А.Р. ШАРИПОВА, А.С. КОЛОСОВА Научный руководитель – Г.Г. ДАВЫДОВ, к.т.н. Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» ИССЛЕДОВАНИЕ РАДИАЦИОННОГО ПОВЕДЕНИЯ МИКРОСХЕМ SN74AHC14D И SN74LVC14ADR КОМПАНИИ TEXAS INSTRUMENTS Проведены исследования радиационного поведения микросхем SN74AHC14D и SN74LVC14ADR компании Texas Instruments разных серий, но одинакового функционального назначения. Объектами исследований являются микросхемы SN74AHC14D и SN74LVC14ADR – 6 независимых инверторов на триггерах Шмитта. Серия AHC (Advanced High-Speed CMOS – усовершенствованная высокоскоростная КМОП-структура) позволяет улучшить производительную скорость в условиях низкой мощности входного сигнала при наличии значительных помех. Содержит дополнительные цепи защиты от статического разряда и перегрузок по выходам, а также обладает сравнительно большим диапазоном питающего напряжения [1]. Серия LVC (Low Voltage CMOS) включает в себя устройства, специально предназначенные для работы с низким уровнем питания и малой потребляемой мощностью [2]. Работа посвящена сравнению радиационного поведения данных микросхем в условиях воздействия накопленной дозы ионизирующего излучения (ИИ). Для исследований разработан аппаратно-программный комплекс на базе оборудования платформы PXI [3] фирмы National Instruments. Специализированное программное обеспечение для контроля параметров микросхем в процессе исследований реализовано в среде программирования NI LabVIEW 2012. Исследования проводились на установке «Гамма Панорама МИФИ». Тип источника – Сs137. В процессе исследований контролировались: ток потребления в статическом режиме (как правило, является наиболее чувствительным к воздействию накопленной дозы ИИ), а также выходное напряжение высокого и низкого уровня, входной ток, порог переключения и функционирование в диапазоне рабочих частот. В ходе работы было выявлено критическое состояние исследуемых объектов при облучении: статический уровень лог. «0» на выходе для микросхем обеих серий. На рис. 1 приведены зависимости тока потребления обоих типов микросхем при облучении в критическом режиме. Остальные контролируемые параметры в процессе воздействия изменялись незначительно. 1e+5 1e+4 1e+3 ICC, мкА 1e+2 1e+1 SN74LVC14ADR UOL,UCC = 3,6В 1e+0 SN74LVC14ADR UOL,UCC = 3,6В SN74AHC14D UOL,UCC = 3В 1e-1 SN74AHC14D UOL,UCC = 5,5В норма ICC SN74AHC14D, 20 мкА 1e-2 норма ICC SN74LVC14ADR, 40 мкА 1e-3 0 10 20 30 40 50 D, условные единицы Рис. 1. Зависимости тока потребления двух типов микросхем от уровня накопленной дозы ИИ Определены уровни параметрического отказа и показаны различия радиационного поведения микросхем SN74AHC14D и SN74LVC14ADR. Микросхемы серии LVC обладает более стабильным радиационным поведением по сравнению с AHC, разница может быть обусловлена наличием в AHC микросхемах дополнительных цепей защиты, не оптимизированных для условий воздействия накопленной дозы ИИ. Список литературы. 1. 2. 3. AHC/AHCT Designer’s Guide, TI, 2000. http://www.ti.com/lit/ml/scla013d/scla013d.pdf. LVC Designer’s Guide, TI, 1996. http://www.ti.com/lit/ml/scba010/scba010.pdf. PXI advisor. http://www.ni.com/pxi/.