Технологическая карта – инструкция по выполнению лабораторной работы Исследование полевого транзистора Цель работы: снятие и анализ вольтамперной характеристики транзистора; определение параметров. Приборы и оборудование: 1. 2. 1. 2. 3. Транзистор VТ1 типа КП103М. Резисторы R1 и R2. Амперметр РА1 и РА2. Вольтметры РV1 и РV2. Проводники. Схема опыта: Рис.1. Схема исследования полевого транзистора. Порядок работы: 1. Зарисовать схему исследования, изображенную на рис. 1. Выписать из справочника параметры транзистора VТ1 типа КП103М: S, Iснач, Uотс, Uзи max, Uси max, Iсmax Рсmax. 2. Включить питание и приборы. 3. Снять стокозатворную характеристику транзистора Iс= f(Uзи) при Uси = const. Для этого потенциометром источника G2 установить Uси = 7 В по РV2 и поддерживать его неизменным при снятии характеристики. Напряжение Uзи изменять потенциометром G1 по РV1. Следить за изменением тока Iс по РА1. Результаты измерений занести в таблицу 1. 4. Снять семейство стоковых характеристик транзистора Iс= f(Uси) для трех значений Uзи. Для этого установить необходимое значение Uзи потенциометром источника G1 по РV1 и поддерживать его неизменным при снятии характеристики. Напряжение Uси изменять потенциометром G2 по РV2. Следить за изменением тока Iс по РА1. Результаты измерений занести в таблицу 2. 5. По данным таблиц 1 и 2 построить в координатных осях графики стокозатворной и стоковых характеристик. 6. Выполнить построение на характеристиках и рассчитать по стокозатворной характеристике крутизну S= 𝛥𝐼с 𝛥𝑈зи , при Uси = const; По стоковым сопротивление Rд = 𝛥𝑈си 𝛥𝐼с характеристикам выходное дифференциальное , при Uзи = const; 7. По стокозатворной характеристике определить напряжение отсечки Uотс. 8. Составить отчет Таблица 1. Результаты измерений Iс= f(Uзи) при Uзи = 7 В = const Uзи, В Iс, мА 0 0,5 1,0 1,5 Таблица 2. Результаты измерений Uзи = 0 В Uзи = 1 В Uзи = 2 В Uси, В Iс, мА Uси, В Iс, мА Uси, В Iс, мА 2,0 2,5 3,0 3,5 Iс= f(Uзи) при Uзи = const 0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 1 2 3 4 5 6 7 8 Контрольные вопросы: Какие транзисторы называют полевыми? Чем объясняется высокое входное сопротивление полевых транзисторов? Чем отличается полевой транзистор от биполярного? Какой параметр определяет усилительные свойства полевого транзистора?