств;
 владеть: стандартной терминологией, определениями, обозначениями и единицами
физических величин в твердотельной электронике; навыками организации и проведения измерения электрических параметров и характеристик твердотельных приборов;
выбора полупроводниковых приборов для применения в электронной аппаратуре.
1.2.Место дисциплины в структуре ООП бакалавриата
«Твердотельная электроника» является дисциплиной федерального компонента цикла
ОПД подготовки бакалавра для направления 010800.62 «Радиофизика».
Содержание курса «Твердотельная электроника» базируется на знаниях, приобретенных при изучении следующих дисциплин: курса общей физики «Электричество и магнетизм» и курса «Основы радиоэлектроники». Материал, изучаемый в дисциплине «Твердотельная электроника» будет использоваться студентами при изучении ими дисциплин
«Физическая электроника», «Функциональная электроника», «Квантовая радиофизика» и
других специальных дисциплин.
3
2.
Структура и трудоемкость дисциплины.
Семестр 7. Форма промежуточной аттестации: экзамен. Общая трудоемкость дисциплины составляет 95 часов.
Таблица 1.
Вид учебной работы
Всего часов
Аудиторные занятия (всего)
В том числе:
Лекции
Практические занятия (ПЗ)
Семинары (С)
Лабораторные работы (ЛР)
Самостоятельная работа (всего)
Вид промежуточной аттестации (зачет, экзамен)
Общая трудоемкость
часов
54
54
Семестр
7
54
54
41
Экзамен
95
41
Экз.
95
3.
Тематический план.
Таблица 2.
Тематический план
1.1
1.2
1.3
4
Лабораторные
занятия*
Самостоятельная работа*
Итого часов по теме
Итого количество
баллов
3
1-5
Семинарские
(практические)
занятия*
2
Модуль 1
Определение твердотельной электроники и микроэлектроники. Краткий исторический обзор развития электроники и
микроэлектроники. Тенденции развития. Значение дисциплины «Твердотельная электроника» для подготовки
специалистов; ее содержание и связь с
другими дисциплинами учебного плана.
Классификация твердотельных электронных приборов и интегральных
микросхем. Классификация основных
дискретных полупроводниковых приборов. Классификация интегральных
схем по технологии изготовления, по
типу обрабатываемых сигналов, по
функциональному признаку и по степени интеграции
Физические принципы работы и основы
технологии изготовления полупроводниковых электронных и микроэлектронных приборов. Полупроводниковые материалы.
Кинетические явления в полупроводниках, связанные с движением носителей
Лекции*
1
Тема
недели семестра
№
Виды учебной работы и самостоятельная работа, в час.
4
5
6
7
8
9
1
0
1
0
2
1
3
0-5
9
6
15
0-15
1.4
2.1
2.2
2.3
2.4
3.1
3.2
зарядов. Уравнение плотности тока.
Контактные явления в электронных
приборах и микроэлектронных структурах. Омические, нелинейные и инжектирующие электрические контакты.
Контакты типа металл – полупроводник, полупроводник – полупроводник,
полупроводник – диэлектрик, диоды с
барьером Шоттки.
Основные методы и процессы, используемые при производстве полупроводниковых приборов: фотолитография,
диффузия, эпитаксия, ионная имплантация, травление, организация межсоединений.
Плёночные, полупроводниковые и гибридные технологии. Методы изоляции
в изделиях микроэлектроники.
Всего
Модуль 2
Базовые твердотельные электронные
компоненты. Пассивные компоненты
(резисторы, конденсаторы, катушки
индуктивности). Особенности микроэлектронного исполнения пассивных
компонентов.
Полупроводниковые диоды (стабилитроны, варикапы, туннельные диоды и
др.) и их функциональные возможности. Диоды для усиления и генерации
СВЧ сигналов, фотодиоды, светодиоды,
полупроводниковые квантовые генераторы
Транзисторы и транзисторные структуры. Биполярные n-p-n и p-n-p транзисторы. Разновидности биполярных
транзисторов (многоэмиттерные, многоколлекторные, составные, с барьером
Шотки). Основные параметры биполярных транзисторов.
Полевые транзисторы с p-n переходом,
МДП-транзисторы, КМДП-структуры.
Основные параметры полевых транзисторов. Тиристоры и динисторы.
Всего
Модуль 3
Основные аналоговые функции и их
реализация. Основы схемотехники аналоговых интегральных схем. Классификация. Операционные усилители. Компараторы. Стабилизаторы. Перемножители. Фильтры. Коммутаторы и ключи.
Специализированные аналоговые интегральные схемы.
Цифровые электронные приборы.
Принципы кодирования. Типы логики.
Основные логические функции. Классификация цифровых ИМС и их основные параметры. Базовые элементы цифровых биполярных ИМС. Базовые элементы цифровых МДП и КМДП ИМС,
переключатели и элементы памяти, ,
4
2
6
0-4
16
9
25
0-24
2
2
4
0-10
6
6
12
0-10
6
4
10
0-10
5
5
10
0-10
19
17
36
0-40
4
5
9
0-10
6
4
10
0-10
6-12
13-18
5
3.3
3.4
приборы с зарядовой связью. Микропроцессорные ИМС.
Применение цифровых ИМС малой и
средней степени интеграции.
Реализация математических операций.
Триггеры. Шифраторы и дешифраторы.
Мультиплексоры и демультиплексоры.
Последовательные и параллельные регистры. Счётчики.
Интегральные микросхемы аналогоцифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Назначение. Классификация. Элементная база. Принципы работы. Основные параметры.
Всего
Итого (часов, баллов):
7
5
9
0-8
2
1
6
0-8
19
54
15
41
34
95
0-36
0–
100
Таблица 3.
Модуль 1
1.1
1.2
1.3
1.4
Всего
Модуль 2
2.1
2.2
2.3
2.4
Всего
Модуль 3
3.1
3.2
3.3
3.4
Всего
Итого
другие формы
Информационные системы и
технологии
электронные
практикум
комплексные
ситуационные
задания
программы
компьютерного
тестирования
Технические
формы контроля
эссе
реферат
тест
лабораторная
работа
ответ на семинаре
собеседование
коллоквиумы
№ темы
контрольная
работа
Письменные работы
Устный опрос
Итого количество
баллов
Виды и формы оценочных средств в период текущего контроля
0-3
0-9
0-2
0-14
0-2
0-6
0-2
0-10
0
0-5
0 - 15
0-4
0-24
0-6
0-6
0-6
0-6
0-24
0-4
0-4
0-4
0-4
0-16
0 - 10
0 - 10
0 - 10
0 - 10
0-40
0-6
0-6
0-6
0-6
0-24
0-62
0-4
0-4
0-2
0-2
0-12
0-38
0 - 10
0 - 10
0-8
0-8
0-36
0 – 100
6
4.
Разделы дисциплины и междисциплинарные связи с обеспечиваемыми (последующими) дисциплинами
Таблица 4.
№
п/п
Наименование обеспечиваемых (последующих)
дисциплин
2.
Физическая электроника
3.
4.
Функциональная электроника
Статистическая радиофизика
6.
Квантовая радиофизика
7.
Спецпрактикум
5.
Темы дисциплины, необходимые для изучения обеспечиваемых (последующих) дисциплин
1.1 1.2 1.3 1.4 2.1 2.2 2.3 2.4 3.1 3.2 3.3 3.4
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Х
Содержание дисциплины.
Модуль 1
Тема 1.1
Введение
 Определение твердотельной электроники и микроэлектроники. Краткий исторический обзор развития электроники и микроэлектроники. Тенденции развития. Значение дисциплины «Твердотельная электроника» для подготовки специалистов; ее содержание и связь с другими дисциплинами учебного плана.
Тема 1.2
Классификация электронных твердотельных приборов и интегральных микросхем
 Классификация основных дискретных полупроводниковых приборов. Классификация интегральных схем по технологии изготовления, по типу обрабатываемых сигналов, по функциональному признаку и по степени интеграции
Тема 1.3
Физические принципы работы и основы технологии изготовления полупроводниковых электронных и микроэлектронных приборов.
 Полупроводниковые материалы.
 Кинетические явления в полупроводниках, связанные с движением носителей
зарядов. Уравнение плотности тока.
 Контактные явления в электронных приборах и микроэлектронных структурах.
Омические, нелинейные и инжектирующие электрические контакты. Контакты
типа металл – полупроводник, полупроводник – полупроводник, полупроводник – диэлектрик, диоды с барьером Шоттки.
Тема 1.4
Основные методы и процессы, используемые при производстве полупроводниковых
приборов
 фотолитография, диффузия, эпитаксия, ионная имплантация, травление, организация межсоединений.
7

Плёночные, полупроводниковые и гибридные технологии. Методы изоляции в
изделиях микроэлектроники.
Модуль 2
Тема 2.1
Базовые твердотельные электронные компоненты.
 Пассивные компоненты (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности).
 Особенности микроэлектронного исполнения пассивных компонентов.
Тема 2.2
Полупроводниковые диоды
 Полупроводниковые диоды (стабилитроны, варикапы, туннельные диоды и др.)
и их функциональные возможности.
 Диоды для усиления и генерации СВЧ сигналов, фотодиоды, светодиоды, полупроводниковые квантовые генераторы
Тема 2.3
Биполярные транзисторы и транзисторные структуры
 Биполярные n-p-n и p-n-p транзисторы. Разновидности биполярных транзисторов (многоэмиттерные, многоколлекторные, составные, с барьером Шотки).
Основные параметры биполярных транзисторов.
Тема 2.4
Полевые транзисторы
 Полевые транзисторы с p-n переходом, МДП-транзисторы, КМДП-структуры.
Основные параметры полевых транзисторов. Тиристоры и динисторы
Модуль 3
Тема 3.1
Аналоговые микроэлектронные приборы
 Основные аналоговые функции и их реализация.
 Основы схемотехники аналоговых интегральных схем. Классификация.
 Операционные усилители. Компараторы. Стабилизаторы. Перемножители.
Фильтры. Коммутаторы и ключи. Специализированные аналоговые интегральные схемы.
Тема 3.2
Цифровые электронные приборы.
 Принципы кодирования. Типы логики. Основные логические функции.
 Классификация цифровых ИМС и их основные параметры.
 Базовые элементы цифровых биполярных ИМС.
 Базовые элементы цифровых МДП и КМДП ИМС, переключатели и элементы
памяти, приборы с зарядовой связью.
 Микропроцессорные ИМС
Тема 3.3
Применение цифровых ИМС
 Применение цифровых ИМС малой и средней степени интеграции.
 Реализация математических операций.
 Триггеры. Шифраторы и дешифраторы. Мультиплексоры и демультиплексоры.
Последовательные и параллельные регистры. Счётчики.
Тема 3.4
Интегральные микросхемы аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей.
 Назначение аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей. Классификация. Элементная база. Принципы работы. Основные параметры.
8
6.
Темы лабораторных работ (Лабораторный практикум).
Учебным планом ООП не предусмотрен.
7.
Примерная тематика курсовых работ.
Учебным планом ООП курсовые работы не предусмотрены.
8.
Учебно-методическое обеспечение самостоятельной работы студентов. Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной аттестации по
итогам освоения дисциплины (модуля).
Основной вид самостоятельной работы студентов заключается в подготовке к контрольным работам и самостоятельным работам. Контроль их выполнения осуществляется
на лекциях с целью развития и закрепления требуемых знаний, умений и навыков.
8.1.Список вопросов контрольных работ).
1. Принципы классификации твердотельных электронных приборов и интегральных схем.
2. Кинетические явления в полупроводниках, связанные с движением носителей
зарядов. Уравнение плотности тока.
3. Контакты типа металл-полупроводник, диэлектрик-полупроводник.
4. Контакты типа полупроводник-полупроводник.
5. Свойства p-n перехода.
6. Полупроводниковые диоды. Основные типы.
7. Основные методы и процессы, применяемые при производстве твердотельных
электронных приборов и интегральных схем.
8. Пассивные элементы в интегральном исполнении.
9. Интегральные биполярные транзисторы.
10. Интегральные полевые транзисторы.
11. Аналоговые интегральные схемы (классификация, принципы построения, основные типы).
12. Интегральные операционные усилители. Принцип работы, основные параметры.
13. Реализация основных аналоговых функций с использованием операционных
усилителей.
14. Усилители переменных сигналов на операционных усилителях. Инструментальный усилитель.
15. Применение логарифмических и экспоненциальных каскадов на операционных
усилителях для обработки сигналов.
16. Интегральные компараторы и их применение.
17. Принципы построения, основные типы цифровых интегральных схем.
18. Логические функции. Базовые элементы цифровых интегральных схем.
19. Схемотехника цифровых интегральных схем ТТЛ и ТТЛШ.
20. Цифровые интегральные схемы МОП и КМОП.
21. Триггеры. Классификация, основные типы.
22. Счётчики.
23. Регистры.
24. Мультиплексоры и демультиплексоры.
25. Преобразователи кодов. Шифраторы, дешифраторы.
26. Цифро-аналоговые преобразователи и их основные параметры.
9
27. Общие принципы аналого-цифрового преобразования.
28. Общие принципы цифро-аналогового преобразования.
29. Запоминающие устройства. Классификация, основные параметры.
8.2.Список тем дополнительных заданий для самостоятельной работы.
1. Разработать и измерить параметры (АЧХ) селективного усилителя Кус = 3, f0 = 5
кГц, f = 200 Гц.
2. Разработать и измерить параметры (АЧХ) полосового фильтра с частотами среза fн
= 2500 Гц и fв = 3500 Гц.
K
f
fн
fв
3. Разработать и измерить параметры (АЧХ) двухполосного фильтра с f1 = 5 кГц и f2
= 6 кГц и с добротностью 10.
K
f
f1
f2
4. Разработать и измерить параметры (АХ и АЧХ) схемы измерения логарифма отноU
U вых  ln вх1
U вх2 .
шения двух напряжений
U  U вх
5. Разработать и исследовать схему, выполняющую функцию вых
.
2
U  U вх
Разработать и исследовать схему, выполняющую функцию в ых
.
6. Разработать и измерить параметры (АХ и АЧХ) схемы синхронного детектора с регулировкой фазы опорного сигнала в диапазоне 0…360 и с полосой пропускания
0,01 Гц.
7. Разработать и измерить параметры (АХ и АЧХ) схемы синхронного фильтра с регулировкой фазы опорного сигнала и с полосой пропускания 0,01 Гц.
8. Разработать (на основе интегратора) и исследовать схему, выполняющую преобраU  t
зование «напряжение – интервал времени» ( вх
).
9. Разработать (на основе компаратора и генератора треугольных импульсов) и иссле  aU вх , где a = const).
довать схему широтно-импульсного модулятора ( имп
10. * Разработать на основе суммирующего усилителя схему 8-разрядного ЦАП.
11. Разработать и измерить параметры (АХ и АЧХ) схемы усилителя с автоматической
регулировкой усиления (сигнал с f = 5000 Гц, Uвх min = 50 мВ, Uвх max = 5 В).
12. Разработать схему АЦП с двойным интегрированием.
13. Разработать схему генератора треугольного напряжения на основе реверсивного
двоичного счетчика и ЦАП.
14. Разработать схему преобразователя прямого двоичного 4-х разрядного кода в дополнительный на основе базовых логических элементов.
15. Разработать схему преобразователя последовательного двоичного кода в параллельный.
16. Разработать схему преобразователя параллельного двоичного кода в последовательный.
17. Разработать схему счетчика по модулю 13 счетчика на основе двоичного счетчика.
18. Разработать схему широтно-импульсного модулятора на основе таймера.
10
Лазер
19. Разработать схему двоично-десятичного счетчика на основе двоичного счетчика.
20. Фронт ударной волны распространяется со сверхзвуковой скоростью v вдоль оси
ударной трубы (рис. 1). В стенке трубы, на расстоянии L1 друг от друга, размещены
два датчика давления D1 и Фронт
L2
D2, формирующие короткие волны
L1
импульсы напряжения в
v
момент прохождения фронD1
D2
та волны. На расстоянии L2
Измерительная
секция
от первого датчика расположена измерительная секБлок
ция (оптическая кювета),
управления
через которую пропускается
Запуск
зондирующее
излучение
импульсного лазера.
Учитывая тот факт, что скорость фронта ударной волны v может изменяться от опыта
к опыту, предложить электронную схему блока управления, которая обеспечивала бы
подачу импульса запуска лазера в момент прохождения фронта ударной волны через
измерительную секцию.
8.3.Примерные вопросы к экзамену
1. Определение электроники и микроэлектроники. Этапы развития. Принципы классификации твердотельных электронных приборов и интегральных схем.
2. Общие физические принципы работы и создания твердотельных электронных приборов и интегральных схем.
3. Кинетические явления в полупроводниках, связанные с движением носителей зарядов. Уравнение плотности тока.
4. Контактные явления в электронных приборах и микроэлектронных структурах.
Классификация.
Контакты
типа
металл-полупроводник,
диэлектрикполупроводник.
5. Контактные явления в электронных приборах и микроэлектронных структурах.
Контакты типа полупроводник-полупроводник.
6. Свойства p-n перехода. Полупроводниковые диоды, транзисторы.
7. Основные методы и процессы, применяемые при производстве твердотельных
электронных приборов и интегральных схем.
8. Пассивные элементы в интегральном исполнении.
9. Интегральные биполярные транзисторы.
10. Интегральные полевые транзисторы.
11. Основные схемотехнические и технологические особенности интегральных схем.
12. Аналоговые интегральные схемы (классификация, принципы построения, основные типы).
13. Интегральные операционные усилители. Принцип работы, основные параметры.
14. Применение операционных усилителей (основные схемы включения).
15. Реализация основных аналоговых функций с использованием операционных усилителей.
16. Усилители переменных сигналов на операционных усилителях. Инструментальный
усилитель.
17. Применение операционных усилителей для обработки слабых сигналов (частотная
фильтрация, синхронное детектирование).
18. Применение операционных усилителей для обработки сигналов (прецизионное выпрямление, автоматическая регулировка усиления).
11
19. Применение логарифмических и экспоненциальных каскадов на операционных
усилителях для обработки сигналов.
20. Стабилизация тока и напряжения с помощью интегральных схем.
21. Интегральные компараторы и их применение.
22. Классификация цифровых интегральных схем.
23. Принципы построения, основные типы цифровых интегральных схем.
24. Логические функции. Базовые элементы цифровых интегральных схем.
25. Схемотехника цифровых интегральных схем ТТЛ и ТТЛШ.
26. Цифровые интегральные схемы МОП и КМОП.
27. Триггеры. Классификация, основные типы.
28. Счётчики.
29. Регистры.
30. Мультиплексоры и демультиплексоры.
31. Преобразователи кодов. Шифраторы, дешифраторы.
32. Цифро-аналоговые преобразователи и их основные параметры.
33. Общие принципы аналого-цифрового преобразования.
34. Общие принципы цифро-аналогового преобразования.
35. Запоминающие устройства. Классификация, основные параметры.
36. Основные структуры запоминающих устройств.
37. Интегральные микросхемы оперативных запоминающих устройств.
38. Интегральные микросхемы постоянных запоминающих устройств.
9.
Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины (модуля).
9.1. Основная литература
1.
Троян, П. Е. Твердотельная электроника [Электронный ресурс] : учебное пособие /
П. Е. Троян. - Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2006. - 330 с. - . Режим доступа:http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=208664 (дата
обращения 16.01.2014).
2.
Легостаев, Н. С. Твердотельная электроника [Электронный ресурс] : учебное пособие / Н. С. Легостаев, К. В. Четвергов. - Томск: Томский государственный университет
систем управления и радиоэлектроники, 2012. - 244 с. Режим доступа: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=208951 (дата обращения 16.01.2014).
3.
Наумкина, Л. Г. Электротехника и электроника (раздел Электроника). Ч. 1. Полупроводниковые приборы и физические основы их работы [Электронный ресурс] : учебное
пособие / Л. Г. Наумкина. - М.: Московский государственный горный университет, 2005. 90 с. Режим доступа:http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=83867 (дата обращения 16.01.2014).
4.
Базовые лекции по электронике: сборник : в 2 т./ ред. В. М. Пролейко. - Москва:
Техносфера. Т. 2: Твердотельная электроника. - 2009. - 608 с.
5.
Гуртов, В. А.. Твердотельная электроника: учеб. пособие для студ. вузов, обуч.
по напр. подгот. бак., маг. 010700 "Физика" и спец. 010701 "Физика"/ В. Гуртов. - 2-е изд.,
доп. - Москва: Техносфера, 2005. - 408 с.
12
9.2. Дополнительная литература:
1. Толмачёв, В. В. Физические основы электроники [Электронный ресурс] : учебное
пособие / В. В. Толмачёв, Ф. В. Скрипник. - Москва — Ижевск: Институт компьютерных исследований, 2011. - 496 с. Режим доступа: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=114976 (дата обращения
16.01.2014).
2. Битнер, Л. Р. Вакуумная и плазменная электроника [Электронный ресурс] : учебное
пособие / Л. Р. Битнер. - Томск: Томский государственный университет систем
управления и радиоэлектроники, 2007. - 151 с. - . Режим доступа: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=208653 (дата обращения
16.01.2014).
3. Зегря, Г. Г. Основы физики полупроводников [Электронный ресурс] / Г. Г. Зегря,
В. И. Перель. - М.: Физматлит, 2009. - 336 с. Режим доступа: http://biblioclub.ru/index.php?page=book&id=68394 (дата обращения 17.01.2014).
4. Епифанов, Г. И..
Твердотельная электроника: учеб. для вузов по спец. "Радиофизика и электроника"/ Г. И. Епифанов, Ю. А. Мома. - Москва: Высшая школа,
1986. - 303 с.
9.3. Программное обеспечение и Интернет – ресурсы:
1. eLIBRARY – Научная электронная библиотека (Москва) http://elibrary.ru/
2. Единое окно доступа к образовательным ресурсам: http://window.edu.ru/window/
3. Федеральный портал «Российское образование»: http://www.edu.ru/
10.
Технические средства и материально-техническое обеспечение дисциплины
(модуля).
Лекционная аудитория, лекционная аудитория с мультимедийным оборудованием.
13